Генерация и умножение частоты диодами с туннельными границами на основе GaAs
Исследованы вольтамперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами (ТГ) в структурах типа "сэндвич" на основе GaAs. Показано, как влияют сопротивления между контактами диодной структуры и сопротивления, включенные последовательно с ТГ, на эффективность генера...
Saved in:
| Published in: | Радіофізика та електроніка |
|---|---|
| Date: | 2011 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2011
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78089 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Генерация и умножение частоты диодами с туннельными границами на основе GaAs / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Клименко // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 3. — С. 91-96. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-78089 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Прохоров, Э.Д. Боцула, О.В. Клименко, О.А. 2015-03-10T19:47:23Z 2015-03-10T19:47:23Z 2011 Генерация и умножение частоты диодами с туннельными границами на основе GaAs / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Клименко // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 3. — С. 91-96. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 1028-821X https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78089 621.382.2 Исследованы вольтамперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами (ТГ) в структурах типа "сэндвич" на основе GaAs. Показано, как влияют сопротивления между контактами диодной структуры и сопротивления, включенные последовательно с ТГ, на эффективность генерации на основной частоте и частотах гармоник. Оценен частотный предел работы диодов с ТГ. Показана возможность генерации гармоник и умножения частоты на диодах с ТГ в диапазоне десятки-сотни гигагерц. The current-voltage characteristics and the generation efficiency diodes with tunnel boundaries (TB) in structures of the «sandwich» based on GaAs are investigated. The effect of resistance between the contacts of the diode structure and the resistance in series with the TG on the efficiency of generation at the fundamental and harmonic frequencies is shown. Frequency limit of the diodes with TB is estimated. The possibility of harmonic generation and frequency multiplication using diodes with TG in the range of tens to hundreds of gigahertz is shown. Досліджено вольт-амперні характеристики та ефективність генерації діодів з тунельними межами в структурах типу «сандвич» на основі GaAs. Показано, як впливають опори між контактами діодної структури й опори, включені послідовно з тунельною межою, на ефективність генерації на основній частоті та частотах гармонік. Оцінено частотну границю роботи діодів з тунельними межами. Показано можливість генерації гармонік і множення частоти на діодах з тунельною межою в діапазоні десятки-сотні гігагерц. ru Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України Радіофізика та електроніка Вакуумна та твердотільна електроніка Генерация и умножение частоты диодами с туннельными границами на основе GaAs Generation and frequency multiplication by diodes with tunnel boundaries based on GaAs Генерація і множення частоти діодами з тунельними межами на основі GaAs Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Генерация и умножение частоты диодами с туннельными границами на основе GaAs |
| spellingShingle |
Генерация и умножение частоты диодами с туннельными границами на основе GaAs Прохоров, Э.Д. Боцула, О.В. Клименко, О.А. Вакуумна та твердотільна електроніка |
| title_short |
Генерация и умножение частоты диодами с туннельными границами на основе GaAs |
| title_full |
Генерация и умножение частоты диодами с туннельными границами на основе GaAs |
| title_fullStr |
Генерация и умножение частоты диодами с туннельными границами на основе GaAs |
| title_full_unstemmed |
Генерация и умножение частоты диодами с туннельными границами на основе GaAs |
| title_sort |
генерация и умножение частоты диодами с туннельными границами на основе gaas |
| author |
Прохоров, Э.Д. Боцула, О.В. Клименко, О.А. |
| author_facet |
Прохоров, Э.Д. Боцула, О.В. Клименко, О.А. |
| topic |
Вакуумна та твердотільна електроніка |
| topic_facet |
Вакуумна та твердотільна електроніка |
| publishDate |
2011 |
| language |
Russian |
| container_title |
Радіофізика та електроніка |
| publisher |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Generation and frequency multiplication by diodes with tunnel boundaries based on GaAs Генерація і множення частоти діодами з тунельними межами на основі GaAs |
| description |
Исследованы вольтамперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами (ТГ) в структурах типа "сэндвич" на основе GaAs. Показано, как влияют сопротивления между контактами диодной структуры и сопротивления, включенные последовательно с ТГ, на эффективность генерации на основной частоте и частотах гармоник. Оценен частотный предел работы диодов с ТГ. Показана возможность генерации гармоник и умножения частоты на диодах с ТГ в диапазоне десятки-сотни гигагерц.
The current-voltage characteristics and the generation
efficiency diodes with tunnel boundaries (TB) in structures of the
«sandwich» based on GaAs are investigated. The effect of resistance between the contacts of the diode structure and the resistance
in series with the TG on the efficiency of generation at the fundamental and harmonic frequencies is shown. Frequency limit of the
diodes with TB is estimated. The possibility of harmonic generation and frequency multiplication using diodes with TG in the
range of tens to hundreds of gigahertz is shown.
Досліджено вольт-амперні характеристики та ефективність генерації діодів з тунельними межами в структурах типу
«сандвич» на основі GaAs. Показано, як впливають опори між
контактами діодної структури й опори, включені послідовно з
тунельною межою, на ефективність генерації на основній
частоті та частотах гармонік. Оцінено частотну границю роботи діодів з тунельними межами. Показано можливість генерації гармонік і множення частоти на діодах з тунельною межою
в діапазоні десятки-сотні гігагерц.
|
| issn |
1028-821X |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78089 |
| citation_txt |
Генерация и умножение частоты диодами с туннельными границами на основе GaAs / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Клименко // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 3. — С. 91-96. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT prohorovéd generaciâiumnoženiečastotydiodamistunnelʹnymigranicaminaosnovegaas AT boculaov generaciâiumnoženiečastotydiodamistunnelʹnymigranicaminaosnovegaas AT klimenkooa generaciâiumnoženiečastotydiodamistunnelʹnymigranicaminaosnovegaas AT prohorovéd generationandfrequencymultiplicationbydiodeswithtunnelboundariesbasedongaas AT boculaov generationandfrequencymultiplicationbydiodeswithtunnelboundariesbasedongaas AT klimenkooa generationandfrequencymultiplicationbydiodeswithtunnelboundariesbasedongaas AT prohorovéd generacíâímnožennâčastotidíodamiztunelʹnimimežaminaosnovígaas AT boculaov generacíâímnožennâčastotidíodamiztunelʹnimimežaminaosnovígaas AT klimenkooa generacíâímnožennâčastotidíodamiztunelʹnimimežaminaosnovígaas |
| first_indexed |
2025-12-01T22:47:48Z |
| last_indexed |
2025-12-01T22:47:48Z |
| _version_ |
1850861081348538369 |