Buchumschlag

Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN

Представлен анализ транспортных свойств, идеализированного режима c ограничением накопления объемного заряда и  резонансно-пролетного режима в n⁺–n–n⁺ и n⁺–n⁺–n⁻–n–n⁺-диодах Ганна на основе GaN, AlN и InN. Показаны перспективность,  особенности и проблемы использования полупровод...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Радіофізика та електроніка
Datum:	2011
Hauptverfasser:	Стороженко, И.П., Аркуша, Ю.В.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2011
Schlagworte:	Вакуумна та твердотільна електроніка
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78042
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN / И.П. Стороженко, Ю.В. Аркуша // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 1. — С. 58-63. — Бібліогр.:19 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Електричні і фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних структур МoN/n-Si
von: Солован, М.М., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Генерация и умножение частоты диодами с туннельными границами на основе GaAs
von: Прохоров, Э.Д., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами
von: Прохоров, Э.Д., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Разработка компактных генераторных комплексов на основе клинотронов терагерцевого диапазона в ИРЭ им. А.Я. Усикова НАН Украины
von: Лихачев, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Декомпозиция лазерно-индуцированных эмиссионных спектров
von: Дзюбенко, М.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Исследование особенностей генерации твердотельных лазеров на красителях при поперечном способе возбуждения
von: Николаев, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Графическое моделирование формы импульса излучения терагерцевого газоразрядного лазера
von: Киселев, В.К., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Исследование и проектирование отборника мощности для электровакуумного умножителя частоты субмиллиметрового диапазона волн
von: Мильчо, М.В.
Veröffentlicht: (2019)

Параметры вторично-электронных процессов в однородных ВЧ-СВЧ электрических полях резонаторных структур
von: Лобзов, Л.Д.
Veröffentlicht: (2011)

Применение HCN-лазера для измерения фазовых характеристик одномерных проволочных решеток
von: Андренко, С.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Возбуждение переходного излучения в миллиметровом диапазоне электронными сгустками, падающими на проволочный экран
von: Ефимов, Б.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Влияние продольного электростатического поля на ширину спектра мультигармонической волны пространственного заряда в двухпотоковом супергетеродинном ЛСЭ с винтовым электронным пучком
von: Лысенко, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2020)

Медленные волны в периодической структуре с магнитоактивными полупроводниковыми слоями
von: Булгаков, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

The first principle calculation of electronic and optical properties of AlN, GaN and InN compounds under hydrostatic pressure
von: Berrah, S., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Фононні та поляронні стани циліндричних дротів ZnO/GaN та GaN/AlN
von: Boichuk, V.I., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Характеристики варизонных AlInN диодов Ганна
von: Кайдаш, М.В.
Veröffentlicht: (2013)

Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN
von: Боцула, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Current instabilities in resonant tunnelling diodes based on GaN/AlN heterojunctions
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна
von: Аркуша, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Resistance formation mechanisms for contacts and to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density
von: A. V. Sachenko, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Investigation of resistance formation mechanisms for contacts to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density
von: Sachenko, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Effect of microwave radiation on I V curves and contact resistivity of ohmic contacts to n-GaN and n-AlN
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Effect of microwave radiation on I-V curves and contact resistivity of ohmic contacts to n-GaN and n-AlN
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
von: Босый, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
von: Bosiy, V. I., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Simulation of X-Ray Diffraction Spectra for AlN/GaN Multiple Quantum Well Structures on AlN(0001) with Interface Roughness and Variation of Vertical Layers Thickness
von: Liubchenko, O.I., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов
von: Стороженко, И.П.
Veröffentlicht: (2012)

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
von: V. V. Kaliuzhnyi, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
von: V. V. Kaliuzhnyi, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Theory of the shear acoustic phonons spectrum and their interactionwith electrons due to the piezoelectric potential in AlN/GaN nanostructures of plane symmetry
von: I. V. Boyko, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs
von: A. G. Golenkov, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs
von: Golenkov, A.G., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Дослідження пасток в гетероструктурах AlGaN/GaN ультразвуковими коливаннями
von: Kaliuzhnyi, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2021)

Варизонный AlGaInAs-диод Ганна
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Impact of proton irradiation on AlGaN/GaN transistors with high electron mobility
von: M. Bataev, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Features of the formation of ohmic contacts to n+-InN
von: P. O. Sai, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Features of the formation of ohmic contacts to n+-InN
von: P. O. Sai, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Effect of the sapphire substrate on spectral emission features of LEDs based on InGaN/AlGaN/GaN heterostructures
von: Bletskan, D.I., et al.
Veröffentlicht: (2003)