Исследование переходных процессов в кремниевой p⁺pn⁺-структуре
На основании исследования переходных характеристик кремниевой p⁺pn⁺-структуры методом переключения из прямого направления на обратное определены зависимости времени жизни неосновных носителей заряда и времени восстановления обратного тока в кремниевых p⁺pn⁺- структурах с различной толщиной базовой о...
Saved in:
| Published in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Date: | 2011 |
| Main Authors: | , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2011
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76894 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Исследование переходных процессов в кремниевой p⁺pn⁺-структуре / О.А. Абдулхаев, Г.О. Асанова, Ф.А. Гиясова, Д.М. Ёдгорова, А.А. Каримов, А.В. Каримов // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 2. — С. 188–193. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-76894 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Абдулхаев, О.А. Асанова, Г.О. Гиясова, Ф.А. Ёдгорова, Д.М. Каримов, А.А. Каримов, А.В. 2015-02-13T06:40:50Z 2015-02-13T06:40:50Z 2011 Исследование переходных процессов в кремниевой p⁺pn⁺-структуре / О.А. Абдулхаев, Г.О. Асанова, Ф.А. Гиясова, Д.М. Ёдгорова, А.А. Каримов, А.В. Каримов // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 2. — С. 188–193. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76894 621.383.52:535.243 На основании исследования переходных характеристик кремниевой p⁺pn⁺-структуры методом переключения из прямого направления на обратное определены зависимости времени жизни неосновных носителей заряда и времени восстановления обратного тока в кремниевых p⁺pn⁺- структурах с различной толщиной базовой области. Экспериментально показано, что как зависимости времени восстановления, так и времени жизни неосновных носителей от величины прямого тока стремятся к насыщению, которую можно объяснить наличием дополнительных рекомбинационных центров в базовой области. На підставі дослідження перехідних характеристик кремнієвої p⁺pn⁺-структури методом перемикання із прямого напрямку на зворотній визначені залежності часу життя неосновних носіїв заряду та часу відновлення зворотного струму в кремнієвих p⁺pn⁺-структурах з різною товщиною базової області. Експериментально показано, що як залежності часу відновлення, так і часу життя неосновних носіїв від величини прямого струму прагнуть до насичення, яку можна пояснити наявністю додаткових рекомбінаційних центрів у базовій області. Based on the research of transitional characteristics of silicon p⁺pn⁺-structure by method of switching from direct to reverse bias are obtained the dependences of the lifetime of minority carriers, and recovery time of the reverse current in silicon p⁺pn⁺-structures with different thickness of the base region. It is experimentally shown that the dependences of the recovery time as well as minority carriers lifetime from values of forward current tends to saturation, which can be explained by the presence of additional recombination centers in the base region. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Исследование переходных процессов в кремниевой p⁺pn⁺-структуре Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Исследование переходных процессов в кремниевой p⁺pn⁺-структуре |
| spellingShingle |
Исследование переходных процессов в кремниевой p⁺pn⁺-структуре Абдулхаев, О.А. Асанова, Г.О. Гиясова, Ф.А. Ёдгорова, Д.М. Каримов, А.А. Каримов, А.В. |
| title_short |
Исследование переходных процессов в кремниевой p⁺pn⁺-структуре |
| title_full |
Исследование переходных процессов в кремниевой p⁺pn⁺-структуре |
| title_fullStr |
Исследование переходных процессов в кремниевой p⁺pn⁺-структуре |
| title_full_unstemmed |
Исследование переходных процессов в кремниевой p⁺pn⁺-структуре |
| title_sort |
исследование переходных процессов в кремниевой p⁺pn⁺-структуре |
| author |
Абдулхаев, О.А. Асанова, Г.О. Гиясова, Ф.А. Ёдгорова, Д.М. Каримов, А.А. Каримов, А.В. |
| author_facet |
Абдулхаев, О.А. Асанова, Г.О. Гиясова, Ф.А. Ёдгорова, Д.М. Каримов, А.А. Каримов, А.В. |
| publishDate |
2011 |
| language |
Russian |
| container_title |
Физическая инженерия поверхности |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| format |
Article |
| description |
На основании исследования переходных характеристик кремниевой p⁺pn⁺-структуры методом переключения из прямого направления на обратное определены зависимости времени жизни неосновных носителей заряда и времени восстановления обратного тока в кремниевых p⁺pn⁺- структурах с различной толщиной базовой области. Экспериментально показано, что как зависимости времени восстановления, так и времени жизни неосновных носителей от величины прямого тока стремятся к насыщению, которую можно объяснить наличием дополнительных рекомбинационных центров в базовой области.
На підставі дослідження перехідних характеристик кремнієвої p⁺pn⁺-структури методом перемикання із прямого напрямку на зворотній визначені залежності часу життя неосновних носіїв заряду та часу відновлення зворотного струму в кремнієвих p⁺pn⁺-структурах з різною товщиною базової області. Експериментально показано, що як залежності часу відновлення, так і часу життя неосновних носіїв від величини прямого струму прагнуть до насичення, яку можна пояснити наявністю додаткових рекомбінаційних центрів у базовій області.
Based on the research of transitional characteristics of silicon p⁺pn⁺-structure by method of switching from direct to reverse bias are obtained the dependences of the lifetime of minority carriers, and recovery time of the reverse current in silicon p⁺pn⁺-structures with different thickness of the base region. It is experimentally shown that the dependences of the recovery time as well as minority carriers lifetime from values of forward current tends to saturation, which can be explained by the presence of additional recombination centers in the base region.
|
| issn |
1999-8074 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76894 |
| citation_txt |
Исследование переходных процессов в кремниевой p⁺pn⁺-структуре / О.А. Абдулхаев, Г.О. Асанова, Ф.А. Гиясова, Д.М. Ёдгорова, А.А. Каримов, А.В. Каримов // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 2. — С. 188–193. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT abdulhaevoa issledovanieperehodnyhprocessovvkremnievoippnstrukture AT asanovago issledovanieperehodnyhprocessovvkremnievoippnstrukture AT giâsovafa issledovanieperehodnyhprocessovvkremnievoippnstrukture AT edgorovadm issledovanieperehodnyhprocessovvkremnievoippnstrukture AT karimovaa issledovanieperehodnyhprocessovvkremnievoippnstrukture AT karimovav issledovanieperehodnyhprocessovvkremnievoippnstrukture |
| first_indexed |
2025-12-07T20:34:45Z |
| last_indexed |
2025-12-07T20:34:45Z |
| _version_ |
1850883110667812864 |