Высокочастотный электронный ток через нестационарный туннельный переход

Исследовано туннелирование электронов через нестационарный туннельный переход в режиме одноквантовых электронных переходов через потенциальный барьер. Учтено влияние теплового размытия энергии электронов в эмиттере и коллекторе на величину высокочастотного тока через нестационарный туннельный перехо...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Радіофізика та електроніка
Date:2011
Main Authors: Абдулкадыров, Д.В., Белецкий, Н.Н., Борисенко, С.А.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2011
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78088
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Высокочастотный электронный ток через нестационарный туннельный переход / Д.В. Абдулкадыров, Н.Н. Белецкий, С.А. Борисенко // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 3. — С. 83-90. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862663637700706304
author Абдулкадыров, Д.В.
Белецкий, Н.Н.
Борисенко, С.А.
author_facet Абдулкадыров, Д.В.
Белецкий, Н.Н.
Борисенко, С.А.
citation_txt Высокочастотный электронный ток через нестационарный туннельный переход / Д.В. Абдулкадыров, Н.Н. Белецкий, С.А. Борисенко // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 3. — С. 83-90. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Радіофізика та електроніка
description Исследовано туннелирование электронов через нестационарный туннельный переход в режиме одноквантовых электронных переходов через потенциальный барьер. Учтено влияние теплового размытия энергии электронов в эмиттере и коллекторе на величину высокочастотного тока через нестационарный туннельный переход. Найдена зависимость высокочастотного электронного тока от частоты и приложенного постоянного напряжения смещения. Изучено влияние несимметричности потенциального барьера на величины активной и реактивной частей плотности высокочастотного электронного тока через нестационарный туннельный переход. The tunneling of electrons through a nonstationary 
 tunneling junction in the framework of the one-quantum electron 
 tunnel transition approximation is investigated. The effect of the 
 thermal energy distribution of electrons in the emitter and collector 
 of the tunnel junction is taken into account. The dependence of the 
 high-frequency electron current on the frequency and applied dc 
 bias voltage is found. The influence of the barrier asymmetry on 
 the active and reactive parts of the high-frequency electron current 
 is studied Досліджено тунелювання електронів крізь неста-
 ціонарний тунельний перехід у режимі одноквантових електронних переходів крізь потенційний бар’єр. Враховано вплив 
 теплового розмиття енергії електронів у емітері й колекторі на 
 величину високочастотного електронного струму крізь нестаціонарний тунельний перехід. Знайдено залежність високочастотного електронного струму від частоти і прикладеної постійної напруги зміщення. Вивчено вплив несиметричності потенційного бар’єра на величини активної та реактивної частин 
 щільності високочастотного електронного струму крізь нестаціонарний тунельний перехід.
first_indexed 2025-12-07T15:12:18Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-78088
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1028-821X
language Russian
last_indexed 2025-12-07T15:12:18Z
publishDate 2011
publisher Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
record_format dspace
spelling Абдулкадыров, Д.В.
Белецкий, Н.Н.
Борисенко, С.А.
2015-03-10T19:46:14Z
2015-03-10T19:46:14Z
2011
Высокочастотный электронный ток через нестационарный туннельный переход / Д.В. Абдулкадыров, Н.Н. Белецкий, С.А. Борисенко // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 3. — С. 83-90. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.
1028-821X
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78088
537.86
Исследовано туннелирование электронов через нестационарный туннельный переход в режиме одноквантовых электронных переходов через потенциальный барьер. Учтено влияние теплового размытия энергии электронов в эмиттере и коллекторе на величину высокочастотного тока через нестационарный туннельный переход. Найдена зависимость высокочастотного электронного тока от частоты и приложенного постоянного напряжения смещения. Изучено влияние несимметричности потенциального барьера на величины активной и реактивной частей плотности высокочастотного электронного тока через нестационарный туннельный переход.
The tunneling of electrons through a nonstationary 
 tunneling junction in the framework of the one-quantum electron 
 tunnel transition approximation is investigated. The effect of the 
 thermal energy distribution of electrons in the emitter and collector 
 of the tunnel junction is taken into account. The dependence of the 
 high-frequency electron current on the frequency and applied dc 
 bias voltage is found. The influence of the barrier asymmetry on 
 the active and reactive parts of the high-frequency electron current 
 is studied
Досліджено тунелювання електронів крізь неста-
 ціонарний тунельний перехід у режимі одноквантових електронних переходів крізь потенційний бар’єр. Враховано вплив 
 теплового розмиття енергії електронів у емітері й колекторі на 
 величину високочастотного електронного струму крізь нестаціонарний тунельний перехід. Знайдено залежність високочастотного електронного струму від частоти і прикладеної постійної напруги зміщення. Вивчено вплив несиметричності потенційного бар’єра на величини активної та реактивної частин 
 щільності високочастотного електронного струму крізь нестаціонарний тунельний перехід.
ru
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
Радіофізика та електроніка
Радіофізика твердого тіла та плазми
Высокочастотный электронный ток через нестационарный туннельный переход
Hign-frequency electron current through a nonstationary tunnel junction
Високочастотний електронний струм крізь нестаціонарний тенельний перехід
Article
published earlier
spellingShingle Высокочастотный электронный ток через нестационарный туннельный переход
Абдулкадыров, Д.В.
Белецкий, Н.Н.
Борисенко, С.А.
Радіофізика твердого тіла та плазми
title Высокочастотный электронный ток через нестационарный туннельный переход
title_alt Hign-frequency electron current through a nonstationary tunnel junction
Високочастотний електронний струм крізь нестаціонарний тенельний перехід
title_full Высокочастотный электронный ток через нестационарный туннельный переход
title_fullStr Высокочастотный электронный ток через нестационарный туннельный переход
title_full_unstemmed Высокочастотный электронный ток через нестационарный туннельный переход
title_short Высокочастотный электронный ток через нестационарный туннельный переход
title_sort высокочастотный электронный ток через нестационарный туннельный переход
topic Радіофізика твердого тіла та плазми
topic_facet Радіофізика твердого тіла та плазми
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78088
work_keys_str_mv AT abdulkadyrovdv vysokočastotnyiélektronnyitokčereznestacionarnyitunnelʹnyiperehod
AT beleckiinn vysokočastotnyiélektronnyitokčereznestacionarnyitunnelʹnyiperehod
AT borisenkosa vysokočastotnyiélektronnyitokčereznestacionarnyitunnelʹnyiperehod
AT abdulkadyrovdv hignfrequencyelectroncurrentthroughanonstationarytunneljunction
AT beleckiinn hignfrequencyelectroncurrentthroughanonstationarytunneljunction
AT borisenkosa hignfrequencyelectroncurrentthroughanonstationarytunneljunction
AT abdulkadyrovdv visokočastotniielektronniistrumkrízʹnestacíonarniitenelʹniiperehíd
AT beleckiinn visokočastotniielektronniistrumkrízʹnestacíonarniitenelʹniiperehíd
AT borisenkosa visokočastotniielektronniistrumkrízʹnestacíonarniitenelʹniiperehíd