О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs
Изучено исчезновение дрейфующего домена в приборах на основе варизонных полупроводников. Показано, что длина 
 области дрейфа домена и частота генерируемых колебаний тока в n⁺-n-n⁺-приборах на основе варизонных полупроводников зависит от приложенного к прибору напряжения. Найдены условия су...
Saved in:
| Published in: | Радіофізика та електроніка |
|---|---|
| Date: | 2011 |
| Main Authors: | Стороженко, И.П., Животов, Е.Н. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2011
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78043 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs / И.П. Стороженко, Е.Н. Животова // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 1. — С. 64-69. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2011)
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2011)
Генерация и умножение частоты диодами с туннельными границами на основе GaAs
by: Прохоров, Э.Д., et al.
Published: (2011)
by: Прохоров, Э.Д., et al.
Published: (2011)
Характеристики варизонных AlInN диодов Ганна
by: Кайдаш, М.В.
Published: (2013)
by: Кайдаш, М.В.
Published: (2013)
Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2014)
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2014)
Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна
by: Аркуша, Ю.В., et al.
Published: (2004)
by: Аркуша, Ю.В., et al.
Published: (2004)
Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами
by: Прохоров, Э.Д., et al.
Published: (2011)
by: Прохоров, Э.Д., et al.
Published: (2011)
Разработка компактных генераторных комплексов на основе клинотронов терагерцевого диапазона в ИРЭ им. А.Я. Усикова НАН Украины
by: Лихачев, А.А., et al.
Published: (2019)
by: Лихачев, А.А., et al.
Published: (2019)
Декомпозиция лазерно-индуцированных эмиссионных спектров
by: Дзюбенко, М.И., et al.
Published: (2011)
by: Дзюбенко, М.И., et al.
Published: (2011)
Исследование особенностей генерации твердотельных лазеров на красителях при поперечном способе возбуждения
by: Николаев, С.В., et al.
Published: (2011)
by: Николаев, С.В., et al.
Published: (2011)
Графическое моделирование формы импульса излучения терагерцевого газоразрядного лазера
by: Киселев, В.К., et al.
Published: (2011)
by: Киселев, В.К., et al.
Published: (2011)
Исследование и проектирование отборника мощности для электровакуумного умножителя частоты субмиллиметрового диапазона волн
by: Мильчо, М.В.
Published: (2019)
by: Мильчо, М.В.
Published: (2019)
Параметры вторично-электронных процессов в однородных ВЧ-СВЧ электрических полях резонаторных структур
by: Лобзов, Л.Д.
Published: (2011)
by: Лобзов, Л.Д.
Published: (2011)
Применение HCN-лазера для измерения фазовых характеристик одномерных проволочных решеток
by: Андренко, С.А., et al.
Published: (2011)
by: Андренко, С.А., et al.
Published: (2011)
Возбуждение переходного излучения в миллиметровом диапазоне электронными сгустками, падающими на проволочный экран
by: Ефимов, Б.П., et al.
Published: (2011)
by: Ефимов, Б.П., et al.
Published: (2011)
Влияние продольного электростатического поля на ширину спектра мультигармонической волны пространственного заряда в двухпотоковом супергетеродинном ЛСЭ с винтовым электронным пучком
by: Лысенко, А.В., et al.
Published: (2020)
by: Лысенко, А.В., et al.
Published: (2020)
Медленные волны в периодической структуре с магнитоактивными полупроводниковыми слоями
by: Булгаков, А.А., et al.
Published: (2011)
by: Булгаков, А.А., et al.
Published: (2011)
Електричні і фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних структур МoN/n-Si
by: Солован, М.М., et al.
Published: (2019)
by: Солован, М.М., et al.
Published: (2019)
Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов
by: Стороженко, И.П.
Published: (2012)
by: Стороженко, И.П.
Published: (2012)
Optical characterization of pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures
by: Zhuchenko, Z.Ya., et al.
Published: (1999)
by: Zhuchenko, Z.Ya., et al.
Published: (1999)
Взаимодействие неоднородных упругих волн с двумерными электронами в гетероструктурах AlGaAs-GaAs-AlGaAs
by: Филь, Д.В.
Published: (1999)
by: Филь, Д.В.
Published: (1999)
Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2007)
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2007)
2D magnetofermionic condensate in GaAs/AlGaAs heterostructures
by: L. V. Kulik, et al.
Published: (2017)
by: L. V. Kulik, et al.
Published: (2017)
Двумерный магнетофермионный конденсат в GaAs/AlGaAs гетероструктурах
by: Кулик, Л.В., et al.
Published: (2017)
by: Кулик, Л.В., et al.
Published: (2017)
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
by: Круковский, С.И., et al.
Published: (2003)
by: Круковский, С.И., et al.
Published: (2003)
Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллимитровых длин волн
by: Ivanov, V. N., et al.
Published: (2006)
by: Ivanov, V. N., et al.
Published: (2006)
Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн
by: Иванов, В.Н., et al.
Published: (2006)
by: Иванов, В.Н., et al.
Published: (2006)
Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
by: Николаенко, Ю.Е., et al.
Published: (2002)
by: Николаенко, Ю.Е., et al.
Published: (2002)
Many-body effects in photoluminescence of heavily doped AlGaAs/InGaAs /GaAs heterostructures
by: Zhuchenko, Z.Ya., et al.
Published: (1999)
by: Zhuchenko, Z.Ya., et al.
Published: (1999)
Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
by: Круковский, С.И., et al.
Published: (2004)
by: Круковский, С.И., et al.
Published: (2004)
Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs–InGaAs–AlGaAs
by: Krukovskiy, S. I., et al.
Published: (2004)
by: Krukovskiy, S. I., et al.
Published: (2004)
Coherence of Bose–Einstein condensate of dipolar excitons in GaAs/AlGaAs heterostructure
by: A. V. Gorbunov, et al.
Published: (2016)
by: A. V. Gorbunov, et al.
Published: (2016)
High-resistance low-doped GaAs and AlGaAs layers obtained by LPE
by: Krukovsky, S.I., et al.
Published: (2003)
by: Krukovsky, S.I., et al.
Published: (2003)
Варизонный AlGaInAs-диод Ганна
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2016)
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2016)
Pseudomorphic modulation-doped AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures with strong manifestation of many-body effects
by: Masselink, W.T., et al.
Published: (2000)
by: Masselink, W.T., et al.
Published: (2000)
GaAs диоды Ганна с AlAs-GaAs-AlAs резонансно туннельным катодом
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2006)
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2006)
Sharp interfaces in p+-AlGaAs/n-GaAs epitaxial structures obtained by MOCVD
by: N. M. Vakiv, et al.
Published: (2014)
by: N. M. Vakiv, et al.
Published: (2014)
Когерентность конденсата Бозе–Эйнштейна диполярных экситонов в GaAs/AlGaAs гетероструктуре
by: Горбунов, А.В., et al.
Published: (2016)
by: Горбунов, А.В., et al.
Published: (2016)
Spin and charge effects caused by positively charged acceptors in GaAs/AlGaAs quantum wells
by: P. V. Petrov, et al.
Published: (2015)
by: P. V. Petrov, et al.
Published: (2015)
Optimization of technological parameters of ohmic contact junctions for GaAs-AlGaAs-based transistor structures
by: Konakova, R.V., et al.
Published: (2002)
by: Konakova, R.V., et al.
Published: (2002)
Research of the photo-voltaic effect in the two-base Ag-N⁰AlGaAs-n⁺GaAs-n⁰GaInAs-Au structure with various thicknesses of a base
by: Yodgorova, D.M., et al.
Published: (2008)
by: Yodgorova, D.M., et al.
Published: (2008)
Similar Items
-
Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2011) -
Генерация и умножение частоты диодами с туннельными границами на основе GaAs
by: Прохоров, Э.Д., et al.
Published: (2011) -
Характеристики варизонных AlInN диодов Ганна
by: Кайдаш, М.В.
Published: (2013) -
Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2014) -
Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна
by: Аркуша, Ю.В., et al.
Published: (2004)