Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN
Представлен анализ транспортных свойств, идеализированного режима c ограничением накопления объемного заряда и 
 резонансно-пролетного режима в n⁺–n–n⁺ и n⁺–n⁺–n⁻–n–n⁺-диодах Ганна на основе GaN, AlN и InN. Показаны перспективность, 
 особенности и проблемы использования полупровод...
Saved in:
| Published in: | Радіофізика та електроніка |
|---|---|
| Date: | 2011 |
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2011
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78042 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN / И.П. Стороженко, Ю.В. Аркуша // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 1. — С. 58-63. — Бібліогр.:19 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862617997962641408 |
|---|---|
| author | Стороженко, И.П. Аркуша, Ю.В. |
| author_facet | Стороженко, И.П. Аркуша, Ю.В. |
| citation_txt | Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN / И.П. Стороженко, Ю.В. Аркуша // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 1. — С. 58-63. — Бібліогр.:19 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Радіофізика та електроніка |
| description | Представлен анализ транспортных свойств, идеализированного режима c ограничением накопления объемного заряда и 
резонансно-пролетного режима в n⁺–n–n⁺ и n⁺–n⁺–n⁻–n–n⁺-диодах Ганна на основе GaN, AlN и InN. Показаны перспективность, 
особенности и проблемы использования полупроводниковых нитридов в диодах Ганна.
Properties transfer, idealized limited space-charge accumulation mode and resonance transit-time mode of the GaN, 
AlN, InN n⁺–n–n⁺ and n⁺–n⁺–n⁻–n–n⁺ Gunn diodes were studied. 
Prospects, peculiarities and problems of nitride semiconductors in 
Gunn diodes are represented.
Подано аналіз транспортних властивостей, ідеалізованого режиму з обмеженням об’ємного заряду і резонансно-прольотного режиму n⁺–n–n⁺ та n⁺–n⁺–n⁻–n–n⁺-діодів Ганна на основі GaN, AlN та InN. Показано перспективність, особливості і проблеми використання напівпровідникових нітридів у діодах Ганна.
|
| first_indexed | 2025-12-07T13:13:30Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-78042 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1028-821X |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T13:13:30Z |
| publishDate | 2011 |
| publisher | Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Стороженко, И.П. Аркуша, Ю.В. 2015-03-10T16:59:01Z 2015-03-10T16:59:01Z 2011 Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN / И.П. Стороженко, Ю.В. Аркуша // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 1. — С. 58-63. — Бібліогр.:19 назв. — рос. 1028-821X https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78042 621.382.2 Представлен анализ транспортных свойств, идеализированного режима c ограничением накопления объемного заряда и 
 резонансно-пролетного режима в n⁺–n–n⁺ и n⁺–n⁺–n⁻–n–n⁺-диодах Ганна на основе GaN, AlN и InN. Показаны перспективность, 
 особенности и проблемы использования полупроводниковых нитридов в диодах Ганна. Properties transfer, idealized limited space-charge accumulation mode and resonance transit-time mode of the GaN, 
 AlN, InN n⁺–n–n⁺ and n⁺–n⁺–n⁻–n–n⁺ Gunn diodes were studied. 
 Prospects, peculiarities and problems of nitride semiconductors in 
 Gunn diodes are represented. Подано аналіз транспортних властивостей, ідеалізованого режиму з обмеженням об’ємного заряду і резонансно-прольотного режиму n⁺–n–n⁺ та n⁺–n⁺–n⁻–n–n⁺-діодів Ганна на основі GaN, AlN та InN. Показано перспективність, особливості і проблеми використання напівпровідникових нітридів у діодах Ганна. ru Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України Радіофізика та електроніка Вакуумна та твердотільна електроніка Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN The respectives for using Gunn diode on the base of GaN, AIN and InN Перспективи використання діодів Ганна на основі GaN, AlN и InN Article published earlier |
| spellingShingle | Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN Стороженко, И.П. Аркуша, Ю.В. Вакуумна та твердотільна електроніка |
| title | Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN |
| title_alt | The respectives for using Gunn diode on the base of GaN, AIN and InN Перспективи використання діодів Ганна на основі GaN, AlN и InN |
| title_full | Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN |
| title_fullStr | Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN |
| title_full_unstemmed | Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN |
| title_short | Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN |
| title_sort | перспективы использования диодов ганна на основе gan, aln и inn |
| topic | Вакуумна та твердотільна електроніка |
| topic_facet | Вакуумна та твердотільна електроніка |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78042 |
| work_keys_str_mv | AT storoženkoip perspektivyispolʹzovaniâdiodovgannanaosnoveganalniinn AT arkušaûv perspektivyispolʹzovaniâdiodovgannanaosnoveganalniinn AT storoženkoip therespectivesforusinggunndiodeonthebaseofganainandinn AT arkušaûv therespectivesforusinggunndiodeonthebaseofganainandinn AT storoženkoip perspektivivikoristannâdíodívgannanaosnovíganalniinn AT arkušaûv perspektivivikoristannâdíodívgannanaosnovíganalniinn |