Buchumschlag

О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs

Изучено исчезновение дрейфующего домена в приборах на основе варизонных полупроводников. Показано, что длина  области дрейфа домена и частота генерируемых колебаний тока в n⁺-n-n⁺-приборах на основе варизонных полупроводников зависит от приложенного к прибору напряжения. Найдены условия су...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Радіофізика та електроніка
Datum:	2011
Hauptverfasser:	Стороженко, И.П., Животов, Е.Н.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2011
Schlagworte:	Вакуумна та твердотільна електроніка
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78043
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs / И.П. Стороженко, Е.Н. Животова // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 1. — С. 64-69. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Генерация и умножение частоты диодами с туннельными границами на основе GaAs
von: Прохоров, Э.Д., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Характеристики варизонных AlInN диодов Ганна
von: Кайдаш, М.В.
Veröffentlicht: (2013)

Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна
von: Аркуша, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами
von: Прохоров, Э.Д., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Разработка компактных генераторных комплексов на основе клинотронов терагерцевого диапазона в ИРЭ им. А.Я. Усикова НАН Украины
von: Лихачев, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Декомпозиция лазерно-индуцированных эмиссионных спектров
von: Дзюбенко, М.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Исследование особенностей генерации твердотельных лазеров на красителях при поперечном способе возбуждения
von: Николаев, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Графическое моделирование формы импульса излучения терагерцевого газоразрядного лазера
von: Киселев, В.К., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Исследование и проектирование отборника мощности для электровакуумного умножителя частоты субмиллиметрового диапазона волн
von: Мильчо, М.В.
Veröffentlicht: (2019)

Параметры вторично-электронных процессов в однородных ВЧ-СВЧ электрических полях резонаторных структур
von: Лобзов, Л.Д.
Veröffentlicht: (2011)

Применение HCN-лазера для измерения фазовых характеристик одномерных проволочных решеток
von: Андренко, С.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Возбуждение переходного излучения в миллиметровом диапазоне электронными сгустками, падающими на проволочный экран
von: Ефимов, Б.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Влияние продольного электростатического поля на ширину спектра мультигармонической волны пространственного заряда в двухпотоковом супергетеродинном ЛСЭ с винтовым электронным пучком
von: Лысенко, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2020)

Медленные волны в периодической структуре с магнитоактивными полупроводниковыми слоями
von: Булгаков, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Електричні і фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних структур МoN/n-Si
von: Солован, М.М., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов
von: Стороженко, И.П.
Veröffentlicht: (2012)

Optical characterization of pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures
von: Zhuchenko, Z.Ya., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Взаимодействие неоднородных упругих волн с двумерными электронами в гетероструктурах AlGaAs-GaAs-AlGaAs
von: Филь, Д.В.
Veröffentlicht: (1999)

Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2007)

2D magnetofermionic condensate in GaAs/AlGaAs heterostructures
von: L. V. Kulik, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Двумерный магнетофермионный конденсат в GaAs/AlGaAs гетероструктурах
von: Кулик, Л.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллимитровых длин волн
von: Ivanov, V. N., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн
von: Иванов, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Many-body effects in photoluminescence of heavily doped AlGaAs/InGaAs /GaAs heterostructures
von: Zhuchenko, Z.Ya., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs–InGaAs–AlGaAs
von: Krukovskiy, S. I., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Coherence of Bose–Einstein condensate of dipolar excitons in GaAs/AlGaAs heterostructure
von: A. V. Gorbunov, et al.
Veröffentlicht: (2016)

High-resistance low-doped GaAs and AlGaAs layers obtained by LPE
von: Krukovsky, S.I., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Варизонный AlGaInAs-диод Ганна
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Pseudomorphic modulation-doped AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures with strong manifestation of many-body effects
von: Masselink, W.T., et al.
Veröffentlicht: (2000)

GaAs диоды Ганна с AlAs-GaAs-AlAs резонансно туннельным катодом
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Sharp interfaces in p+-AlGaAs/n-GaAs epitaxial structures obtained by MOCVD
von: N. M. Vakiv, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Когерентность конденсата Бозе–Эйнштейна диполярных экситонов в GaAs/AlGaAs гетероструктуре
von: Горбунов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Spin and charge effects caused by positively charged acceptors in GaAs/AlGaAs quantum wells
von: P. V. Petrov, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Optimization of technological parameters of ohmic contact junctions for GaAs-AlGaAs-based transistor structures
von: Konakova, R.V., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Research of the photo-voltaic effect in the two-base Ag-N⁰AlGaAs-n⁺GaAs-n⁰GaInAs-Au structure with various thicknesses of a base
von: Yodgorova, D.M., et al.
Veröffentlicht: (2008)