Зображення обкладинки

Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN

Представлен анализ транспортных свойств, идеализированного режима c ограничением накопления объемного заряда и резонансно-пролетного режима в n⁺–n–n⁺ и n⁺–n⁺–n⁻–n–n⁺-диодах Ганна на основе GaN, AlN и InN. Показаны перспективность, особенности и проблемы использования полупроводниковых нитридов...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Радіофізика та електроніка
Дата:	2011
Автори:	Стороженко, И.П., Аркуша, Ю.В.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2011
Теми:	Вакуумна та твердотільна електроніка
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78042
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN / И.П. Стороженко, Ю.В. Аркуша // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 1. — С. 58-63. — Бібліогр.:19 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2011)

Електричні і фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних структур МoN/n-Si
за авторством: Солован, М.М., та інші
Опубліковано: (2019)

Генерация и умножение частоты диодами с туннельными границами на основе GaAs
за авторством: Прохоров, Э.Д., та інші
Опубліковано: (2011)

Исследование особенностей генерации твердотельных лазеров на красителях при поперечном способе возбуждения
за авторством: Николаев, С.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Медленные волны в периодической структуре с магнитоактивными полупроводниковыми слоями
за авторством: Булгаков, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Декомпозиция лазерно-индуцированных эмиссионных спектров
за авторством: Дзюбенко, М.И., та інші
Опубліковано: (2011)

Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами
за авторством: Прохоров, Э.Д., та інші
Опубліковано: (2011)

Разработка компактных генераторных комплексов на основе клинотронов терагерцевого диапазона в ИРЭ им. А.Я. Усикова НАН Украины
за авторством: Лихачев, А.А., та інші
Опубліковано: (2019)

Исследование и проектирование отборника мощности для электровакуумного умножителя частоты субмиллиметрового диапазона волн
за авторством: Мильчо, М.В.
Опубліковано: (2019)

Параметры вторично-электронных процессов в однородных ВЧ-СВЧ электрических полях резонаторных структур
за авторством: Лобзов, Л.Д.
Опубліковано: (2011)

Применение HCN-лазера для измерения фазовых характеристик одномерных проволочных решеток
за авторством: Андренко, С.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Влияние продольного электростатического поля на ширину спектра мультигармонической волны пространственного заряда в двухпотоковом супергетеродинном ЛСЭ с винтовым электронным пучком
за авторством: Лысенко, А.В., та інші
Опубліковано: (2020)

Графическое моделирование формы импульса излучения терагерцевого газоразрядного лазера
за авторством: Киселев, В.К., та інші
Опубліковано: (2011)

Возбуждение переходного излучения в миллиметровом диапазоне электронными сгустками, падающими на проволочный экран
за авторством: Ефимов, Б.П., та інші
Опубліковано: (2011)

The first principle calculation of electronic and optical properties of AlN, GaN and InN compounds under hydrostatic pressure
за авторством: Berrah, S., та інші
Опубліковано: (2006)

Характеристики варизонных AlInN диодов Ганна
за авторством: Кайдаш, М.В.
Опубліковано: (2013)

Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN
за авторством: Боцула, О.В., та інші
Опубліковано: (2008)

Current instabilities in resonant tunnelling diodes based on GaN/AlN heterojunctions
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2004)

Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2007)

Resistance formation mechanisms for contacts and to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Investigation of resistance formation mechanisms for contacts to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2012)

Effect of microwave radiation on I-V curves and contact resistivity of ohmic contacts to n-GaN and n-AlN
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2013)

Effect of microwave radiation on I V curves and contact resistivity of ohmic contacts to n-GaN and n-AlN
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2013)

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
за авторством: Босый, В.И., та інші
Опубліковано: (2007)

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
за авторством: Bosiy, V. I., та інші
Опубліковано: (2007)

Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов
за авторством: Стороженко, И.П.
Опубліковано: (2012)

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
за авторством: V. V. Kaliuzhnyi, та інші
Опубліковано: (2021)

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
за авторством: V. V. Kaliuzhnyi, та інші
Опубліковано: (2021)

Theory of the shear acoustic phonons spectrum and their interactionwith electrons due to the piezoelectric potential in AlN/GaN nanostructures of plane symmetry
за авторством: I. V. Boyko, та інші
Опубліковано: (2021)

Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs
за авторством: A. G. Golenkov, та інші
Опубліковано: (2015)

Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2014)

Impact of proton irradiation on AlGaN/GaN transistors with high electron mobility
за авторством: M. Bataev, та інші
Опубліковано: (2011)

Features of the formation of ohmic contacts to n+-InN
за авторством: P. O. Sai, та інші
Опубліковано: (2019)

Features of the formation of ohmic contacts to n+-InN
за авторством: P. O. Sai, та інші
Опубліковано: (2019)

Electro-optic effect in GaN/Al₀.₁₅Ga₀.₈₅N single quantum wells for optical switch
за авторством: Elkadadra, A., та інші
Опубліковано: (2010)

Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization
за авторством: Naumov, A.V., та інші
Опубліковано: (2015)

Significance of DX-centers for acoustic induced reconstruction processes of defects in GaN/AlGaN
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2021)

Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization
за авторством: A. V. Naumov, та інші
Опубліковано: (2015)

Schottky-barrier Au–TiBx–n-GaN contacts
за авторством: Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)

Влияние протонного облучения на AlGaN/GaN транзисторы c высокой подвижностью электронов
за авторством: Батаев, М., та інші
Опубліковано: (2011)