Генерация и умножение частоты диодами с туннельными границами на основе GaAs

• Published in: Радіофізика та електроніка
• Date: 2011
• Main Authors: Прохоров, Э.Д., Боцула, О.В., Клименко, О.А.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2011
• Subjects: Вакуумна та твердотільна електроніка
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78089
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Генерация и умножение частоты диодами с туннельными границами на основе GaAs / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Клименко // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 3. — С. 91-96. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Исследованы вольтамперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами (ТГ) в структурах типа "сэндвич" на основе GaAs. Показано, как влияют сопротивления между контактами диодной структуры и сопротивления, включенные последовательно с ТГ, на эффективность генера...