О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs

• Veröffentlicht in: Радіофізика та електроніка
• Datum: 2011
• Hauptverfasser: Стороженко, И.П., Животов, Е.Н.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2011
• Schlagworte: Вакуумна та твердотільна електроніка
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78043
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs / И.П. Стороженко, Е.Н. Животова // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 1. — С. 64-69. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Изучено исчезновение дрейфующего домена в приборах на основе варизонных полупроводников. Показано, что длина 
 области дрейфа домена и частота генерируемых колебаний тока в n⁺-n-n⁺-приборах на основе варизонных полупроводников зависит от приложенного к прибору напряжения. Найдены условия существования этого эффекта. Показано, что применение варизонных полупроводников позволяет увеличить ширину рабочего диапазона частот диодов Ганна. Проведен обзор варизонных полупроводников А₃В₅ с подобным эффектом. The disappearance of a drifting domain in devices 
 based on graded-gap semiconductors is studied. It is shown that 
 the length of a region of drift of a the domain and the frequency of 
 generated current oscillation in the n⁺-n-n⁺ devices based on 
 graded-gap semiconductors depends on the voltage applied to the 
 device. The conditions of existence of this effect are found. 
 It is shown that the use of graded-gap semiconductors can increase 
 the width of the width of the working frequency of Gunn diodes. 
 The review of graded-gap semiconductors А₃В₅ having a similar 
 effect is given. Вивчено зникнення домену, що дрейфує в приладах 
 на основі варизонних напівпровідників. Показано, що довжина області дрейфу домена і частота генерованих коливань 
 струму вn⁺-n-n⁺-приладах на основі варизонних напівпровідників залежить від прикладеної до приладу напруги. Знайдено 
 вимоги існування цього ефекту. Показано, що застосування 
 варизонних напівпровідників дозволяє збільшити ширину 
 робочого діапазону частот діодів Ганна. Проведено огляд 
 варизонних напівпровідників А₃В₅ з подібним ефектом.