Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами

Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами

Рассматриваются импедансные характеристики диодов, в которых при определенных напряжениях возникает отрицательная дифференциальная проводимость (ОДП) вследствие туннелирования или резонансного туннелирования электронов через боковые грани диода, которая может быть использована для генераци...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Радіофізика та електроніка
Дата:2011
Автори: Прохоров, Э.Д., Боцула, О.В., Клименко, О.А.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2011
Теми:
Вакуумна та твердотільна електроніка
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78041
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Клименко // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 1. — С. 54-57. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-78041
record_format dspace
spelling Прохоров, Э.Д.
Боцула, О.В.
Клименко, О.А.
2015-03-10T16:44:34Z
2015-03-10T16:44:34Z
2011
Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Клименко // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 1. — С. 54-57. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
1028-821X
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78041
621.382.2.029.64
Рассматриваются импедансные характеристики диодов, в которых при определенных напряжениях возникает отрицательная дифференциальная проводимость (ОДП) вследствие туннелирования или резонансного туннелирования электронов через боковые грани диода, которая может быть использована для генерации, усиления, умножения. Определяются зависимости активной и реактивной составляющих импеданса диода с туннельными и резонансно-туннельными границами для реальных параметров диодов. Показано, что предельная частота ОДП диода находится в терагерцевом диапазоне и зависит от его параметров.
The impedance characteristics diodes having negative differential conductivity (NDC) in result of tunneling or resonance tunneling electron across diode lateral are considered. This NDC can be used for generation, amplifier and multiplication. The active and reactive parts of impedance versus frequency for real diode parameters are determined. It is shown that limiting frequency of NDC diode is corresponded to THz range and depends on diode parameters.
Розглядаються імпедансні характеристики діодів, у яких при зазначених напругах виникає негативна диференціальна провідність (НДП) внаслідок тунелювання або резонансного тунелювання електронів крізь бокові грані діода, яка може бути використана для генерації, посилення, помноження частоти. Визначено залежності активної та реактивної складових імпеданса діода з тунельними і резонансно- тунельними межами для реальних параметрів діодов. Показано, що гранична частота НДП діода знаходиться в терагерцевому діапазоні і залежить від його параметрів.
ru
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
Радіофізика та електроніка
Вакуумна та твердотільна електроніка
Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами
Impedance charactepastics of diodes wish tunnel and resonance-tunnel borders
Імпедансні характеристики діодів з тунельними і резонасно-тунельними межами
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами
spellingShingle Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами
Прохоров, Э.Д.
Боцула, О.В.
Клименко, О.А.
Вакуумна та твердотільна електроніка
title_short Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами
title_full Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами
title_fullStr Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами
title_full_unstemmed Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами
title_sort импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами
author Прохоров, Э.Д.
Боцула, О.В.
Клименко, О.А.
author_facet Прохоров, Э.Д.
Боцула, О.В.
Клименко, О.А.
topic Вакуумна та твердотільна електроніка
topic_facet Вакуумна та твердотільна електроніка
publishDate 2011
language Russian
container_title Радіофізика та електроніка
publisher Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
format Article
title_alt Impedance charactepastics of diodes wish tunnel and resonance-tunnel borders
Імпедансні характеристики діодів з тунельними і резонасно-тунельними межами
description Рассматриваются импедансные характеристики диодов, в которых при определенных напряжениях возникает отрицательная дифференциальная проводимость (ОДП) вследствие туннелирования или резонансного туннелирования электронов через боковые грани диода, которая может быть использована для генерации, усиления, умножения. Определяются зависимости активной и реактивной составляющих импеданса диода с туннельными и резонансно-туннельными границами для реальных параметров диодов. Показано, что предельная частота ОДП диода находится в терагерцевом диапазоне и зависит от его параметров. The impedance characteristics diodes having negative differential conductivity (NDC) in result of tunneling or resonance tunneling electron across diode lateral are considered. This NDC can be used for generation, amplifier and multiplication. The active and reactive parts of impedance versus frequency for real diode parameters are determined. It is shown that limiting frequency of NDC diode is corresponded to THz range and depends on diode parameters. Розглядаються імпедансні характеристики діодів, у яких при зазначених напругах виникає негативна диференціальна провідність (НДП) внаслідок тунелювання або резонансного тунелювання електронів крізь бокові грані діода, яка може бути використана для генерації, посилення, помноження частоти. Визначено залежності активної та реактивної складових імпеданса діода з тунельними і резонансно- тунельними межами для реальних параметрів діодов. Показано, що гранична частота НДП діода знаходиться в терагерцевому діапазоні і залежить від його параметрів.
issn 1028-821X
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78041
citation_txt Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Клименко // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 1. — С. 54-57. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT prohorovéd impedansnyeharakteristikidiodastunnelʹnymiirezonansnotunnelʹnymigranicami
AT boculaov impedansnyeharakteristikidiodastunnelʹnymiirezonansnotunnelʹnymigranicami
AT klimenkooa impedansnyeharakteristikidiodastunnelʹnymiirezonansnotunnelʹnymigranicami
AT prohorovéd impedancecharactepasticsofdiodeswishtunnelandresonancetunnelborders
AT boculaov impedancecharactepasticsofdiodeswishtunnelandresonancetunnelborders
AT klimenkooa impedancecharactepasticsofdiodeswishtunnelandresonancetunnelborders
AT prohorovéd ímpedansníharakteristikidíodívztunelʹnimiírezonasnotunelʹnimimežami
AT boculaov ímpedansníharakteristikidíodívztunelʹnimiírezonasnotunelʹnimimežami
AT klimenkooa ímpedansníharakteristikidíodívztunelʹnimiírezonasnotunelʹnimimežami
first_indexed 2025-12-02T09:40:14Z
last_indexed 2025-12-02T09:40:14Z
_version_ 1850862126484160512

Схожі ресурси