Зображення обкладинки

Електронні властивості напружених шарів CdTe та ZnTe у гетероструктурах

В даній роботі методами функціоналу електронної густини та псевдопотенціалу із перших принципів були отримані розподіли густини валентних електронів та електронні енергетичні спектри для напружених гетероструктур CdTe/ZnTe та гетероструктур CdTe/ZnTe з квантовими точками CdTe. Використовуючи авторсь...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Физическая инженерия поверхности
Дата:	2011
Автори:	Балабай, Р.М., Піскльонов, С.С.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2011
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76896
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Електронні властивості напружених шарів CdTe та ZnTe у гетероструктурах / Р.М. Балабай, С.С. Піскльонов // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 3. — С. 213–220. — Бібліогр.: 17 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Electronic properties of CdTe and ZnTe strained layers in heterostructures
за авторством: R. M. Balabai, та інші
Опубліковано: (2011)

ZnTe-based UV sensors
за авторством: Yu. Pavelets, та інші
Опубліковано: (2016)

Application of CdTe (CdZnTe) detectors for radioactive waste characterization
за авторством: Dovbnya, N.A., та інші
Опубліковано: (2002)

Peculiarities of scintillation materials based on ZnS—ZnTe solid solutions
за авторством: Katrunov, K., та інші
Опубліковано: (2013)

Influence of radiation-induced defects on CdTe and CdZnTe detectors properties
за авторством: Kondrik, A.I.
Опубліковано: (2015)

Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)

Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)

Вплив домішок і дефектів структури на властивості детекторів на основі CdTe та CdZnTe
за авторством: Kondrik, Alexandr, та інші
Опубліковано: (2022)

Вплив домішок і структурних дефектів на електрофізичні та детекторні властивості CdTe та CdZnTe
за авторством: Kondrik, Alexander, та інші
Опубліковано: (2019)

Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
за авторством: Захарченко, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)

Influence of impurities and structural defects on electrophysical and detector properties of CdTe and CdZnTe
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2019)

Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
за авторством: Zakharchenko, A. A., та інші
Опубліковано: (2007)

Temperature dependence of luminescence pecularities in oxygen doped ZnTe films
за авторством: Malushin, N.V., та інші
Опубліковано: (2003)

Screen-printed p-CdTe layers for CdS/CdTe solar cells
за авторством: Klad'ko, V.P., та інші
Опубліковано: (2005)

Исследование радиационной стойкости детекторов ионизирующих излучений на основе CdTe и CdZnTe
за авторством: Кутний, В.Е., та інші
Опубліковано: (2000)

Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe
за авторством: Kovaliuk, Taras, та інші
Опубліковано: (2021)

Перспективы использования полупроводниковых материалов из CdTe (CdZnTe) при реконструкции АЭС Украины
за авторством: Грибанов, Ю.А., та інші
Опубліковано: (2000)

Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)

Low-temperature photoluminescence of thin CdTe, CdTe:In films with an anomalous photovoltaic property
за авторством: Zh. Akhmadaliev, та інші
Опубліковано: (2010)

Низкотемпературная фотолюминесценция тонких пленок CdTe, CdTe:In с аномальным фотовольтаическим свойством
за авторством: Ахмадалиев, Б.Ж., та інші
Опубліковано: (2010)

Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)

Effect of defects originating under the proton irradiation on the electrophysical and detector properties of CdTe:Cl and CdZnTe
за авторством: Kondrik, A.I.
Опубліковано: (2021)

Structural changes in molten CdTe
за авторством: Shcherbak, L., та інші
Опубліковано: (2000)

Electrical and photoelectric properties of MoN/p-CdTe and MoN/n-CdTe heterojunctions
за авторством: T. T. Kovaliuk, та інші
Опубліковано: (2021)

Electrical and photoelectric properties of heterostructures NiO/p-CdTe and NiO/n-CdTe
за авторством: G. P. Parkhomenko, та інші
Опубліковано: (2016)

Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями
за авторством: Жураев, Н., та інші
Опубліковано: (2017)

Photoluminescence studies of CdTe polycrystalline films
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2012)

Relaxation factors of acoustic conductivity in CdTe
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2018)

Photoluminescence studies of CdTe polycrystalline films
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2012)

Contact electrodeposition of CdTe thin films
за авторством: Klochko, N.P., та інші
Опубліковано: (2009)

Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
за авторством: Parkhomenko, H. P., та інші
Опубліковано: (2016)

Приборы на основе CdTe и CdZnTe для технологического контроля и мониторинга радиационной обстановки на АЭС
за авторством: Ажажа, В.М., та інші
Опубліковано: (2006)

Пасивація епітаксійних структур CdHgTe: розрахунки із перших принципів
за авторством: Балабай, Р.М.
Опубліковано: (2012)

Mechanisms of carrier transport in CdTe polycrystalline films
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2010)

Self-purification effect in CdTe:Gd crystals
за авторством: Nikonyuk, E.S., та інші
Опубліковано: (2008)

Characterization of grain boundaries in CdTe polycrystalline films
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2015)

Mechanisms of carrier transport in CdTe polycrystalline films
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2010)

Characterization of grain boundaries in CdTe polycrystalline films
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2015)

Thin film solar cells on CdS/CdTe/ITO base
за авторством: Khrypunov, G.S.
Опубліковано: (2005)

Разработка дозиметрических и спектрометрических блоков регистрации γ-излучения на основе полупроводниковых соединений CdTe (CdZnTe) для АЭС Украины
за авторством: Кутний, В.Е., та інші
Опубліковано: (2003)