Двойникование в фуллеритовых пленках при ионном облучении аргоном

Экспериментально установлено радиационно-стимулированное двойникование в фуллеритовых пленках С₆₀ при облучении ионами аргона невысоких энергий и рассмотрен механизм бездислокационной пластической деформации фуллеритов двойникованием. Експериментально встановлено радіаційно-стимульоване двійникуванн...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Published in:	Физическая инженерия поверхности
Date:	2011
Main Authors:	Бажин, А.И., Троцан, А.Н., Чертопалов, С.В., Ступак, В.А.
Format:	Article
Language:	Russian
Published:	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2011
Online Access:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76987
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:	Двойникование в фуллеритовых пленках при ионном облучении аргоном / А.И. Бажин, А.Н. Троцан, С.В. Чертопалов, В.А. Ступак // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 4. — С. 357–362. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

_version_	1859776570674118656
author	Бажин, А.И. Троцан, А.Н. Чертопалов, С.В. Ступак, В.А.
author_facet	Бажин, А.И. Троцан, А.Н. Чертопалов, С.В. Ступак, В.А.
citation_txt	Двойникование в фуллеритовых пленках при ионном облучении аргоном / А.И. Бажин, А.Н. Троцан, С.В. Чертопалов, В.А. Ступак // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 4. — С. 357–362. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.
collection	DSpace DC
container_title	Физическая инженерия поверхности
description	Экспериментально установлено радиационно-стимулированное двойникование в фуллеритовых пленках С₆₀ при облучении ионами аргона невысоких энергий и рассмотрен механизм бездислокационной пластической деформации фуллеритов двойникованием. Експериментально встановлено радіаційно-стимульоване двійникування в фулеритових плівках С₆₀ при опроміненні іонами аргону невисоких енергій та розглянуто механізм бездислокаційної пластичної деформації фулеритів двійникуванням. In this paper the radiation-stimulated twinning in fullerite C₆₀ films irradiated with low energy (3 –4 keV) argon ions have been determined experimentally. The mechanism of dislocation-free plastic deformation leading to twinning has been considered.
first_indexed	2025-12-02T09:00:15Z
format	Article
fulltext	357 ВВЕДЕНИЕ Многофакторность воздействия ионных пуч- ков на материалы, наряду с особенностями их природы и строения, в частности, для мо- лекулярных кристаллов, усложняет изучение закономерностей формирования в их припо- верхностных слоях уникальных структурно- фазовых состояний, обеспечивающих изме- нение свойств. В отношении трансформации фуллеритовых пленок при ионном облучении накоплен большой экспериментальный мате- риал, касающийся, в основном, высокоэнер- гетичных тяжелых ионов [1 – 10], причем, единого мнения о механизме процессов, про- исходящих при облучении фуллеритовых пленок пока нет. В работе [1] на основании исследования дифракции электронов показано, что исход- ные пленки, богатые фуллереном С60, состоят из кристаллических и аморфных областей и при ионной имплантации при малой дозе 1⋅1016 Ar+ см–2 молекулы фуллеренов не рас- падаются. В работе [2] пленки С60 облучали тяжелыми ионами Хе с энергией 320 кэВ при дозах в диапазоне 1012 – 1016 см–2 и изучали зависимость сопротивления пленок от дозы облучения. Установив прыжковый механизм проводимости облученных пленок С60, ав- торы [2] сравнили полученную дозовую зави- симость проводимости с опубликованными аналогичными данными для облученных ал- маза и плавленного кварца и пришли к заклю- чению, что молекулы С60 при таком облуче- нии распадаются на шестьдесят отдельных атомов углерода. По их оценке энергия, пере- даваемая каждой молекуле С60 при тормо- жении одного иона Хе с энергией 320 кэВ, намного превышает энергию связи углерода в любой из известных его форм. В работе [3] с помощью спектроскопии комбинационного рассеяния изучены струк- турные изменения пленок С60, осажденных на кремниевые подложки и облученных ионами Н, Не, С и Аr с энергиями от 60 до 600 кэВ при дозах 1012 – 5⋅1016 см–2. При низ- ких дозах (2⋅1012 см–2) для всех типов ионов обнаружена полимеризация фуллеренов, ко- торую авторы [3] пояснили сильным возбуж- дением молекул С60 вследствие того, что боль- шая часть энергии тормозящегося иона пере- дается электронной подсистеме фуллерена. Когда потери энергии иона на электронное и ядерное торможение становятся соизмеримы- ми происходит и полимеризация, и аморфи- зация пленок. При высоких дозах облучения установлено доминирование аморфизации, которая, по мнению авторов работы [3], за- ключается в разрушении молекул С60 и обра- УДК 539.2; 538.975 ДВОЙНИКОВАНИЕ В ФУЛЛЕРИТОВЫХ ПЛЕНКАХ ПРИ ИОННОМ ОБЛУЧЕНИИ АРГОНОМ А.И. Бажин, А.Н. Троцан, С.В. Чертопалов, В.А. Ступак Донецкий национальный университет Украина Поступила в редакцию 31.10.2011 Экспериментально установлено радиационно-стимулированное двойникование в фуллерито- вых пленках С60 при облучении ионами аргона невысоких энергий и рассмотрен механизм бездислокационной пластической деформации фуллеритов двойникованием. Ключевые слова: фуллерен, ионное облучение, двойникование, аморфизация. Експериментально встановлено радіаційно-стимульоване двійникування в фулеритових плівках С60 при опроміненні іонами аргону невисоких енергій та розглянуто механізм бездислокаційної пластичної деформації фулеритів двійникуванням. Ключові слова: фулерен, іонне опромінення, двійникування, аморфізація. In this paper the radiation-stimulated twinning in fullerite C60 films irradiated with low energy (3 – 4 keV) argon ions have been determined experimentally. The mechanism of dislocation-free plastic deformation leading to twinning has been considered. Keywords: fullerene, ion irradiation, twinning, amorphization.  А.И. Бажин, А.Н. Троцан, С.В. Чертопалов, В.А. Ступак, 2011 ФІП ФИП PSE, 2011, т. 9, № 4, vol. 9, No. 4358 зовании слоя аморфного углерода. Полиме- ризация и аморфизация пленок С60 наблю- дались также и при облучении пленок ионами аргона с энергией менее 10 кэВ [9]. В работе [4] представлены результаты мо- делирования процессов повреждения и рас- пыления молекул фуллеренов ионами Аr и Кr с энергией 100 кэВ и тяжелыми ионами Вi с энергией 15 кэВ. Показано, что в основе этих процессов лежит основной механизм столк- новительной (ядерной) передачи энергии от ионов молекулам фуллерена, причем, в столк- новительном каскаде не все молекулы разру- шаются, а выжившие молекулы формируют фрактальную структуру. В работе [5] методом электронной спект- роскопии потерь энергии изучена аморфиза- ция тонких (200 нм) пленок С60 пучком ионов Аr с энергией 2 кэВ. Авторы не наблюдали полимеризации, обнаруженной в работе [3], а установили, что аморфизация протекает по- степенно. Они считают, что при первом вза- имодействии тормозящегося иона Аr с мо- лекулой С60 ей передается около 160 эВ при энергии связи молекулы С60 около 400 эВ. Поэтому возможно удаление атома углерода из молекулы, что может оставить ее в возбуж- денном и нестабильном состоянии, которое может привести к распаду молекулы. В работе [6] при облучении пленок С60 ионами Вi+ и N+ наблюдали одновременно распыление и уплотнение пленок. Показано, что разрушение молекул С60 идет через час- тичную фрагментацию, а стадия формирова- ния аморфного углерода наступает при боль- ших дозах облучения, выше 5⋅1014 см–2. В работе [7] установлено, что при облу- чении пленок С60 тяжелыми ионами Вi+ с энергией 170 кэВ при дозе 1011 см-2 разру- шается только около 10% молекул С60. При более высоких дозах и энергиях пленки амор- физуются и уплотняются разбившимися мо- лекулами. При облучении пленок С60 легки- ми ионами Не с энергией 30 кэВ [8] разруше- ние молекул С60 начинается при дозах более 1013 см–2 и завершается (100% разрушения) при дозе ∼ 1015 см–2. Превращение пленки в полностью аморфный слой было достигнуто при дозе 1016 см-2. Приняв во внимание, что энергия связи каждого атома углерода в мо- лекуле С60 составляет 7,4 эВ, а объем моле- кулы С60 – 700 D3, авторы [8] рассчитали, что энергия, необходимая для появления одно- го свободного атома углерода 10–2 эВ/D3. Ими установлено, что началу разрушения моле- кул С60 соответствует передача энергии в 5⋅10–3 эВ/D3, а полное разрушение молекул наступает при передаче 0,5 эВ/D3. Приведенный анализ публикаций [1 – 9], посвященных ионному облучению фуллери- тов С60 свидетельствует о том, что основное внимание уделялось воздействию тяжелых высокоэнергетичных частиц, вызывающих аморфизацию и полимеризацию фуллерита, значительно меньше внимания уделено воз- действию ионов невысоких энергий, а транс- формация тонкой структуры фуллерита оста- ется практически неизученной. В нашей ранней работе [10] при облучении аморфно-кристаллических пленок С60 иона- ми аргона невысоких энергий (3 – 4 кэВ) при дозах облучения 1014 – 1015 см–2 установлено повышение доли аморфной составляющей на 3 – 5% и значительная трансформация тонкой структуры кристаллической составляющей пленок вследствие повышения дефектности. Настоящая работа посвящена исследова- нию основных закономерностей и механиз- мов формирования деформационных двойни- ков в фуллеритовых пленках C60 при облуче- нии ионами аргона невысоких энергий (3 – 4 кэВ). ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ МЕТОДИКА Пленки С60 получали термическим испаре- нием при 460 °С очищенной фуллерито- вой сажи в установке ВУП-5М при давлении 5⋅10–5 Торр на нагретые до 160° свежесколо- тые в воздухе кристаллы NaCl и пластины ти- тана. Скорость осаждения фуллерита С60 сос- тавляла 0.5 нм/мин. Полученные пленки име- ли толщину 30 – 90 нм. Облучение композитов С60-подложка осу- ществляли в вакуумной камере, где поддер- живали давление 5⋅10–6 Торр при помощи маг- ниторазрядного насоса. Пучок ускоренных ионов аргона, сформированный с помощью газоразрядного высокочастотного источника, направляли нормально к поверхности в слу- чае композита С60/NaCl и под углом 30° в слу- ДВОЙНИКОВАНИЕ В ФУЛЛЕРИТОВЫХ ПЛЕНКАХ ПРИ ИОННОМ ОБЛУЧЕНИИ АРГОНОМ 359 чае С60/Ti. Энергия ионов 3 – 4 кэВ, доза облу- чения 1014 – 1015 ион⋅cм–2. Рентгенографичес- кие исследования композитов проводили с помощью дифрактометра ДРОН-4-07, а электронно-оптические исследования пленок С60 – с помощью электронного микроскопа УЭМВ-100ЛМ. Пленки фуллерита отделяли от подложки NaCl погружением пакетов в дистиллированную воду, а от титана – элект- рохимическим методом в 0.4% водном раст- воре плавиковой кислоты. РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ Проведенными исследованиями установлено, что исходные пленки фуллерита являются аморфно-кристаллическими, а их облучение изменяет как микроструктуру пленок, так и субструктуру кристаллической составляю- щей. Соотношение аморфной и кристалли- ческой структурных составляющих в исход- ных пленках, определенное по соотношению площадей, занимаемых каждой из них, зави- сит от типа подложки. Доля аморфной сос- тавляющей пленок на NaCl составляет –10%, а на титане –17%. Кристаллические островки пленок С60 имеют ГЦК-решетку с параметром а = 1.427 ± 0.005 нм на NaCl и а = 1.437 ± 0.005 нм на титане. Облучение пленок ионами аргона с энер- гией 4 кэВ при дозе 1018 ион⋅м–2 не изменяет типа решетки С60, но незначительно повыша- ет ее параметр, вызывает дробление кристал- литов на блоки и азимутальную разориенти- ровку этих блоков, что проявляется в измене- нии характера дифракционной картины, кро- ме того, изменяется соотношение аморфной и кристаллической составляющей фуллери- товой плёнки (рис. 1а, б). Доля аморфной составляющей увеличивается до 15 – 22% в основном за счет областей, прилегающих к границам кристаллов. Дислокационная структура облученной пленки С60 усложняется вследствие расще- пления полных дислокаций на частичные с образованием растянутых узлов сетки, в ко- торых наблюдаются дефекты упаковки. Плот- ность дислокаций возрастает почти на два порядка. Наблюдаемые муаровые картины не содержат лишних полулиний, а лишь искрив- ляются и сдвигаются, что свидетельствует о расположении дислокаций в плоскости, па- раллельной поверхности пленки. В пленках С60, сформировавшихся на Ti, облучение приводит к образованию призма- тических дислокационных петель внедрения. На изображении наиболее крупных петель виден полосчатый контраст, характерный для дефектов упаковки. Наряду с дислокацион- ными петлями в облученных пленках наблю- даются мелкие поры, которые могут быть следствием коагуляции вакансий. Крупные поры, формирующиеся при росте пленки С60, углубляются, что проявляется в увеличении числа экстинкционных полос на изображе- нии их краев. Рис. 1. Морфология исходной (а) и облученной (б) пле- нок С60, полученных на титановой подложке. а) б) А.И. БАЖИН, А.Н. ТРОЦАН, С.В. ЧЕРТОПАЛОВ, В.А. СТУПАК ФІП ФИП PSE, 2011, т. 9, № 4, vol. 9, No. 4 ФІП ФИП PSE, 2011, т. 9, № 4, vol. 9, No. 4360 Установлено, что в кристаллитах, ориенти- рованных (110) С60\|\|(001) NaCl, облучение вы- зывает двойникование, проявляющееся в на- личии на микроэлектронограммах тяжей вдоль направлений <111> (рис. 2а). Появле- ние таких тяжей свидетельствует о том, что двойникование происходит в узких областях, по расположенной перпендикулярно поверх- ности пленки плоскости (111), след которой четко виден на электронно-микроскопичес- ком снимке (рис. 2б). Тонкие пластинки двой- ников, чередуясь с прослойками матрицы С60, образуют многослойные пакеты. Согласно [13], такие тонкие двойниковые прослойки представляют собой непрерывный пакет де- фектов упаковки. Следовательно, двойнико- вание С60 при облучении ионами аргона с энергией 4 кэВ – это результат накопления дефектов упаковки. Каждый дефект упаковки производит смещение слоя на а/3 [111], а по- следовательность введенных облучением де- фектов упаковки вызывает сдвиг в кристал- лите, эквивалентный механическому двойни- кованию. Механизм радиационно-стимулирован- ного двойникования может заключаться в следующем. При ионном облучении в им- плантируемом слое увеличивается концент- рация внедренных ионов. За счет диффузии концентрация внедренных ионов уменьша- ется, так что устанавливается некоторая ста- ционарная концентрация внедренных ионов. Из-за наличия этих внедренных ионов аргона происходит расширение решетки, вызываю- щее двухосное напряженное состояние. По оценкам, приведенным в работе [11], вели- чина двухосного напряжения сжатия, возни- кающего при ионной имплантации, состав- ляет: 3 3 IhbE D σ ≈ , где E – модуль Юнга; I – интенсивность потока ионов [м–2⋅с–1]; h – глубина проективного пробега; b – меж- атомное расстояние; D – коэффициент диф- фузии. Оценим величину возникающих напряже- ний. При значениях коэффициента диффузии внедренных ионов при температуре облуче- ния около 800 К, D ≈ 10–16 – 10–17 м/с, интен- сивности потока I ≈ 1018 м–2⋅с–1, глубине про- ективного пробега h ≈ 10 нм и b = 0.5 нм на- пряжение сжатия составит около (10–3 – 10–2) E – (модуль Юнга фуллерита С60 E = 12 ГПа [12]). Такое напряжение превышает предел текучести для фуллерита С60 (σT = 2.65 МПа [13]) и происходит пластическая деформация фуллерита. Особенностью этой пластической дефор- мации является то, что она происходит в сте- сненных условиях, в области проективного пробега h и в тонком слое за областью имп- лантации, толщина которого порядка h, т.е. толщина деформируемого слоя оказывается меньше размера области, необходимого для образования дислокации. Поэтому радиа- ционно-стимулированная пластическая де- формация фуллерита может происходить по бездислокационному механизму. Она связана а) б) Рис. 2. Микроэлектронограмма (а) и электронно-мик- роскопическое изображение двойников (б) плёнки фуллерита С60, осаждённой на NaCl. ДВОЙНИКОВАНИЕ В ФУЛЛЕРИТОВЫХ ПЛЕНКАХ ПРИ ИОННОМ ОБЛУЧЕНИИ АРГОНОМ 361 с образованием двумерных дефектов (дефек- тов упаковки, двойниковых границ, плос- кости сдвига и т.п.). Двойник зарождается не- ограниченным расширением дефекта упа- ковки под напряжением. Таким образом, двойникование в фуллери- товых пленках С60 при облучении ионами ар- гона с энергиями ≤4 кэВ протекает как ре- зультат радиационно-стимулированной плас- тической деформации фуллерита по безди- слокационному механизму. Данная работа выполнялась в рамках про- екта ГФФИ Ф38/356-2011. ЛИТЕРАТУРА 1. Gupta В.К., Bhushan В., Сарр С., Voe J.V. Ma- terials characterization and effect of purity and ion implantation on the friction and wear of sub- limed fullerene films//J. Mater. Res. – 1994. – Vol. 9, № 11. – P. 2823-2838. 2. Kalish R., Samoiloff A., Hoffman A., Uzan-Sa- guy C., McCulloch D., Prawer S. Disintegration of C60 by heavy-ion irradiation//Phys. Rev. B. – 1993. – Vol. 48, № 24. – P. 18235-18238. 3. Palmetshofer L., Kastner J. Ion bombardment of C60: Raman study of amorphization and polyme- rization//Nucl. Instr. and Meth. B. – 1995. – Vol. 96. – P. 343-346. 4. Fink D., Klett R., Syimkowiak P., Kastner J., Pal- metshofer L., Chadderton L.T., Wang L., Kuz- many H. Ion beam radiation damage of thin ful- lerene films//Nucl. Instr. and Meth. B. – 1996. – Vol. 108, № 1-2. – P. 114-124. 5. Hoffman A., Prawer S., P.J.K. Paterson. An EELS study of the effect of 2 keV Ar+ ion irra- diation on thin C60 films//Surf. Sci. – 1996. – Vol. 352-354. – P. 374-378. 6. Zawislak F.C., Behar M., Fink D., Grande P.L., da Jornada J.A.H., Kaschny J.R. Very large sput- tering yields of ion irradiated C60 films//Phys. Lett. A. – 1997. – Vol. 226. – P. 217-222. 7. Foerster С.Е., Lepienski С.М., Serbena Р.С, Za- wislak F.C Ion irrаdiаtiоn hardening of С60 thin films//Thin Solid Films. – 1999. – Vol. 340. – Р. 201-204. 8. Foerster С.Е., Serbena Р.С., Lepienski С.М., Baptista D.L., Zawislak F.C. The effect of fluen- ce on the hardening of C60 films irradiated with He and N ions//Nuclear Instruments and Me- thods in Physics Research. – 1999. – Vol. B148. – P.634-638. 9. Сошников И.П., Лунев А.В., Гаевский М.Э., Роткина Л.Г., Барченко В.Т. Особенности распыления фуллереновых пленок C60 при бомбардировке ионами и атомами аргона с энергией 0.1 – 1 keV//ЖТФ. – 2000.– Т. 70, Вып. 6. – С. 98-101. 10. Бажин А.И., Троцан А.Н., Лазаренко С.В., Чер- топалов С.В., Миникаев Р.А., Шалимов А.В. Трансформация фуллеритовых пленок С60 при облучении ионами аргона невысоких энергий//Известия академии наук. Серия фи- зическая. – 2002. – Т. 66, № 7. – С. 1019-1022. 11. Штремель М.А. Прочность сплавов. Ч.ІІ. Де- формация. – М.: МИСиС, 1997. – 527 с. 12. Солонин Ю.М., Горбань В.Ф., Грайворонс- кая Е.А. Получение структуры и определение механических свойств монокристаллов фул- лерита С60//Доповіді національної академії наук України. – 2008. – № 4. – С. 114-119. 13. Лубенец С.В., Фоменко Л.С., Изотов А.Н., Ни- колаев Р.К., Осипьян Ю.А., Сидоров Н.С. Спайность кристаллов фуллерита С60//ФТТ. – 2005. – Т. 47, Вып. 5. – С. 865-869. LITERATURA 1. Gupta V.K., Bhushan V., Sarr S., Voe J.V. Ma- terials characterization and effect of purity and ion implantation on the friction and wear of sub- limed fullerene films//J. Mater. Res. – 1994. – Vol. 9, № 11. – P. 2823-2838. 2. Kalish R., Samoiloff A., Hoffman A., Uzan-Sa- guy C., McCulloch D., Prawer S. Disintegration of C60 by heavy-ion irradiation//Phys. Rev. B. – 1993. – Vol. 48, № 24. – P. 18235-18238. 3. Palmetshofer L., Kastner J. Ion bombardment of C60: Raman study of amorphization and polyme- rization//Nucl. Instr. and Meth. B. – 1995. – Vol. 96. – P. 343-346. 4. Fink D., Klett R., Syimkowiak P., Kastner J., Pal- metshofer L., Chadderton L.T., Wang L., Kuz- many H. Ion beam radiation damage of thin ful- lerene films//Nucl. Instr. and Meth. B. – 1996. – Vol. 108, № 1-2. – P. 114-124. 5. Hoffman A., Prawer S., P.J.K. Paterson. An EELS study of the effect of 2 keV Ar+ ion irra- diation on thin C60 films//Surf. Sci. – 1996. – Vol. 352-354. – P. 374-378. 6. Zawislak F.C., Behar M., Fink D., Grande P.L., da Jornada J.A.H., Kaschny J.R. Very large sput- tering yields of ion irradiated C60 films//Phys. Lett. A. – 1997. – Vol. 226. – P. 217-222. 7. Foerster S.E., Lepienski S.M., Serbena R.S, Za- wislak F.C Ion irradiation hardening of S60 thin А.И. БАЖИН, А.Н. ТРОЦАН, С.В. ЧЕРТОПАЛОВ, В.А. СТУПАК ФІП ФИП PSE, 2011, т. 9, № 4, vol. 9, No. 4 ФІП ФИП PSE, 2011, т. 9, № 4, vol. 9, No. 4362 ДВОЙНИКОВАНИЕ В ФУЛЛЕРИТОВЫХ ПЛЕНКАХ ПРИ ИОННОМ ОБЛУЧЕНИИ АРГОНОМ films//Thin Solid Films. – 1999. – Vol. 340. – P. 201-204. 8. Foerster S.E., Serbena R.S., Lepienski S.M., Baptista D.L., Zawislak F.C. The effect of fluen- ce on the hardening of C60 films irradiated with He and N ions//Nuclear Instruments and Me- thods in Physics Research. – 1999. – Vol. B148. – P. 634-638. 9. Soshnikov I.P., Lunev A.V., Gayevskiy M.E., Rotkina L.G., Barchenko V.T. Osobennosti ras- pyleniya fullerenovykh plenok C60 pri bom- bardirovke ionami i atomami argona s energiyey 0.1 – 1 keV//ZhTF. – 2000.– T. 70, Vyp. 6. – S. 98-101. 10. Bazhin A.I., Trotsan A.N., Lazarenko S.V., Cher- topalov S.V., Minikayev R.A., Shalimov A.V. Transformatsiya fulleritovykh plenok C60 pri obluchenii ionami argona nevysokikh ener-giy// Izvestiya akademii nauk. Seriya fizicheskaya. – 2002. – T. 66, № 7. – S. 1019-1022. 11. Shtremel M.A. Prochnost splavov. Ch. ІІ. De- formatsiya. – M.: MISiS, 1997. – 527 s. 12. Solonin Yu.M., Gorban V.F., Grayvorons- kaya Ye.A. Polucheniye struktury i opredeleniye mekhanicheskikh svoystv monokristallov fulle- rita C60//Dopovіdі natsіonalnoї akademії nauk Ukraїni. – 2008. – № 4. – S. 114-119. 13. Lubenets S.V., Fomenko L.S., Izotov A.N., Ni- kolayev R.K., Osipyan Yu.A., Sidorov N.S. Spaynost kristallov fullerita S60//FTT. – 2005. – T. 47, Vyp. 5. – S. 865-869.
id	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-76987
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn	1999-8074
language	Russian
last_indexed	2025-12-02T09:00:15Z
publishDate	2011
publisher	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
record_format	dspace
spelling	Бажин, А.И. Троцан, А.Н. Чертопалов, С.В. Ступак, В.А. 2015-02-14T17:25:11Z 2015-02-14T17:25:11Z 2011 Двойникование в фуллеритовых пленках при ионном облучении аргоном / А.И. Бажин, А.Н. Троцан, С.В. Чертопалов, В.А. Ступак // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 4. — С. 357–362. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76987 539.2; 538.975 Экспериментально установлено радиационно-стимулированное двойникование в фуллеритовых пленках С₆₀ при облучении ионами аргона невысоких энергий и рассмотрен механизм бездислокационной пластической деформации фуллеритов двойникованием. Експериментально встановлено радіаційно-стимульоване двійникування в фулеритових плівках С₆₀ при опроміненні іонами аргону невисоких енергій та розглянуто механізм бездислокаційної пластичної деформації фулеритів двійникуванням. In this paper the radiation-stimulated twinning in fullerite C₆₀ films irradiated with low energy (3 –4 keV) argon ions have been determined experimentally. The mechanism of dislocation-free plastic deformation leading to twinning has been considered. Данная работа выполнялась в рамках проекта ГФФИ Ф38/356-2011. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Двойникование в фуллеритовых пленках при ионном облучении аргоном Article published earlier
spellingShingle	Двойникование в фуллеритовых пленках при ионном облучении аргоном Бажин, А.И. Троцан, А.Н. Чертопалов, С.В. Ступак, В.А.
title	Двойникование в фуллеритовых пленках при ионном облучении аргоном
title_full	Двойникование в фуллеритовых пленках при ионном облучении аргоном
title_fullStr	Двойникование в фуллеритовых пленках при ионном облучении аргоном
title_full_unstemmed	Двойникование в фуллеритовых пленках при ионном облучении аргоном
title_short	Двойникование в фуллеритовых пленках при ионном облучении аргоном
title_sort	двойникование в фуллеритовых пленках при ионном облучении аргоном
url	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76987
work_keys_str_mv	AT bažinai dvoinikovanievfulleritovyhplenkahpriionnomoblučeniiargonom AT trocanan dvoinikovanievfulleritovyhplenkahpriionnomoblučeniiargonom AT čertopalovsv dvoinikovanievfulleritovyhplenkahpriionnomoblučeniiargonom AT stupakva dvoinikovanievfulleritovyhplenkahpriionnomoblučeniiargonom

Двойникование в фуллеритовых пленках при ионном облучении аргоном

Institution

Similar Items