Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN

• Опубліковано в: : Радіофізика та електроніка
• Дата: 2011
• Автори: Стороженко, И.П., Аркуша, Ю.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2011
• Теми: Вакуумна та твердотільна електроніка
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78042
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN / И.П. Стороженко, Ю.В. Аркуша // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 1. — С. 58-63. — Бібліогр.:19 назв. — рос.

Представлен анализ транспортных свойств, идеализированного режима c ограничением накопления объемного заряда и резонансно-пролетного режима в n⁺–n–n⁺ и n⁺–n⁺–n⁻–n–n⁺-диодах Ганна на основе GaN, AlN и InN. Показаны перспективность, особенности и проблемы использования полупроводниковых нитридов в диодах Ганна. Properties transfer, idealized limited space-charge accumulation mode and resonance transit-time mode of the GaN, AlN, InN n⁺–n–n⁺ and n⁺–n⁺–n⁻–n–n⁺ Gunn diodes were studied. Prospects, peculiarities and problems of nitride semiconductors in Gunn diodes are represented. Подано аналіз транспортних властивостей, ідеалізованого режиму з обмеженням об’ємного заряду і резонансно-прольотного режиму n⁺–n–n⁺ та n⁺–n⁺–n⁻–n–n⁺-діодів Ганна на основі GaN, AlN та InN. Показано перспективність, особливості і проблеми використання напівпровідникових нітридів у діодах Ганна.