Исследование влияния потенциальных барьеров на механизмы токопереноса во встречновключенных двухбарьерных кремниевых структур
Приведены результаты исследования механизмов токопереноса кремниевой фотодиодной Au-nSi-Al-структуры в зависимости от общего напряжения и падающих на каждом переходе напряжений. Экспериментально установлено, что различие свойств встречновключенных потенциальных барьеров приводит к изменению полевых...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2011 |
| Hauptverfasser: | Абдулхаев, О.А., Асанова, Г.О., Ёдгорова, Д.М., Якубов, Э.Н., Каримов, А.В. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2011
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76898 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Исследование влияния потенциальных барьеров на механизмы токопереноса во встречновключенных двухбарьерных кремниевых структур / О.А. Абдулхаев, Г.О. Асанова, Д.М. Ёдгорова, Э.Н. Якубов, А.В. Каримов // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 3. — С. 262–268. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем
von: Pilipenko, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Pilipenko, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
von: Smyntyna, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Smyntyna, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
von: Смынтына, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Смынтына, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Изменение потенциальных барьеров низкоразмерных тонких пленок p-CdTe в условиях внешних воздействий
von: Алимов, Н.Э., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Алимов, Н.Э., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p-n-m-структурах
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Гигантское магнитосопротивление двухбарьерных магнитных туннельных переходов
von: Белецкий, Н.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Белецкий, Н.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Терморегуляторные механизмы активации гематоэнцефалического и гематосаливарного барьеров при холодовом купировании стресс-индуцированных поражений пародонта
von: Малышева, Г.В.
Veröffentlicht: (2005)
von: Малышева, Г.В.
Veröffentlicht: (2005)
Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Применение поликристаллических диффузионных барьеров
von: Цымбал, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Цымбал, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Система квантовых структур с алмазоподобным углеродным покрытием для кремниевых фотопреобразователей
von: Ефимов, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Ефимов, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Влияние радиационно-индуцированных эффектов на радиационную стойкость кремниевых МОП-структур
von: Гаджиев, Э.М., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Гаджиев, Э.М., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Влияние цветного шума на время релаксации в туннельных двухбарьерных наноструктурах
von: Ермаков, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Ермаков, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах
von: Рахматов, А.З., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Рахматов, А.З., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах
von: Рахматов, А.З., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Рахматов, А.З., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Синонимия синтаксических структур во внешнеделовой терминологии
von: Созоник, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Созоник, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Природа и возможные механизмы образования потенциальных мутаций, возникающих при появлении тиминовых димеров после облучения двухцепочечной ДНК ультрафиолетовым светом
von: Гребнева, Е.А.
Veröffentlicht: (2002)
von: Гребнева, Е.А.
Veröffentlicht: (2002)
Исследование эффекта насыщения тока стока полевого транзистора с последовательно соединенными каналами
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Шумозащитные свойства барьеров, размещенных вдоль городской улицы
von: Вовк, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Вовк, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Об одном методе повышения эффективности шумоподавляющих барьеров
von: Вовк, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Вовк, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Стратегия ценообразования во внешнеэкономической деятельности предпринимательских структур
von: Жукова, А.В.
Veröffentlicht: (1999)
von: Жукова, А.В.
Veröffentlicht: (1999)
Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Содержание интегрированных корпоративных структур
von: Асанова, Э.Р.
Veröffentlicht: (2004)
von: Асанова, Э.Р.
Veröffentlicht: (2004)
Механизмы формирования фуллереноподобных структур из плазмы при электродуговом распылении графита
von: Панарин, В.Е., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Панарин, В.Е., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Симпозиум МАС № 130 «Эволюция крупномасштабных структур во вселенной»
Veröffentlicht: (1986)
Veröffentlicht: (1986)
Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Физические явления в тонкобазовых транзисторных структурах
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Получение кремниевых нитевидных нанокристаллов
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Кусочно-линейная аппроксимация потенциальных рельефов броуновских моторов
von: Корочкова, Т.Е.
Veröffentlicht: (2017)
von: Корочкова, Т.Е.
Veröffentlicht: (2017)
Энергетический спектр конечной цепочки цилиндрических потенциальных ям
von: Глушко, Е.Я.
Veröffentlicht: (1997)
von: Глушко, Е.Я.
Veröffentlicht: (1997)
Шумозащитные свойства барьеров, размещенных вдоль обеих сторон транспортной магистрали
von: Вовк, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Вовк, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Об одном строгом методе оценки акустических свойств шумоподавляющих барьеров
von: Вовк, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Вовк, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Просветление волновых барьеров вследствие фазовой когерентности распределений электронов в плазме
von: Водяницкий, А.А.
Veröffentlicht: (2010)
von: Водяницкий, А.А.
Veröffentlicht: (2010)
Влияние примесных барьеров на низкотемпературную аномалию параметров пластичности β-олова
von: Диулин, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (1998)
von: Диулин, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (1998)
Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
von: Горбань, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Горбань, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Ähnliche Einträge
-
Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2005) -
Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем
von: Pilipenko, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2013) -
Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
von: Smyntyna, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
von: Смынтына, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Изменение потенциальных барьеров низкоразмерных тонких пленок p-CdTe в условиях внешних воздействий
von: Алимов, Н.Э., et al.
Veröffentlicht: (2016)