О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs
Изучено исчезновение дрейфующего домена в приборах на основе варизонных полупроводников. Показано, что длина 
 области дрейфа домена и частота генерируемых колебаний тока в n⁺-n-n⁺-приборах на основе варизонных полупроводников зависит от приложенного к прибору напряжения. Найдены условия су...
Saved in:
| Published in: | Радіофізика та електроніка |
|---|---|
| Date: | 2011 |
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2011
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78043 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs / И.П. Стороженко, Е.Н. Животова // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 1. — С. 64-69. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862623690960666624 |
|---|---|
| author | Стороженко, И.П. Животов, Е.Н. |
| author_facet | Стороженко, И.П. Животов, Е.Н. |
| citation_txt | О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs / И.П. Стороженко, Е.Н. Животова // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 1. — С. 64-69. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Радіофізика та електроніка |
| description | Изучено исчезновение дрейфующего домена в приборах на основе варизонных полупроводников. Показано, что длина 
области дрейфа домена и частота генерируемых колебаний тока в n⁺-n-n⁺-приборах на основе варизонных полупроводников зависит от приложенного к прибору напряжения. Найдены условия существования этого эффекта. Показано, что применение варизонных полупроводников позволяет увеличить ширину рабочего диапазона частот диодов Ганна. Проведен обзор варизонных полупроводников А₃В₅ с подобным эффектом.
The disappearance of a drifting domain in devices 
based on graded-gap semiconductors is studied. It is shown that 
the length of a region of drift of a the domain and the frequency of 
generated current oscillation in the n⁺-n-n⁺ devices based on 
graded-gap semiconductors depends on the voltage applied to the 
device. The conditions of existence of this effect are found. 
It is shown that the use of graded-gap semiconductors can increase 
the width of the width of the working frequency of Gunn diodes. 
The review of graded-gap semiconductors А₃В₅ having a similar 
effect is given.
Вивчено зникнення домену, що дрейфує в приладах 
на основі варизонних напівпровідників. Показано, що довжина області дрейфу домена і частота генерованих коливань 
струму вn⁺-n-n⁺-приладах на основі варизонних напівпровідників залежить від прикладеної до приладу напруги. Знайдено 
вимоги існування цього ефекту. Показано, що застосування 
варизонних напівпровідників дозволяє збільшити ширину 
робочого діапазону частот діодів Ганна. Проведено огляд 
варизонних напівпровідників А₃В₅ з подібним ефектом.
|
| first_indexed | 2025-12-07T13:30:05Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-78043 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1028-821X |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T13:30:05Z |
| publishDate | 2011 |
| publisher | Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Стороженко, И.П. Животов, Е.Н. 2015-03-10T17:05:00Z 2015-03-10T17:05:00Z 2011 О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs / И.П. Стороженко, Е.Н. Животова // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 1. — С. 64-69. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 1028-821X https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78043 621.382.2 Изучено исчезновение дрейфующего домена в приборах на основе варизонных полупроводников. Показано, что длина 
 области дрейфа домена и частота генерируемых колебаний тока в n⁺-n-n⁺-приборах на основе варизонных полупроводников зависит от приложенного к прибору напряжения. Найдены условия существования этого эффекта. Показано, что применение варизонных полупроводников позволяет увеличить ширину рабочего диапазона частот диодов Ганна. Проведен обзор варизонных полупроводников А₃В₅ с подобным эффектом. The disappearance of a drifting domain in devices 
 based on graded-gap semiconductors is studied. It is shown that 
 the length of a region of drift of a the domain and the frequency of 
 generated current oscillation in the n⁺-n-n⁺ devices based on 
 graded-gap semiconductors depends on the voltage applied to the 
 device. The conditions of existence of this effect are found. 
 It is shown that the use of graded-gap semiconductors can increase 
 the width of the width of the working frequency of Gunn diodes. 
 The review of graded-gap semiconductors А₃В₅ having a similar 
 effect is given. Вивчено зникнення домену, що дрейфує в приладах 
 на основі варизонних напівпровідників. Показано, що довжина області дрейфу домена і частота генерованих коливань 
 струму вn⁺-n-n⁺-приладах на основі варизонних напівпровідників залежить від прикладеної до приладу напруги. Знайдено 
 вимоги існування цього ефекту. Показано, що застосування 
 варизонних напівпровідників дозволяє збільшити ширину 
 робочого діапазону частот діодів Ганна. Проведено огляд 
 варизонних напівпровідників А₃В₅ з подібним ефектом. ru Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України Радіофізика та електроніка Вакуумна та твердотільна електроніка О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs About resonance frequency of Gunn diodes based on grader-gar semiconductors AlGaAs, GaPAs и GaSbAs Про резонансну частоту діодів Ганна на основі варизованніх напівпровідників AlGaAs, GaPAs и GaSbAs Article published earlier |
| spellingShingle | О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs Стороженко, И.П. Животов, Е.Н. Вакуумна та твердотільна електроніка |
| title | О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs |
| title_alt | About resonance frequency of Gunn diodes based on grader-gar semiconductors AlGaAs, GaPAs и GaSbAs Про резонансну частоту діодів Ганна на основі варизованніх напівпровідників AlGaAs, GaPAs и GaSbAs |
| title_full | О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs |
| title_fullStr | О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs |
| title_full_unstemmed | О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs |
| title_short | О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs |
| title_sort | о резонансной частоте диодов ганна на основе варизонных полупроводников algaas, gapas и gasbas |
| topic | Вакуумна та твердотільна електроніка |
| topic_facet | Вакуумна та твердотільна електроніка |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78043 |
| work_keys_str_mv | AT storoženkoip orezonansnoičastotediodovgannanaosnovevarizonnyhpoluprovodnikovalgaasgapasigasbas AT životoven orezonansnoičastotediodovgannanaosnovevarizonnyhpoluprovodnikovalgaasgapasigasbas AT storoženkoip aboutresonancefrequencyofgunndiodesbasedongradergarsemiconductorsalgaasgapasigasbas AT životoven aboutresonancefrequencyofgunndiodesbasedongradergarsemiconductorsalgaasgapasigasbas AT storoženkoip prorezonansnučastotudíodívgannanaosnovívarizovanníhnapívprovídnikívalgaasgapasigasbas AT životoven prorezonansnučastotudíodívgannanaosnovívarizovanníhnapívprovídnikívalgaasgapasigasbas |