Зображення обкладинки

Исследование влияния потенциальных барьеров на механизмы токопереноса во встречновключенных двухбарьерных кремниевых структур

Приведены результаты исследования механизмов токопереноса кремниевой фотодиодной Au-nSi-Al-структуры в зависимости от общего напряжения и падающих на каждом переходе напряжений. Экспериментально установлено, что различие свойств встречновключенных потенциальных барьеров приводит к изменению полевых...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Физическая инженерия поверхности
Дата:	2011
Автори:	Абдулхаев, О.А., Асанова, Г.О., Ёдгорова, Д.М., Якубов, Э.Н., Каримов, А.В.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2011
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76898
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Исследование влияния потенциальных барьеров на механизмы токопереноса во встречновключенных двухбарьерных кремниевых структур / О.А. Абдулхаев, Г.О. Асанова, Д.М. Ёдгорова, Э.Н. Якубов, А.В. Каримов // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 3. — С. 262–268. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2005)

Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках
за авторством: Гулямов, Г., та інші
Опубліковано: (2013)

Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем
за авторством: Pilipenko, V. A., та інші
Опубліковано: (2013)

Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем
за авторством: Пилипенко, В.А., та інші
Опубліковано: (2013)

Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2005)

Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
за авторством: Smyntyna, V. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
за авторством: Смынтына, В.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Изменение потенциальных барьеров низкоразмерных тонких пленок p-CdTe в условиях внешних воздействий
за авторством: Алимов, Н.Э., та інші
Опубліковано: (2016)

Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p-n-m-структурах
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2006)

Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2005)

Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур
за авторством: Новосядлый, С.П.
Опубліковано: (1998)

Гигантское магнитосопротивление двухбарьерных магнитных туннельных переходов
за авторством: Белецкий, Н.Н., та інші
Опубліковано: (2010)

Терморегуляторные механизмы активации гематоэнцефалического и гематосаливарного барьеров при холодовом купировании стресс-индуцированных поражений пародонта
за авторством: Малышева, Г.В.
Опубліковано: (2005)

Применение поликристаллических диффузионных барьеров
за авторством: Цымбал, В.А., та інші
Опубліковано: (2010)

Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)

Механизм токопереноса в гетеропереходах p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si
за авторством: Юсупов, А., та інші
Опубліковано: (2016)

Система квантовых структур с алмазоподобным углеродным покрытием для кремниевых фотопреобразователей
за авторством: Ефимов, В.П., та інші
Опубліковано: (2010)

Влияние радиационно-индуцированных эффектов на радиационную стойкость кремниевых МОП-структур
за авторством: Гаджиев, Э.М., та інші
Опубліковано: (2001)

Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p–n–m-структурах
за авторством: Yodgorova, D. М., та інші
Опубліковано: (2006)

Исследование переходных процессов в кремниевой p⁺pn⁺-структуре
за авторством: Абдулхаев, О.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2013)

Исследование эффекта насыщения тока стока полевого транзистора с последовательно соединенными каналами
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)

Влияние цветного шума на время релаксации в туннельных двухбарьерных наноструктурах
за авторством: Ермаков, В.Н., та інші
Опубліковано: (2011)

Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах
за авторством: Рахматов, А.З., та інші
Опубліковано: (2012)

Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах
за авторством: Рахматов, А.З., та інші
Опубліковано: (2012)

Об одном методе повышения эффективности шумоподавляющих барьеров
за авторством: Вовк, И.В., та інші
Опубліковано: (2006)

Шумозащитные свойства барьеров, размещенных вдоль городской улицы
за авторством: Вовк, И.В., та інші
Опубліковано: (2012)

Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2009)

Синонимия синтаксических структур во внешнеделовой терминологии
за авторством: Созоник, О.В., та інші
Опубліковано: (2008)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2013)

Природа и возможные механизмы образования потенциальных мутаций, возникающих при появлении тиминовых димеров после облучения двухцепочечной ДНК ультрафиолетовым светом
за авторством: Гребнева, Е.А.
Опубліковано: (2002)

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры
за авторством: Абдулхаев, О.А., та інші
Опубліковано: (2018)

Стратегия ценообразования во внешнеэкономической деятельности предпринимательских структур
за авторством: Жукова, А.В.
Опубліковано: (1999)

Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2014)

Физические явления в тонкобазовых транзисторных структурах
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2015)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Механизмы формирования фуллереноподобных структур из плазмы при электродуговом распылении графита
за авторством: Панарин, В.Е., та інші
Опубліковано: (2009)

Об одном строгом методе оценки акустических свойств шумоподавляющих барьеров
за авторством: Вовк, И.В., та інші
Опубліковано: (2004)