Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN
Представлен анализ транспортных свойств, идеализированного режима c ограничением накопления объемного заряда и резонансно-пролетного режима в n⁺–n–n⁺ и n⁺–n⁺–n⁻–n–n⁺-диодах Ганна на основе GaN, AlN и InN. Показаны перспективность, особенности и проблемы использования полупроводниковых нитридов...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Радіофізика та електроніка |
|---|---|
| Datum: | 2011 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2011
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78042 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN / И.П. Стороженко, Ю.В. Аркуша // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 1. — С. 58-63. — Бібліогр.:19 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-78042 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Стороженко, И.П. Аркуша, Ю.В. 2015-03-10T16:59:01Z 2015-03-10T16:59:01Z 2011 Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN / И.П. Стороженко, Ю.В. Аркуша // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 1. — С. 58-63. — Бібліогр.:19 назв. — рос. 1028-821X https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78042 621.382.2 Представлен анализ транспортных свойств, идеализированного режима c ограничением накопления объемного заряда и резонансно-пролетного режима в n⁺–n–n⁺ и n⁺–n⁺–n⁻–n–n⁺-диодах Ганна на основе GaN, AlN и InN. Показаны перспективность, особенности и проблемы использования полупроводниковых нитридов в диодах Ганна. Properties transfer, idealized limited space-charge accumulation mode and resonance transit-time mode of the GaN, AlN, InN n⁺–n–n⁺ and n⁺–n⁺–n⁻–n–n⁺ Gunn diodes were studied. Prospects, peculiarities and problems of nitride semiconductors in Gunn diodes are represented. Подано аналіз транспортних властивостей, ідеалізованого режиму з обмеженням об’ємного заряду і резонансно-прольотного режиму n⁺–n–n⁺ та n⁺–n⁺–n⁻–n–n⁺-діодів Ганна на основі GaN, AlN та InN. Показано перспективність, особливості і проблеми використання напівпровідникових нітридів у діодах Ганна. ru Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України Радіофізика та електроніка Вакуумна та твердотільна електроніка Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN The respectives for using Gunn diode on the base of GaN, AIN and InN Перспективи використання діодів Ганна на основі GaN, AlN и InN Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN |
| spellingShingle |
Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN Стороженко, И.П. Аркуша, Ю.В. Вакуумна та твердотільна електроніка |
| title_short |
Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN |
| title_full |
Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN |
| title_fullStr |
Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN |
| title_full_unstemmed |
Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN |
| title_sort |
перспективы использования диодов ганна на основе gan, aln и inn |
| author |
Стороженко, И.П. Аркуша, Ю.В. |
| author_facet |
Стороженко, И.П. Аркуша, Ю.В. |
| topic |
Вакуумна та твердотільна електроніка |
| topic_facet |
Вакуумна та твердотільна електроніка |
| publishDate |
2011 |
| language |
Russian |
| container_title |
Радіофізика та електроніка |
| publisher |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
The respectives for using Gunn diode on the base of GaN, AIN and InN Перспективи використання діодів Ганна на основі GaN, AlN и InN |
| description |
Представлен анализ транспортных свойств, идеализированного режима c ограничением накопления объемного заряда и
резонансно-пролетного режима в n⁺–n–n⁺ и n⁺–n⁺–n⁻–n–n⁺-диодах Ганна на основе GaN, AlN и InN. Показаны перспективность,
особенности и проблемы использования полупроводниковых нитридов в диодах Ганна.
Properties transfer, idealized limited space-charge accumulation mode and resonance transit-time mode of the GaN,
AlN, InN n⁺–n–n⁺ and n⁺–n⁺–n⁻–n–n⁺ Gunn diodes were studied.
Prospects, peculiarities and problems of nitride semiconductors in
Gunn diodes are represented.
Подано аналіз транспортних властивостей, ідеалізованого режиму з обмеженням об’ємного заряду і резонансно-прольотного режиму n⁺–n–n⁺ та n⁺–n⁺–n⁻–n–n⁺-діодів Ганна на основі GaN, AlN та InN. Показано перспективність, особливості і проблеми використання напівпровідникових нітридів у діодах Ганна.
|
| issn |
1028-821X |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78042 |
| citation_txt |
Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN / И.П. Стороженко, Ю.В. Аркуша // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 1. — С. 58-63. — Бібліогр.:19 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT storoženkoip perspektivyispolʹzovaniâdiodovgannanaosnoveganalniinn AT arkušaûv perspektivyispolʹzovaniâdiodovgannanaosnoveganalniinn AT storoženkoip therespectivesforusinggunndiodeonthebaseofganainandinn AT arkušaûv therespectivesforusinggunndiodeonthebaseofganainandinn AT storoženkoip perspektivivikoristannâdíodívgannanaosnovíganalniinn AT arkušaûv perspektivivikoristannâdíodívgannanaosnovíganalniinn |
| first_indexed |
2025-12-07T13:13:30Z |
| last_indexed |
2025-12-07T13:13:30Z |
| _version_ |
1850855349439954944 |