Стороженко, И., & Аркуша, Ю. (2011). Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN. Радіофізика та електроніка.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Стороженко, И.П, та Ю.В Аркуша. "Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN." Радіофізика та електроніка 2011.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Стороженко, И.П, та Ю.В Аркуша. "Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN." Радіофізика та електроніка, 2011.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.