Стороженко, И., & Аркуша, Ю. (2011). Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN. Радіофізика та електроніка.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Стороженко, И.П, und Ю.В Аркуша. "Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN." Радіофізика та електроніка 2011.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Стороженко, И.П, und Ю.В Аркуша. "Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN." Радіофізика та електроніка, 2011.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.