Медленные волны в периодической структуре с магнитоактивными полупроводниковыми слоями
Теоретически исследованы особенности зонных спектров периодической структуры с магнитоактивными полупроводниковыми слоями вблизи ее характеристических частот в субмиллиметровом диапазоне волн. Приведена методика исследования. Показано, что в тонкослойной периодической структуре с поперечной конфигур...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Радіофізика та електроніка |
|---|---|
| Datum: | 2011 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2011
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78059 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Медленные волны в периодической структуре с магнитоактивными полупроводниковыми слоями / А.А. Булгаков, В.К. Кононенко // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 2. — С. 63-70. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862637181749690368 |
|---|---|
| author | Булгаков, А.А. Кононенко, В.К. |
| author_facet | Булгаков, А.А. Кононенко, В.К. |
| citation_txt | Медленные волны в периодической структуре с магнитоактивными полупроводниковыми слоями / А.А. Булгаков, В.К. Кононенко // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 2. — С. 63-70. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Радіофізика та електроніка |
| description | Теоретически исследованы особенности зонных спектров периодической структуры с магнитоактивными полупроводниковыми слоями вблизи ее характеристических частот в субмиллиметровом диапазоне волн. Приведена методика исследования. Показано, что в тонкослойной периодической структуре с поперечной конфигурацией внешнего магнитного поля фазовая скорость поверхностной волны может иметь значение, сравнимое со скоростью дрейфа носителей заряда в полупроводнике. Так, в периодической структуре с нанослоями из цельзиановой керамики и n-InSb при температуре жидкого азота в магнитных полях 0,25...1 Тл коэффициент замедления волны превышает 10³. Физическая причина замедления волны связана с существованием нижней по частоте зоны пропускания, допускающей продвижение по дисперсионной кривой в область больших значений модуля волнового числа при малом периоде тонкослойной периодической структуры.
Features of zone spectra of the periodic structure with 
magnetoactive semiconductor layers in the vicinity of its characteristic frequencies in submillimeter wavelength range were studied 
theoretically. It is shown that the surface wave phase velocity in 
the thin-layer periodic structure with transverse external magnetic 
field configuration can be comparable to the charge carriers drift 
velocity in the semiconductor. Thus, a calculated coefficient of 
wave delay can exceed 10³ in the periodic structure with nanolayers of celsian ceramics and n-InSb at liquid-nitrogen temperature at the magnetic fields 0,25…1 T. A physical reason for wave 
delay is connected with existence of the lowest frequency pass 
band of the thin-layer periodic structure allowing promotion along 
dispersion curve into the region of high values of the wave number 
modulus for a small period of the structure.
Теоретично досліджено особливості зонних спектрів періодичної структури з магнітоактивними напівпровідниковими шарами поблизу її характеристичних частот у 
субміліметровому діапазоні хвиль. Наведено методику дослідження. Показано, що в тонкошаровій періодичній структурі з 
поперечною конфігурацією зовнішнього магнітного поля 
фазова швидкість поверхневої хвилі може мати значення, 
порівнянне зі швидкістю дрейфу носіїв заряду в напівпровіднику. Так, у періодичній структурі з наношарами з цельзіанової кераміки й n-InSb при температурі рідкого азоту в 
магнітних полях 0,25…1 Тл, коефіцієнт уповільнення хвилі 
перевищує 10³. Фізична причина уповільнення хвилі пояснюється існуванням нижньої за частотою зони пропускання, яка 
допускає просування по дисперсійній кривій в область більших значень модуля хвильового числа при малому періоді 
тонкошарової періодичної структури.
|
| first_indexed | 2025-11-30T22:32:34Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-78059 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1028-821X |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-30T22:32:34Z |
| publishDate | 2011 |
| publisher | Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Булгаков, А.А. Кононенко, В.К. 2015-03-10T18:35:38Z 2015-03-10T18:35:38Z 2011 Медленные волны в периодической структуре с магнитоактивными полупроводниковыми слоями / А.А. Булгаков, В.К. Кононенко // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 2. — С. 63-70. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. 1028-821X https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78059 537.531 Теоретически исследованы особенности зонных спектров периодической структуры с магнитоактивными полупроводниковыми слоями вблизи ее характеристических частот в субмиллиметровом диапазоне волн. Приведена методика исследования. Показано, что в тонкослойной периодической структуре с поперечной конфигурацией внешнего магнитного поля фазовая скорость поверхностной волны может иметь значение, сравнимое со скоростью дрейфа носителей заряда в полупроводнике. Так, в периодической структуре с нанослоями из цельзиановой керамики и n-InSb при температуре жидкого азота в магнитных полях 0,25...1 Тл коэффициент замедления волны превышает 10³. Физическая причина замедления волны связана с существованием нижней по частоте зоны пропускания, допускающей продвижение по дисперсионной кривой в область больших значений модуля волнового числа при малом периоде тонкослойной периодической структуры. Features of zone spectra of the periodic structure with 
 magnetoactive semiconductor layers in the vicinity of its characteristic frequencies in submillimeter wavelength range were studied 
 theoretically. It is shown that the surface wave phase velocity in 
 the thin-layer periodic structure with transverse external magnetic 
 field configuration can be comparable to the charge carriers drift 
 velocity in the semiconductor. Thus, a calculated coefficient of 
 wave delay can exceed 10³ in the periodic structure with nanolayers of celsian ceramics and n-InSb at liquid-nitrogen temperature at the magnetic fields 0,25…1 T. A physical reason for wave 
 delay is connected with existence of the lowest frequency pass 
 band of the thin-layer periodic structure allowing promotion along 
 dispersion curve into the region of high values of the wave number 
 modulus for a small period of the structure. Теоретично досліджено особливості зонних спектрів періодичної структури з магнітоактивними напівпровідниковими шарами поблизу її характеристичних частот у 
 субміліметровому діапазоні хвиль. Наведено методику дослідження. Показано, що в тонкошаровій періодичній структурі з 
 поперечною конфігурацією зовнішнього магнітного поля 
 фазова швидкість поверхневої хвилі може мати значення, 
 порівнянне зі швидкістю дрейфу носіїв заряду в напівпровіднику. Так, у періодичній структурі з наношарами з цельзіанової кераміки й n-InSb при температурі рідкого азоту в 
 магнітних полях 0,25…1 Тл, коефіцієнт уповільнення хвилі 
 перевищує 10³. Фізична причина уповільнення хвилі пояснюється існуванням нижньої за частотою зони пропускання, яка 
 допускає просування по дисперсійній кривій в область більших значень модуля хвильового числа при малому періоді 
 тонкошарової періодичної структури. ru Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України Радіофізика та електроніка Вакуумна та твердотільна електроніка Медленные волны в периодической структуре с магнитоактивными полупроводниковыми слоями Повільні хвилі в періодичній структурі з магнітоактивними напівпровідниковими шарами Slow wales in a periodic structure with magnetoactive semiconductor layers Article published earlier |
| spellingShingle | Медленные волны в периодической структуре с магнитоактивными полупроводниковыми слоями Булгаков, А.А. Кононенко, В.К. Вакуумна та твердотільна електроніка |
| title | Медленные волны в периодической структуре с магнитоактивными полупроводниковыми слоями |
| title_alt | Повільні хвилі в періодичній структурі з магнітоактивними напівпровідниковими шарами Slow wales in a periodic structure with magnetoactive semiconductor layers |
| title_full | Медленные волны в периодической структуре с магнитоактивными полупроводниковыми слоями |
| title_fullStr | Медленные волны в периодической структуре с магнитоактивными полупроводниковыми слоями |
| title_full_unstemmed | Медленные волны в периодической структуре с магнитоактивными полупроводниковыми слоями |
| title_short | Медленные волны в периодической структуре с магнитоактивными полупроводниковыми слоями |
| title_sort | медленные волны в периодической структуре с магнитоактивными полупроводниковыми слоями |
| topic | Вакуумна та твердотільна електроніка |
| topic_facet | Вакуумна та твердотільна електроніка |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78059 |
| work_keys_str_mv | AT bulgakovaa medlennyevolnyvperiodičeskoistrukturesmagnitoaktivnymipoluprovodnikovymisloâmi AT kononenkovk medlennyevolnyvperiodičeskoistrukturesmagnitoaktivnymipoluprovodnikovymisloâmi AT bulgakovaa povílʹníhvilívperíodičníistrukturízmagnítoaktivniminapívprovídnikovimišarami AT kononenkovk povílʹníhvilívperíodičníistrukturízmagnítoaktivniminapívprovídnikovimišarami AT bulgakovaa slowwalesinaperiodicstructurewithmagnetoactivesemiconductorlayers AT kononenkovk slowwalesinaperiodicstructurewithmagnetoactivesemiconductorlayers |