Buchumschlag

Modeling the mechanism of interaction of defects is in CeO2-x at high temperatures in air

The consequent of mathematical models with elements of theory probability and experimental results, calculations permitted to determinate the energy formation of: anion vacancies (uв∼0.9 eV), border and screw dislocations (u⊥∼ 1.67 eV; us ∼ 2.08 eV), and the energy of movement point defects (ud∼ 1.8...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Физическая инженерия поверхности
Datum:	2011
1. Verfasser:	Solovyova, A.E.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2011
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76998
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Modeling the mechanism of interaction of defects is in CeO2-x at high temperatures in air / A.E. Solovyova // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 4. — С. 369–375. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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