Эллипсоидальные свойства коэффициентов отражения от мелкоcлоистой периодической структуры полупроводник-диэлектрик в магнитном поле
Исследована поляризация электромагнитной волны при отражении от мелкослоистой периодической структуры полупроводник - диэлектрик во внешнем магнитном поле, расположенной на металлической подложке. Показано, что изменение магнитного поля, частоты и угла падения электромагнитной волны приводит к измен...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Радіофізика та електроніка |
|---|---|
| Datum: | 2011 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2011
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78055 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Эллипсоидальные свойства коэффициентов отражения от мелкоcлоистой периодической структуры полупроводник-диэлектрик в магнитном поле / А.А. Булгаков, И.В. Федорин // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 2. — С. 33-39. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862732839709048832 |
|---|---|
| author | Булгаков, А.А. Федорин, И.В. |
| author_facet | Булгаков, А.А. Федорин, И.В. |
| citation_txt | Эллипсоидальные свойства коэффициентов отражения от мелкоcлоистой периодической структуры полупроводник-диэлектрик в магнитном поле / А.А. Булгаков, И.В. Федорин // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 2. — С. 33-39. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Радіофізика та електроніка |
| description | Исследована поляризация электромагнитной волны при отражении от мелкослоистой периодической структуры полупроводник - диэлектрик во внешнем магнитном поле, расположенной на металлической подложке. Показано, что изменение магнитного поля, частоты и угла падения электромагнитной волны приводит к изменению параметров эллипса поляризации, длины и угла наклона осей эллипса по отношению к осям системы координат; специфика компонент тензора диэлектрической проницаемости мелкослоистой структуры приводит к возникновению ряда особенностей в зависимостях разности фаз от параметров структуры. Учет потерь в полупроводнике приводит к сглаживанию зависимостей и отсутствию резкого изменения поляризационных характеристик в зависимости от внешнего магнитного поля и частоты электромагнитной волны.
Polarization of an electromagnetic wave in the case of 
reflection from the fine-stratified periodic structure located on a 
metal substrate is investigated. The structure was fabricated by 
periodic alternating dielectric and semiconductor layers and was 
exposed into an external magnetic field. It has been shown that 
changing the magnetic field, frequency and incident angle results in 
change of polarization ellipse parameters, lengths and inclination 
angles of an ellipse axes in relation to axes of coordinate system. 
Taking into account losses in the semiconductor layers result in 
smoothing of dependences and absence of dramatic change of 
polarizing characteristics depending on an external magnetic field 
and frequency.
Досліджується поляризація електромагнітної хвилі 
при відбитті від дрібношарової періодичної структури напівпровідник−діелектрик у зовнішньому магнітному полі, яка 
розташована на металевій підкладці. Показано, що зміна магнітного поля, частоти та кута падіння електромагнітної хвилі 
призводить до зміни параметрів еліпса поляризації, довжини 
та кута нахилу вісей еліпсу стосовно вісей системи координат; 
специфіка компонент тензору діелектричної проникності 
дрібношарової структури призводить до виникнення ряду 
особливостей у залежностях різниці фаз від параметрів структури. Врахування втрат у напівпровіднику призводить до 
згладжування залежностей та відсутності різкої зміни поляризаційних характеристик залежно від зовнішнього магнітного 
поля та частоти електромагнітної хвилі.
|
| first_indexed | 2025-12-07T19:34:16Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-78055 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1028-821X |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T19:34:16Z |
| publishDate | 2011 |
| publisher | Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Булгаков, А.А. Федорин, И.В. 2015-03-10T18:08:34Z 2015-03-10T18:08:34Z 2011 Эллипсоидальные свойства коэффициентов отражения от мелкоcлоистой периодической структуры полупроводник-диэлектрик в магнитном поле / А.А. Булгаков, И.В. Федорин // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 2. — С. 33-39. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 1028-821X https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78055 537.871.52 Исследована поляризация электромагнитной волны при отражении от мелкослоистой периодической структуры полупроводник - диэлектрик во внешнем магнитном поле, расположенной на металлической подложке. Показано, что изменение магнитного поля, частоты и угла падения электромагнитной волны приводит к изменению параметров эллипса поляризации, длины и угла наклона осей эллипса по отношению к осям системы координат; специфика компонент тензора диэлектрической проницаемости мелкослоистой структуры приводит к возникновению ряда особенностей в зависимостях разности фаз от параметров структуры. Учет потерь в полупроводнике приводит к сглаживанию зависимостей и отсутствию резкого изменения поляризационных характеристик в зависимости от внешнего магнитного поля и частоты электромагнитной волны. Polarization of an electromagnetic wave in the case of 
 reflection from the fine-stratified periodic structure located on a 
 metal substrate is investigated. The structure was fabricated by 
 periodic alternating dielectric and semiconductor layers and was 
 exposed into an external magnetic field. It has been shown that 
 changing the magnetic field, frequency and incident angle results in 
 change of polarization ellipse parameters, lengths and inclination 
 angles of an ellipse axes in relation to axes of coordinate system. 
 Taking into account losses in the semiconductor layers result in 
 smoothing of dependences and absence of dramatic change of 
 polarizing characteristics depending on an external magnetic field 
 and frequency. Досліджується поляризація електромагнітної хвилі 
 при відбитті від дрібношарової періодичної структури напівпровідник−діелектрик у зовнішньому магнітному полі, яка 
 розташована на металевій підкладці. Показано, що зміна магнітного поля, частоти та кута падіння електромагнітної хвилі 
 призводить до зміни параметрів еліпса поляризації, довжини 
 та кута нахилу вісей еліпсу стосовно вісей системи координат; 
 специфіка компонент тензору діелектричної проникності 
 дрібношарової структури призводить до виникнення ряду 
 особливостей у залежностях різниці фаз від параметрів структури. Врахування втрат у напівпровіднику призводить до 
 згладжування залежностей та відсутності різкої зміни поляризаційних характеристик залежно від зовнішнього магнітного 
 поля та частоти електромагнітної хвилі. ru Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України Радіофізика та електроніка Радіофізика твердого тіла та плазми Эллипсоидальные свойства коэффициентов отражения от мелкоcлоистой периодической структуры полупроводник-диэлектрик в магнитном поле Ellepsoidal properties of reflectivity from the fine-stratified semiconductor-dielectric periodic structure in a magnetic field Елепсоідальні властивості коефіцієнтів відбиття від дрібношарової періодичної структури напівпровідник-діалектрик у магнітному полі Article published earlier |
| spellingShingle | Эллипсоидальные свойства коэффициентов отражения от мелкоcлоистой периодической структуры полупроводник-диэлектрик в магнитном поле Булгаков, А.А. Федорин, И.В. Радіофізика твердого тіла та плазми |
| title | Эллипсоидальные свойства коэффициентов отражения от мелкоcлоистой периодической структуры полупроводник-диэлектрик в магнитном поле |
| title_alt | Ellepsoidal properties of reflectivity from the fine-stratified semiconductor-dielectric periodic structure in a magnetic field Елепсоідальні властивості коефіцієнтів відбиття від дрібношарової періодичної структури напівпровідник-діалектрик у магнітному полі |
| title_full | Эллипсоидальные свойства коэффициентов отражения от мелкоcлоистой периодической структуры полупроводник-диэлектрик в магнитном поле |
| title_fullStr | Эллипсоидальные свойства коэффициентов отражения от мелкоcлоистой периодической структуры полупроводник-диэлектрик в магнитном поле |
| title_full_unstemmed | Эллипсоидальные свойства коэффициентов отражения от мелкоcлоистой периодической структуры полупроводник-диэлектрик в магнитном поле |
| title_short | Эллипсоидальные свойства коэффициентов отражения от мелкоcлоистой периодической структуры полупроводник-диэлектрик в магнитном поле |
| title_sort | эллипсоидальные свойства коэффициентов отражения от мелкоcлоистой периодической структуры полупроводник-диэлектрик в магнитном поле |
| topic | Радіофізика твердого тіла та плазми |
| topic_facet | Радіофізика твердого тіла та плазми |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78055 |
| work_keys_str_mv | AT bulgakovaa éllipsoidalʹnyesvoistvakoéfficientovotraženiâotmelkocloistoiperiodičeskoistrukturypoluprovodnikdiélektrikvmagnitnompole AT fedoriniv éllipsoidalʹnyesvoistvakoéfficientovotraženiâotmelkocloistoiperiodičeskoistrukturypoluprovodnikdiélektrikvmagnitnompole AT bulgakovaa ellepsoidalpropertiesofreflectivityfromthefinestratifiedsemiconductordielectricperiodicstructureinamagneticfield AT fedoriniv ellepsoidalpropertiesofreflectivityfromthefinestratifiedsemiconductordielectricperiodicstructureinamagneticfield AT bulgakovaa elepsoídalʹnívlastivostíkoefícíêntívvídbittâvíddríbnošarovoíperíodičnoístrukturinapívprovídnikdíalektrikumagnítnomupolí AT fedoriniv elepsoídalʹnívlastivostíkoefícíêntívvídbittâvíddríbnošarovoíperíodičnoístrukturinapívprovídnikdíalektrikumagnítnomupolí |