Эллипсоидальные свойства коэффициентов отражения от мелкоcлоистой периодической структуры полупроводник-диэлектрик в магнитном поле - Булгаков, А.А.; Федорин, И.В. (Радіофізика та електроніка, 2011)
Исследована поляризация электромагнитной волны при отражении от мелкослоистой периодической структуры полупроводник - диэлектрик во внешнем магнитном поле, расположенной на металлической подложке. Показано, что изменение магнитного поля, частоты и угла падения электромагнитной волны приводит к изменению параметров эллипса поляризации, длины и угла наклона осей эллипса по отношению к осям системы координат; специфика компонент тензора диэлектрической проницаемости мелкослоистой структуры приводит к возникновению ряда особенностей в зависимостях разности фаз от параметров структуры. Учет потерь в полупроводнике приводит к сглаживанию зависимостей и отсутствию резкого изменения поляризационных характеристик в зависимости от внешнего магнитного поля и частоты электромагнитной волны. Polarization of an electromagnetic wave in the case of
reflection from the fine-stratified periodic structure located on a
metal substrate is investigated. The structure was fabricated by
periodic alternating dielectric and semiconductor layers and was
exposed into an external magnetic field. It has been shown that
changing the magnetic field, frequency and incident angle results in
change of polarization ellipse parameters, lengths and inclination
angles of an ellipse axes in relation to axes of coordinate system.
Taking into account losses in the semiconductor layers result in
smoothing of dependences and absence of dramatic change of
polarizing characteristics depending on an external magnetic field
and frequency. Досліджується поляризація електромагнітної хвилі
при відбитті від дрібношарової періодичної структури напівпровідник−діелектрик у зовнішньому магнітному полі, яка
розташована на металевій підкладці. Показано, що зміна магнітного поля, частоти та кута падіння електромагнітної хвилі
призводить до зміни параметрів еліпса поляризації, довжини
та кута нахилу вісей еліпсу стосовно вісей системи координат;
специфіка компонент тензору діелектричної проникності
дрібношарової структури призводить до виникнення ряду
особливостей у залежностях різниці фаз від параметрів структури. Врахування втрат у напівпровіднику призводить до
згладжування залежностей та відсутності різкої зміни поляризаційних характеристик залежно від зовнішнього магнітного
поля та частоти електромагнітної хвилі.