Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами

• Datum: 2011
• Hauptverfasser: Прохоров, Э.Д., Боцула, О.В., Клименко, О.А.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2011
• Schriftenreihe: Радіофізика та електроніка
• Schlagworte: Вакуумна та твердотільна електроніка
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78041
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Клименко // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 1. — С. 54-57. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Рассматриваются импедансные характеристики диодов, в которых при определенных напряжениях возникает отрицательная дифференциальная проводимость (ОДП) вследствие туннелирования или резонансного туннелирования электронов через боковые грани диода, которая может быть использована для генераци...