Исследование влияния потенциальных барьеров на механизмы токопереноса во встречновключенных двухбарьерных кремниевых структур
Приведены результаты исследования механизмов токопереноса кремниевой фотодиодной Au-nSi-Al-структуры в зависимости от общего напряжения и падающих на каждом переходе напряжений. Экспериментально установлено, что различие свойств встречновключенных потенциальных барьеров приводит к изменению полевых...
Saved in:
| Published in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Date: | 2011 |
| Main Authors: | Абдулхаев, О.А., Асанова, Г.О., Ёдгорова, Д.М., Якубов, Э.Н., Каримов, А.В. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2011
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76898 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Исследование влияния потенциальных барьеров на механизмы токопереноса во встречновключенных двухбарьерных кремниевых структур / О.А. Абдулхаев, Г.О. Асанова, Д.М. Ёдгорова, Э.Н. Якубов, А.В. Каримов // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 3. — С. 262–268. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2005)
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2005)
Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках
by: Гулямов, Г., et al.
Published: (2013)
by: Гулямов, Г., et al.
Published: (2013)
Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем
by: Pilipenko, V. A., et al.
Published: (2013)
by: Pilipenko, V. A., et al.
Published: (2013)
Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем
by: Пилипенко, В.А., et al.
Published: (2013)
by: Пилипенко, В.А., et al.
Published: (2013)
Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
by: Yodgorova, D. M., et al.
Published: (2005)
by: Yodgorova, D. M., et al.
Published: (2005)
Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
by: Smyntyna, V. A., et al.
Published: (2011)
by: Smyntyna, V. A., et al.
Published: (2011)
Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
by: Смынтына, В.А., et al.
Published: (2011)
by: Смынтына, В.А., et al.
Published: (2011)
Изменение потенциальных барьеров низкоразмерных тонких пленок p-CdTe в условиях внешних воздействий
by: Алимов, Н.Э., et al.
Published: (2016)
by: Алимов, Н.Э., et al.
Published: (2016)
Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p-n-m-структурах
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2006)
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2006)
Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2005)
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2005)
Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур
by: Новосядлый, С.П.
Published: (1998)
by: Новосядлый, С.П.
Published: (1998)
Гигантское магнитосопротивление двухбарьерных магнитных туннельных переходов
by: Белецкий, Н.Н., et al.
Published: (2010)
by: Белецкий, Н.Н., et al.
Published: (2010)
Терморегуляторные механизмы активации гематоэнцефалического и гематосаливарного барьеров при холодовом купировании стресс-индуцированных поражений пародонта
by: Малышева, Г.В.
Published: (2005)
by: Малышева, Г.В.
Published: (2005)
Применение поликристаллических диффузионных барьеров
by: Цымбал, В.А., et al.
Published: (2010)
by: Цымбал, В.А., et al.
Published: (2010)
Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2011)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2011)
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2009)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2009)
Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2007)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2007)
Механизм токопереноса в гетеропереходах p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si
by: Юсупов, А., et al.
Published: (2016)
by: Юсупов, А., et al.
Published: (2016)
Система квантовых структур с алмазоподобным углеродным покрытием для кремниевых фотопреобразователей
by: Ефимов, В.П., et al.
Published: (2010)
by: Ефимов, В.П., et al.
Published: (2010)
Влияние радиационно-индуцированных эффектов на радиационную стойкость кремниевых МОП-структур
by: Гаджиев, Э.М., et al.
Published: (2001)
by: Гаджиев, Э.М., et al.
Published: (2001)
Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p–n–m-структурах
by: Yodgorova, D. М., et al.
Published: (2006)
by: Yodgorova, D. М., et al.
Published: (2006)
Исследование переходных процессов в кремниевой p⁺pn⁺-структуре
by: Абдулхаев, О.А., et al.
Published: (2011)
by: Абдулхаев, О.А., et al.
Published: (2011)
Исследование эффекта насыщения тока стока полевого транзистора с последовательно соединенными каналами
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2012)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2012)
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ
by: Вакив, Н.М., et al.
Published: (2013)
by: Вакив, Н.М., et al.
Published: (2013)
Влияние цветного шума на время релаксации в туннельных двухбарьерных наноструктурах
by: Ермаков, В.Н., et al.
Published: (2011)
by: Ермаков, В.Н., et al.
Published: (2011)
Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах
by: Рахматов, А.З., et al.
Published: (2012)
by: Рахматов, А.З., et al.
Published: (2012)
Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах
by: Рахматов, А.З., et al.
Published: (2012)
by: Рахматов, А.З., et al.
Published: (2012)
Об одном методе повышения эффективности шумоподавляющих барьеров
by: Вовк, И.В., et al.
Published: (2006)
by: Вовк, И.В., et al.
Published: (2006)
Шумозащитные свойства барьеров, размещенных вдоль городской улицы
by: Вовк, И.В., et al.
Published: (2012)
by: Вовк, И.В., et al.
Published: (2012)
Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2009)
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2009)
Синонимия синтаксических структур во внешнеделовой терминологии
by: Созоник, О.В., et al.
Published: (2008)
by: Созоник, О.В., et al.
Published: (2008)
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2013)
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2013)
Природа и возможные механизмы образования потенциальных мутаций, возникающих при появлении тиминовых димеров после облучения двухцепочечной ДНК ультрафиолетовым светом
by: Гребнева, Е.А.
Published: (2002)
by: Гребнева, Е.А.
Published: (2002)
Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры
by: Абдулхаев, О.А., et al.
Published: (2018)
by: Абдулхаев, О.А., et al.
Published: (2018)
Стратегия ценообразования во внешнеэкономической деятельности предпринимательских структур
by: Жукова, А.В.
Published: (1999)
by: Жукова, А.В.
Published: (1999)
Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2014)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2014)
Физические явления в тонкобазовых транзисторных структурах
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2015)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2015)
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2009)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2009)
Об одном строгом методе оценки акустических свойств шумоподавляющих барьеров
by: Вовк, И.В., et al.
Published: (2004)
by: Вовк, И.В., et al.
Published: (2004)
Шумозащитные свойства барьеров, размещенных вдоль обеих сторон транспортной магистрали
by: Вовк, И.В., et al.
Published: (2010)
by: Вовк, И.В., et al.
Published: (2010)
Similar Items
-
Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2005) -
Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках
by: Гулямов, Г., et al.
Published: (2013) -
Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем
by: Pilipenko, V. A., et al.
Published: (2013) -
Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем
by: Пилипенко, В.А., et al.
Published: (2013) -
Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
by: Yodgorova, D. M., et al.
Published: (2005)