Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами
Рассматриваются импедансные характеристики диодов, в которых при определенных напряжениях возникает отрицательная дифференциальная проводимость (ОДП) вследствие туннелирования или резонансного туннелирования электронов через боковые грани диода, которая может быть использована для генераци...
Saved in:
| Published in: | Радіофізика та електроніка |
|---|---|
| Date: | 2011 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2011
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78041 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Клименко // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 1. — С. 54-57. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1859779320492326912 |
|---|---|
| author | Прохоров, Э.Д. Боцула, О.В. Клименко, О.А. |
| author_facet | Прохоров, Э.Д. Боцула, О.В. Клименко, О.А. |
| citation_txt | Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Клименко // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 1. — С. 54-57. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Радіофізика та електроніка |
| description | Рассматриваются импедансные характеристики диодов, в которых при определенных напряжениях возникает отрицательная дифференциальная проводимость (ОДП) вследствие туннелирования или резонансного туннелирования электронов через
боковые грани диода, которая может быть использована для генерации, усиления, умножения. Определяются зависимости активной и реактивной составляющих импеданса диода с туннельными и резонансно-туннельными границами для реальных параметров
диодов. Показано, что предельная частота ОДП диода находится в терагерцевом диапазоне и зависит от его параметров.
The impedance characteristics diodes having negative
differential conductivity (NDC) in result of tunneling or resonance
tunneling electron across diode lateral are considered. This NDC
can be used for generation, amplifier and multiplication. The active
and reactive parts of impedance versus frequency for real diode
parameters are determined. It is shown that limiting frequency of
NDC diode is corresponded to THz range and depends on diode
parameters.
Розглядаються імпедансні характеристики діодів, у
яких при зазначених напругах виникає негативна диференціальна провідність (НДП) внаслідок тунелювання або резонансного тунелювання електронів крізь бокові грані діода,
яка може бути використана для генерації, посилення, помноження частоти. Визначено залежності активної та реактивної складових імпеданса діода з тунельними і резонансно-
тунельними межами для реальних параметрів діодов. Показано, що гранична частота НДП діода знаходиться в терагерцевому діапазоні і залежить від його параметрів.
|
| first_indexed | 2025-12-02T09:40:14Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-78041 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1028-821X |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-02T09:40:14Z |
| publishDate | 2011 |
| publisher | Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Прохоров, Э.Д. Боцула, О.В. Клименко, О.А. 2015-03-10T16:44:34Z 2015-03-10T16:44:34Z 2011 Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Клименко // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 1. — С. 54-57. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 1028-821X https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78041 621.382.2.029.64 Рассматриваются импедансные характеристики диодов, в которых при определенных напряжениях возникает отрицательная дифференциальная проводимость (ОДП) вследствие туннелирования или резонансного туннелирования электронов через боковые грани диода, которая может быть использована для генерации, усиления, умножения. Определяются зависимости активной и реактивной составляющих импеданса диода с туннельными и резонансно-туннельными границами для реальных параметров диодов. Показано, что предельная частота ОДП диода находится в терагерцевом диапазоне и зависит от его параметров. The impedance characteristics diodes having negative differential conductivity (NDC) in result of tunneling or resonance tunneling electron across diode lateral are considered. This NDC can be used for generation, amplifier and multiplication. The active and reactive parts of impedance versus frequency for real diode parameters are determined. It is shown that limiting frequency of NDC diode is corresponded to THz range and depends on diode parameters. Розглядаються імпедансні характеристики діодів, у яких при зазначених напругах виникає негативна диференціальна провідність (НДП) внаслідок тунелювання або резонансного тунелювання електронів крізь бокові грані діода, яка може бути використана для генерації, посилення, помноження частоти. Визначено залежності активної та реактивної складових імпеданса діода з тунельними і резонансно- тунельними межами для реальних параметрів діодов. Показано, що гранична частота НДП діода знаходиться в терагерцевому діапазоні і залежить від його параметрів. ru Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України Радіофізика та електроніка Вакуумна та твердотільна електроніка Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами Impedance charactepastics of diodes wish tunnel and resonance-tunnel borders Імпедансні характеристики діодів з тунельними і резонасно-тунельними межами Article published earlier |
| spellingShingle | Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами Прохоров, Э.Д. Боцула, О.В. Клименко, О.А. Вакуумна та твердотільна електроніка |
| title | Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами |
| title_alt | Impedance charactepastics of diodes wish tunnel and resonance-tunnel borders Імпедансні характеристики діодів з тунельними і резонасно-тунельними межами |
| title_full | Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами |
| title_fullStr | Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами |
| title_full_unstemmed | Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами |
| title_short | Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами |
| title_sort | импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами |
| topic | Вакуумна та твердотільна електроніка |
| topic_facet | Вакуумна та твердотільна електроніка |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78041 |
| work_keys_str_mv | AT prohorovéd impedansnyeharakteristikidiodastunnelʹnymiirezonansnotunnelʹnymigranicami AT boculaov impedansnyeharakteristikidiodastunnelʹnymiirezonansnotunnelʹnymigranicami AT klimenkooa impedansnyeharakteristikidiodastunnelʹnymiirezonansnotunnelʹnymigranicami AT prohorovéd impedancecharactepasticsofdiodeswishtunnelandresonancetunnelborders AT boculaov impedancecharactepasticsofdiodeswishtunnelandresonancetunnelborders AT klimenkooa impedancecharactepasticsofdiodeswishtunnelandresonancetunnelborders AT prohorovéd ímpedansníharakteristikidíodívztunelʹnimiírezonasnotunelʹnimimežami AT boculaov ímpedansníharakteristikidíodívztunelʹnimiírezonasnotunelʹnimimežami AT klimenkooa ímpedansníharakteristikidíodívztunelʹnimiírezonasnotunelʹnimimežami |