Исследование переходных процессов в кремниевой p⁺pn⁺-структуре
На основании исследования переходных характеристик кремниевой p⁺pn⁺-структуры методом переключения из прямого направления на обратное определены зависимости времени жизни неосновных носителей заряда и времени восстановления обратного тока в кремниевых p⁺pn⁺- структурах с различной толщиной базовой о...
Saved in:
| Published in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Date: | 2011 |
| Main Authors: | Абдулхаев, О.А., Асанова, Г.О., Гиясова, Ф.А., Ёдгорова, Д.М., Каримов, А.А., Каримов, А.В. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2011
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76894 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Исследование переходных процессов в кремниевой p⁺pn⁺-структуре / О.А. Абдулхаев, Г.О. Асанова, Ф.А. Гиясова, Д.М. Ёдгорова, А.А. Каримов, А.В. Каримов // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 2. — С. 188–193. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2011)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2011)
Исследование процессов модуляции базовой области кремниевой p⁺р-n⁺-структуры
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2013)
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2013)
Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2014)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2014)
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2008)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2008)
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2009)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2009)
Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах
by: Рахматов, А.З., et al.
Published: (2012)
by: Рахматов, А.З., et al.
Published: (2012)
Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах
by: Рахматов, А.З., et al.
Published: (2012)
by: Рахматов, А.З., et al.
Published: (2012)
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2013)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2013)
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2009)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2009)
Исследование влияния потенциальных барьеров на механизмы токопереноса во встречновключенных двухбарьерных кремниевых структур
by: Абдулхаев, О.А., et al.
Published: (2011)
by: Абдулхаев, О.А., et al.
Published: (2011)
Лавинно-каскадное усиление импульса в pn-i-pn структуре с обратно смещенными p-n переходами
by: Лукин, К.А., et al.
Published: (2008)
by: Лукин, К.А., et al.
Published: (2008)
Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2009)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2009)
Функциональные характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах включения
by: Абдулхаев, О.А., et al.
Published: (2012)
by: Абдулхаев, О.А., et al.
Published: (2012)
Фототранзистор составной на полевых транзисторах
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2012)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2012)
Физические явления в тонкобазовых транзисторных структурах
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2015)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2015)
Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2011)
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2011)
Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2006)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2006)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2008)
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2008)
Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2007)
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2007)
Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2012)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2012)
Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2014)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2014)
Преобразование частоты в pn–i–pn-структурах
by: Лукин, К.А., et al.
Published: (2012)
by: Лукин, К.А., et al.
Published: (2012)
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
by: Абдулхаев, О.А., et al.
Published: (2015)
by: Абдулхаев, О.А., et al.
Published: (2015)
Исследование эффекта насыщения тока стока полевого транзистора с последовательно соединенными каналами
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2012)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2012)
Моделирование импульсного фотоумножителя на основе pn-i-pn структуры с лавинными p-n переходами
by: Лукин, К.А., et al.
Published: (2007)
by: Лукин, К.А., et al.
Published: (2007)
Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2007)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2007)
Исследование энергетических характеристик многочастотных автогенераторов миллиметровых и субмиллиметровых волн на основе pn–i–pn-структур
by: Лукин, К.А., et al.
Published: (2012)
by: Лукин, К.А., et al.
Published: (2012)
Технология получения и исследование гетероструктурных солнечных элементов на основе n-Cds/p-CdTe
by: Каримов, Ш.Б., et al.
Published: (2015)
by: Каримов, Ш.Б., et al.
Published: (2015)
Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2005)
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2005)
Влияние кремниевой подложки на пробивное напряжение разветвленного n++-p+-перехода
by: Сидоренко, В.П., et al.
Published: (2003)
by: Сидоренко, В.П., et al.
Published: (2003)
Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры
by: Абдулхаев, О.А., et al.
Published: (2018)
by: Абдулхаев, О.А., et al.
Published: (2018)
Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2007)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2007)
Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2006)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2006)
Investigation of transient processes in a silicon p+pn+ structure
by: O. A. Abdulkhaev, et al.
Published: (2011)
by: O. A. Abdulkhaev, et al.
Published: (2011)
Влияние нейтронного облучения на процессы модуляции базовой области кремниевой p⁺nn⁺-структуры
by: Рахматов, А.З.
Published: (2013)
by: Рахматов, А.З.
Published: (2013)
Экспериментальное исследование переходных процессов в программно-аппаратном устройстве цифровой фазовой автоподстройки частоты
by: Бондарев, А П., et al.
Published: (2016)
by: Бондарев, А П., et al.
Published: (2016)
Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
by: Ёдгорова, Д.М.
Published: (2010)
by: Ёдгорова, Д.М.
Published: (2010)
Микронегатронный преобразователь давления на основе кремниевой МОП-структуры
by: Гасанов, А.М., et al.
Published: (2004)
by: Гасанов, А.М., et al.
Published: (2004)
Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
by: Рахматов, А.З., et al.
Published: (2010)
by: Рахматов, А.З., et al.
Published: (2010)
Big Picard Theorem for Meromorphic Mappings with Moving Hyperplanes in $P_n (C)$
by: Si, Duc Quang, et al.
Published: (2014)
by: Si, Duc Quang, et al.
Published: (2014)
Similar Items
-
Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2011) -
Исследование процессов модуляции базовой области кремниевой p⁺р-n⁺-структуры
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2013) -
Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2014) -
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2008) -
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2009)