Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами
Рассматриваются импедансные характеристики диодов, в которых при определенных напряжениях возникает отрицательная дифференциальная проводимость (ОДП) вследствие туннелирования или резонансного туннелирования электронов через боковые грани диода, которая может быть использована для генераци...
Saved in:
| Date: | 2011 |
|---|---|
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2011
|
| Series: | Радіофізика та електроніка |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78041 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Клименко // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 1. — С. 54-57. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |