Высокочастотный электронный ток через нестационарный туннельный переход

Исследовано туннелирование электронов через нестационарный туннельный переход в режиме одноквантовых электронных переходов через потенциальный барьер. Учтено влияние теплового размытия энергии электронов в эмиттере и коллекторе на величину высокочастотного тока через нестационарный туннельный перехо...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Радіофізика та електроніка
Дата:	2011
Автори:	Абдулкадыров, Д.В., Белецкий, Н.Н., Борисенко, С.А.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2011
Теми:	Радіофізика твердого тіла та плазми
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78088
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Высокочастотный электронный ток через нестационарный туннельный переход / Д.В. Абдулкадыров, Н.Н. Белецкий, С.А. Борисенко // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 3. — С. 83-90. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-78088
record_format	dspace
spelling	Абдулкадыров, Д.В. Белецкий, Н.Н. Борисенко, С.А. 2015-03-10T19:46:14Z 2015-03-10T19:46:14Z 2011 Высокочастотный электронный ток через нестационарный туннельный переход / Д.В. Абдулкадыров, Н.Н. Белецкий, С.А. Борисенко // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 3. — С. 83-90. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. 1028-821X https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78088 537.86 Исследовано туннелирование электронов через нестационарный туннельный переход в режиме одноквантовых электронных переходов через потенциальный барьер. Учтено влияние теплового размытия энергии электронов в эмиттере и коллекторе на величину высокочастотного тока через нестационарный туннельный переход. Найдена зависимость высокочастотного электронного тока от частоты и приложенного постоянного напряжения смещения. Изучено влияние несимметричности потенциального барьера на величины активной и реактивной частей плотности высокочастотного электронного тока через нестационарный туннельный переход. The tunneling of electrons through a nonstationary tunneling junction in the framework of the one-quantum electron tunnel transition approximation is investigated. The effect of the thermal energy distribution of electrons in the emitter and collector of the tunnel junction is taken into account. The dependence of the high-frequency electron current on the frequency and applied dc bias voltage is found. The influence of the barrier asymmetry on the active and reactive parts of the high-frequency electron current is studied Досліджено тунелювання електронів крізь неста- ціонарний тунельний перехід у режимі одноквантових електронних переходів крізь потенційний бар’єр. Враховано вплив теплового розмиття енергії електронів у емітері й колекторі на величину високочастотного електронного струму крізь нестаціонарний тунельний перехід. Знайдено залежність високочастотного електронного струму від частоти і прикладеної постійної напруги зміщення. Вивчено вплив несиметричності потенційного бар’єра на величини активної та реактивної частин щільності високочастотного електронного струму крізь нестаціонарний тунельний перехід. ru Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України Радіофізика та електроніка Радіофізика твердого тіла та плазми Высокочастотный электронный ток через нестационарный туннельный переход Hign-frequency electron current through a nonstationary tunnel junction Високочастотний електронний струм крізь нестаціонарний тенельний перехід Article published earlier
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
title	Высокочастотный электронный ток через нестационарный туннельный переход
spellingShingle	Высокочастотный электронный ток через нестационарный туннельный переход Абдулкадыров, Д.В. Белецкий, Н.Н. Борисенко, С.А. Радіофізика твердого тіла та плазми
title_short	Высокочастотный электронный ток через нестационарный туннельный переход
title_full	Высокочастотный электронный ток через нестационарный туннельный переход
title_fullStr	Высокочастотный электронный ток через нестационарный туннельный переход
title_full_unstemmed	Высокочастотный электронный ток через нестационарный туннельный переход
title_sort	высокочастотный электронный ток через нестационарный туннельный переход
author	Абдулкадыров, Д.В. Белецкий, Н.Н. Борисенко, С.А.
author_facet	Абдулкадыров, Д.В. Белецкий, Н.Н. Борисенко, С.А.
topic	Радіофізика твердого тіла та плазми
topic_facet	Радіофізика твердого тіла та плазми
publishDate	2011
language	Russian
container_title	Радіофізика та електроніка
publisher	Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
format	Article
title_alt	Hign-frequency electron current through a nonstationary tunnel junction Високочастотний електронний струм крізь нестаціонарний тенельний перехід
description	Исследовано туннелирование электронов через нестационарный туннельный переход в режиме одноквантовых электронных переходов через потенциальный барьер. Учтено влияние теплового размытия энергии электронов в эмиттере и коллекторе на величину высокочастотного тока через нестационарный туннельный переход. Найдена зависимость высокочастотного электронного тока от частоты и приложенного постоянного напряжения смещения. Изучено влияние несимметричности потенциального барьера на величины активной и реактивной частей плотности высокочастотного электронного тока через нестационарный туннельный переход. The tunneling of electrons through a nonstationary tunneling junction in the framework of the one-quantum electron tunnel transition approximation is investigated. The effect of the thermal energy distribution of electrons in the emitter and collector of the tunnel junction is taken into account. The dependence of the high-frequency electron current on the frequency and applied dc bias voltage is found. The influence of the barrier asymmetry on the active and reactive parts of the high-frequency electron current is studied Досліджено тунелювання електронів крізь неста- ціонарний тунельний перехід у режимі одноквантових електронних переходів крізь потенційний бар’єр. Враховано вплив теплового розмиття енергії електронів у емітері й колекторі на величину високочастотного електронного струму крізь нестаціонарний тунельний перехід. Знайдено залежність високочастотного електронного струму від частоти і прикладеної постійної напруги зміщення. Вивчено вплив несиметричності потенційного бар’єра на величини активної та реактивної частин щільності високочастотного електронного струму крізь нестаціонарний тунельний перехід.
issn	1028-821X
url	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78088
citation_txt	Высокочастотный электронный ток через нестационарный туннельный переход / Д.В. Абдулкадыров, Н.Н. Белецкий, С.А. Борисенко // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 3. — С. 83-90. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.
work_keys_str_mv	AT abdulkadyrovdv vysokočastotnyiélektronnyitokčereznestacionarnyitunnelʹnyiperehod AT beleckiinn vysokočastotnyiélektronnyitokčereznestacionarnyitunnelʹnyiperehod AT borisenkosa vysokočastotnyiélektronnyitokčereznestacionarnyitunnelʹnyiperehod AT abdulkadyrovdv hignfrequencyelectroncurrentthroughanonstationarytunneljunction AT beleckiinn hignfrequencyelectroncurrentthroughanonstationarytunneljunction AT borisenkosa hignfrequencyelectroncurrentthroughanonstationarytunneljunction AT abdulkadyrovdv visokočastotniielektronniistrumkrízʹnestacíonarniitenelʹniiperehíd AT beleckiinn visokočastotniielektronniistrumkrízʹnestacíonarniitenelʹniiperehíd AT borisenkosa visokočastotniielektronniistrumkrízʹnestacíonarniitenelʹniiperehíd
first_indexed	2025-12-07T15:12:18Z
last_indexed	2025-12-07T15:12:18Z
_version_	1850862823575388161

Высокочастотный электронный ток через нестационарный туннельный переход

Репозитарії

Схожі ресурси