Генерация и умножение частоты диодами с туннельными границами на основе GaAs
Исследованы вольтамперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами (ТГ) в структурах типа "сэндвич" на основе GaAs. Показано, как влияют сопротивления между контактами диодной структуры и сопротивления, включенные последовательно с ТГ, на эффективность генера...
Saved in:
| Published in: | Радіофізика та електроніка |
|---|---|
| Date: | 2011 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2011
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78089 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Генерация и умножение частоты диодами с туннельными границами на основе GaAs / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Клименко // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 3. — С. 91-96. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |