О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs
Изучено исчезновение дрейфующего домена в приборах на основе варизонных полупроводников. Показано, что длина области дрейфа домена и частота генерируемых колебаний тока в n⁺-n-n⁺-приборах на основе варизонных полупроводников зависит от приложенного к прибору напряжения. Найдены условия существова...
Saved in:
| Published in: | Радіофізика та електроніка |
|---|---|
| Date: | 2011 |
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2011
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78043 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs / И.П. Стороженко, Е.Н. Животова // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 1. — С. 64-69. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-78043 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Стороженко, И.П. Животов, Е.Н. 2015-03-10T17:05:00Z 2015-03-10T17:05:00Z 2011 О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs / И.П. Стороженко, Е.Н. Животова // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 1. — С. 64-69. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 1028-821X https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78043 621.382.2 Изучено исчезновение дрейфующего домена в приборах на основе варизонных полупроводников. Показано, что длина области дрейфа домена и частота генерируемых колебаний тока в n⁺-n-n⁺-приборах на основе варизонных полупроводников зависит от приложенного к прибору напряжения. Найдены условия существования этого эффекта. Показано, что применение варизонных полупроводников позволяет увеличить ширину рабочего диапазона частот диодов Ганна. Проведен обзор варизонных полупроводников А₃В₅ с подобным эффектом. The disappearance of a drifting domain in devices based on graded-gap semiconductors is studied. It is shown that the length of a region of drift of a the domain and the frequency of generated current oscillation in the n⁺-n-n⁺ devices based on graded-gap semiconductors depends on the voltage applied to the device. The conditions of existence of this effect are found. It is shown that the use of graded-gap semiconductors can increase the width of the width of the working frequency of Gunn diodes. The review of graded-gap semiconductors А₃В₅ having a similar effect is given. Вивчено зникнення домену, що дрейфує в приладах на основі варизонних напівпровідників. Показано, що довжина області дрейфу домена і частота генерованих коливань струму вn⁺-n-n⁺-приладах на основі варизонних напівпровідників залежить від прикладеної до приладу напруги. Знайдено вимоги існування цього ефекту. Показано, що застосування варизонних напівпровідників дозволяє збільшити ширину робочого діапазону частот діодів Ганна. Проведено огляд варизонних напівпровідників А₃В₅ з подібним ефектом. ru Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України Радіофізика та електроніка Вакуумна та твердотільна електроніка О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs About resonance frequency of Gunn diodes based on grader-gar semiconductors AlGaAs, GaPAs и GaSbAs Про резонансну частоту діодів Ганна на основі варизованніх напівпровідників AlGaAs, GaPAs и GaSbAs Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs |
| spellingShingle |
О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs Стороженко, И.П. Животов, Е.Н. Вакуумна та твердотільна електроніка |
| title_short |
О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs |
| title_full |
О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs |
| title_fullStr |
О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs |
| title_full_unstemmed |
О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs |
| title_sort |
о резонансной частоте диодов ганна на основе варизонных полупроводников algaas, gapas и gasbas |
| author |
Стороженко, И.П. Животов, Е.Н. |
| author_facet |
Стороженко, И.П. Животов, Е.Н. |
| topic |
Вакуумна та твердотільна електроніка |
| topic_facet |
Вакуумна та твердотільна електроніка |
| publishDate |
2011 |
| language |
Russian |
| container_title |
Радіофізика та електроніка |
| publisher |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
About resonance frequency of Gunn diodes based on grader-gar semiconductors AlGaAs, GaPAs и GaSbAs Про резонансну частоту діодів Ганна на основі варизованніх напівпровідників AlGaAs, GaPAs и GaSbAs |
| description |
Изучено исчезновение дрейфующего домена в приборах на основе варизонных полупроводников. Показано, что длина
области дрейфа домена и частота генерируемых колебаний тока в n⁺-n-n⁺-приборах на основе варизонных полупроводников зависит от приложенного к прибору напряжения. Найдены условия существования этого эффекта. Показано, что применение варизонных полупроводников позволяет увеличить ширину рабочего диапазона частот диодов Ганна. Проведен обзор варизонных полупроводников А₃В₅ с подобным эффектом.
The disappearance of a drifting domain in devices
based on graded-gap semiconductors is studied. It is shown that
the length of a region of drift of a the domain and the frequency of
generated current oscillation in the n⁺-n-n⁺ devices based on
graded-gap semiconductors depends on the voltage applied to the
device. The conditions of existence of this effect are found.
It is shown that the use of graded-gap semiconductors can increase
the width of the width of the working frequency of Gunn diodes.
The review of graded-gap semiconductors А₃В₅ having a similar
effect is given.
Вивчено зникнення домену, що дрейфує в приладах
на основі варизонних напівпровідників. Показано, що довжина області дрейфу домена і частота генерованих коливань
струму вn⁺-n-n⁺-приладах на основі варизонних напівпровідників залежить від прикладеної до приладу напруги. Знайдено
вимоги існування цього ефекту. Показано, що застосування
варизонних напівпровідників дозволяє збільшити ширину
робочого діапазону частот діодів Ганна. Проведено огляд
варизонних напівпровідників А₃В₅ з подібним ефектом.
|
| issn |
1028-821X |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78043 |
| citation_txt |
О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs / И.П. Стороженко, Е.Н. Животова // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 1. — С. 64-69. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT storoženkoip orezonansnoičastotediodovgannanaosnovevarizonnyhpoluprovodnikovalgaasgapasigasbas AT životoven orezonansnoičastotediodovgannanaosnovevarizonnyhpoluprovodnikovalgaasgapasigasbas AT storoženkoip aboutresonancefrequencyofgunndiodesbasedongradergarsemiconductorsalgaasgapasigasbas AT životoven aboutresonancefrequencyofgunndiodesbasedongradergarsemiconductorsalgaasgapasigasbas AT storoženkoip prorezonansnučastotudíodívgannanaosnovívarizovanníhnapívprovídnikívalgaasgapasigasbas AT životoven prorezonansnučastotudíodívgannanaosnovívarizovanníhnapívprovídnikívalgaasgapasigasbas |
| first_indexed |
2025-12-07T13:30:05Z |
| last_indexed |
2025-12-07T13:30:05Z |
| _version_ |
1850856393663315968 |