Електронні властивості напружених шарів CdTe та ZnTe у гетероструктурах

Електронні властивості напружених шарів CdTe та ZnTe у гетероструктурах

В даній роботі методами функціоналу електронної густини та псевдопотенціалу із перших принципів були отримані розподіли густини валентних електронів та електронні енергетичні спектри для напружених гетероструктур CdTe/ZnTe та гетероструктур CdTe/ZnTe з квантовими точками CdTe. Використовуючи авторсь...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2011
Hauptverfasser: Балабай, Р.М., Піскльонов, С.С.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2011
Schriftenreihe:Физическая инженерия поверхности
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76896
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Електронні властивості напружених шарів CdTe та ZnTe у гетероструктурах / Р.М. Балабай, С.С. Піскльонов // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 3. — С. 213–220. — Бібліогр.: 17 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-76896
record_format dspace
fulltext
spelling nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-768962025-02-23T19:15:16Z Електронні властивості напружених шарів CdTe та ZnTe у гетероструктурах Балабай, Р.М. Піскльонов, С.С. В даній роботі методами функціоналу електронної густини та псевдопотенціалу із перших принципів були отримані розподіли густини валентних електронів та електронні енергетичні спектри для напружених гетероструктур CdTe/ZnTe та гетероструктур CdTe/ZnTe з квантовими точками CdTe. Використовуючи авторське програмне забезпечення було виявлено, що механічне напруження плівки CdTe суттєво впливає на перебудову розподілу валентних електронів у плівці. Розподіл густини валентних електронів в гетеропереході отримує такий характер, котрий дозволяє сказати, що він узагальнюється для всіх атомів напружених пластів CdТе, а не тільки найближчої координаційної сфери. Показано, що дозволені енергетичні стани гетероструктури CdTe/ZnTe з квантовими точками CdTe перегруповуються з утворенням максимуму біля рівня Фермі. В данной работе методами функционала электронной плотности и псевдопотециала из первых принципов были получены распределения плотности валентных электронов и электронные энергетические спектры для напряженных гетеростуктур CdTe/ZnTe и гетероструктур CdTe/ ZnTe с квантовими точками CdTe. Используя авторское программное обеспечение, было обнаружено, что механическое напряжение пленки CdTe существенно влияет на перестройку распределения валентных электронов в пленке. Распределение плотности валентных электронов в гетеропереходе получает такой характер, который позволяет сказать, что он обобщается для всех атомов напряженных пластов CdТе, а не только ближайшей координационной сферы. Показано, что разрешенные энергетические состояния гетероструктуры CdTe/ZnTe с квантовыми точками CdTe перегруппировываются с образованием максимума около уровня Ферми. In this work, we used ab-initio calculations in the framework of the electron density functional theory and the pseudopotential have been obtained density distributions of valence electrons and the electron energy specters for strained geterostructures CdTe/ZnTe and geterostructures CdTe/ZnTe with quantum dots CdTe. Using author’s program code, it was found that the stress of the film CdTe significantly impacts on the restructuring of the distribution of valence electrons in the film. The density distribution of valence electrons in a geterostucture receives such a character that allows us to say that it can be generalized for all the atoms strained CdTe layers, not just the nearest coordination sphere. It is shown that the allowed energy states of the geterostructure CdTe/ZnTe with quantum dots CdTe rearrange to form a peak near the Fermi level. 2011 Article Електронні властивості напружених шарів CdTe та ZnTe у гетероструктурах / Р.М. Балабай, С.С. Піскльонов // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 3. — С. 213–220. — Бібліогр.: 17 назв. — укр. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76896 621.315.592 uk Физическая инженерия поверхности application/pdf Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Ukrainian
description В даній роботі методами функціоналу електронної густини та псевдопотенціалу із перших принципів були отримані розподіли густини валентних електронів та електронні енергетичні спектри для напружених гетероструктур CdTe/ZnTe та гетероструктур CdTe/ZnTe з квантовими точками CdTe. Використовуючи авторське програмне забезпечення було виявлено, що механічне напруження плівки CdTe суттєво впливає на перебудову розподілу валентних електронів у плівці. Розподіл густини валентних електронів в гетеропереході отримує такий характер, котрий дозволяє сказати, що він узагальнюється для всіх атомів напружених пластів CdТе, а не тільки найближчої координаційної сфери. Показано, що дозволені енергетичні стани гетероструктури CdTe/ZnTe з квантовими точками CdTe перегруповуються з утворенням максимуму біля рівня Фермі.
format Article
author Балабай, Р.М.
Піскльонов, С.С.
spellingShingle Балабай, Р.М.
Піскльонов, С.С.
Електронні властивості напружених шарів CdTe та ZnTe у гетероструктурах
Физическая инженерия поверхности
author_facet Балабай, Р.М.
Піскльонов, С.С.
author_sort Балабай, Р.М.
title Електронні властивості напружених шарів CdTe та ZnTe у гетероструктурах
title_short Електронні властивості напружених шарів CdTe та ZnTe у гетероструктурах
title_full Електронні властивості напружених шарів CdTe та ZnTe у гетероструктурах
title_fullStr Електронні властивості напружених шарів CdTe та ZnTe у гетероструктурах
title_full_unstemmed Електронні властивості напружених шарів CdTe та ZnTe у гетероструктурах
title_sort електронні властивості напружених шарів cdte та znte у гетероструктурах
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate 2011
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76896
citation_txt Електронні властивості напружених шарів CdTe та ZnTe у гетероструктурах / Р.М. Балабай, С.С. Піскльонов // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 3. — С. 213–220. — Бібліогр.: 17 назв. — укр.
series Физическая инженерия поверхности
work_keys_str_mv AT balabajrm elektronnívlastivostínapruženihšarívcdtetaznteugeterostrukturah
AT písklʹonovss elektronnívlastivostínapruženihšarívcdtetaznteugeterostrukturah
first_indexed 2025-11-24T15:43:09Z
last_indexed 2025-11-24T15:43:09Z
_version_ 1849687004689727488

Ähnliche Einträge