Оптические свойства субмикронных пленок оксида кремния после высокотемпературной обработки

• Published in: Физическая инженерия поверхности
• Date: 2011
• Main Authors: Литвиненко, В.В., Родионов, В.Е., Родионова, Н.А., Шмидко, И.Н.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2011
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76937
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Оптические свойства субмикронных пленок оксида кремния после высокотемпературной обработки / В.В. Литвиненко, В.Е. Родионов, Н.А. Родионова, И.Н. Шмидко // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 4. — С. 346–349. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

В работе рассматривается влияние высокотемпературной обработки тонких (100 ÷ 500 нм) пленок оксида кремния на кремниевой подложке, полученных в вакууме методом электронно-лучевого испарения. Обнаружена структурная перестройка полученных тонких пленок SiOx и изменение их состава вплоть до SiO2 при высокотемпературной обработке. Показано, что смещение пика ИК поглощения прямо связано с количеством кислорода в оксиде кремния, полученном вакуумным электронно-лучевым испарением. У роботі розглядається вплив високотемпературної термообробки тонких (100 ÷ 500 нм) плівок оксиду кремнію на кремнієвій підкладці, отриманих у вакуумі методом електронно-променевого випару. Виявлена структурна перебудова отриманих тонких плівок SiOx і зміна їх складу аж до SiO2 при високотемпературній обробці. Показано, що зрушення піку ІЧ поглинання прямо пов’язано з кількістю кисню в оксиді кремнію, отриманому вакуумним електронно-променевим випаром. This paper consider the influence of high temperature treatment of thin (100 ÷ 500 nm) films of silicon oxide on a silicon substrate obtained in vacuum by electron-beam evaporation. Found restructuring of SiOx thin films and the change in composition up to SiO2 at high temperature treatment. It is shown that the shift of the peak IR absorbance is directly related to the amount of oxygen in silicon oxide, obtained by vacuum electron beam evaporation.