Высокочастотный электронный ток через нестационарный туннельный переход

• Опубліковано в: : Радіофізика та електроніка
• Дата: 2011
• Автори: Абдулкадыров, Д.В., Белецкий, Н.Н., Борисенко, С.А.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2011
• Теми: Радіофізика твердого тіла та плазми
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78088
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Высокочастотный электронный ток через нестационарный туннельный переход / Д.В. Абдулкадыров, Н.Н. Белецкий, С.А. Борисенко // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 3. — С. 83-90. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.

Исследовано туннелирование электронов через нестационарный туннельный переход в режиме одноквантовых электронных переходов через потенциальный барьер. Учтено влияние теплового размытия энергии электронов в эмиттере и коллекторе на величину высокочастотного тока через нестационарный туннельный переход. Найдена зависимость высокочастотного электронного тока от частоты и приложенного постоянного напряжения смещения. Изучено влияние несимметричности потенциального барьера на величины активной и реактивной частей плотности высокочастотного электронного тока через нестационарный туннельный переход. The tunneling of electrons through a nonstationary 
 tunneling junction in the framework of the one-quantum electron 
 tunnel transition approximation is investigated. The effect of the 
 thermal energy distribution of electrons in the emitter and collector 
 of the tunnel junction is taken into account. The dependence of the 
 high-frequency electron current on the frequency and applied dc 
 bias voltage is found. The influence of the barrier asymmetry on 
 the active and reactive parts of the high-frequency electron current 
 is studied Досліджено тунелювання електронів крізь неста-
 ціонарний тунельний перехід у режимі одноквантових електронних переходів крізь потенційний бар’єр. Враховано вплив 
 теплового розмиття енергії електронів у емітері й колекторі на 
 величину високочастотного електронного струму крізь нестаціонарний тунельний перехід. Знайдено залежність високочастотного електронного струму від частоти і прикладеної постійної напруги зміщення. Вивчено вплив несиметричності потенційного бар’єра на величини активної та реактивної частин 
 щільності високочастотного електронного струму крізь нестаціонарний тунельний перехід.