Генерация и умножение частоты диодами с туннельными границами на основе GaAs
Исследованы вольтамперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами (ТГ) в структурах типа "сэндвич" на основе GaAs. Показано, как влияют сопротивления между контактами диодной структуры и сопротивления, включенные последовательно с ТГ, на эффективность генера...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Радіофізика та електроніка |
|---|---|
| Дата: | 2011 |
| Автори: | Прохоров, Э.Д., Боцула, О.В., Клименко, О.А. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2011
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78089 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Генерация и умножение частоты диодами с туннельными границами на основе GaAs / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Клименко // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 3. — С. 91-96. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами
за авторством: Прохоров, Э.Д., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Прохоров, Э.Д., та інші
Опубліковано: (2011)
О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2011)
Исследование и проектирование отборника мощности для электровакуумного умножителя частоты субмиллиметрового диапазона волн
за авторством: Мильчо, М.В.
Опубліковано: (2019)
за авторством: Мильчо, М.В.
Опубліковано: (2019)
Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2011)
Разработка компактных генераторных комплексов на основе клинотронов терагерцевого диапазона в ИРЭ им. А.Я. Усикова НАН Украины
за авторством: Лихачев, А.А., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Лихачев, А.А., та інші
Опубліковано: (2019)
Исследование особенностей генерации твердотельных лазеров на красителях при поперечном способе возбуждения
за авторством: Николаев, С.В., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Николаев, С.В., та інші
Опубліковано: (2011)
Медленные волны в периодической структуре с магнитоактивными полупроводниковыми слоями
за авторством: Булгаков, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Булгаков, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)
Декомпозиция лазерно-индуцированных эмиссионных спектров
за авторством: Дзюбенко, М.И., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Дзюбенко, М.И., та інші
Опубліковано: (2011)
Параметры вторично-электронных процессов в однородных ВЧ-СВЧ электрических полях резонаторных структур
за авторством: Лобзов, Л.Д.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Лобзов, Л.Д.
Опубліковано: (2011)
Применение HCN-лазера для измерения фазовых характеристик одномерных проволочных решеток
за авторством: Андренко, С.А., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Андренко, С.А., та інші
Опубліковано: (2011)
Влияние продольного электростатического поля на ширину спектра мультигармонической волны пространственного заряда в двухпотоковом супергетеродинном ЛСЭ с винтовым электронным пучком
за авторством: Лысенко, А.В., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Лысенко, А.В., та інші
Опубліковано: (2020)
Графическое моделирование формы импульса излучения терагерцевого газоразрядного лазера
за авторством: Киселев, В.К., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Киселев, В.К., та інші
Опубліковано: (2011)
Електричні і фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних структур МoN/n-Si
за авторством: Солован, М.М., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Солован, М.М., та інші
Опубліковано: (2019)
Возбуждение переходного излучения в миллиметровом диапазоне электронными сгустками, падающими на проволочный экран
за авторством: Ефимов, Б.П., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Ефимов, Б.П., та інші
Опубліковано: (2011)
Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs
за авторством: Прохоров, Э.Д., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Прохоров, Э.Д., та інші
Опубліковано: (2012)
Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами
за авторством: Прохоров, Э.Д., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Прохоров, Э.Д., та інші
Опубліковано: (2010)
Эффективность генерации диодов с резонансно-туннельными границами в "сэндвич"-варианте
за авторством: Прохоров, Э.Д., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Прохоров, Э.Д., та інші
Опубліковано: (2012)
Эффективность генерации планарных диодов n⁺−n−n⁺ c туннельными границами
за авторством: Прохоров, Э.Д., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Прохоров, Э.Д., та інші
Опубліковано: (2014)
Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN
за авторством: Боцула, О.В., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Боцула, О.В., та інші
Опубліковано: (2008)
Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2007)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)
Снижение уровня техногенного магнитного поля промышленной частоты внутри заданной области пространства методами активного экранирования на основе алгоритмов стохастической мультиагентной оптимизации
за авторством: Кузнецов, Б.И., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Кузнецов, Б.И., та інші
Опубліковано: (2015)
A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012)
GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)
Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
Моделирование мощного частотно-регулируемого электропривода, выполненного на основе многопульсного инвертора тока
за авторством: Жемеров, Г.Г., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Жемеров, Г.Г., та інші
Опубліковано: (2013)
Экспериментальные исследования системы активного экранирования техногенного магнитного поля промышленной частоты с различными алгоритмами управления с помощью одной обмотки
за авторством: Кузнецов, Б.И., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Кузнецов, Б.И., та інші
Опубліковано: (2015)
Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2000)
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2003)
Уменьшение потерь энергии в коммунальных Smart Grid сетях за счет перехода от однофазных к трехфазным системам электроснабжения
за авторством: Жемеров, Г.Г., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Жемеров, Г.Г., та інші
Опубліковано: (2014)
КПД двухпульсного мостового неуправляемого выпрямителя с емкостным фильтром
за авторством: Жемеров, Г.Г., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Жемеров, Г.Г., та інші
Опубліковано: (2012)
Алгоритм прогнозуючого управління трифазного силового активного фільтру
за авторством: Власенко, Р.В., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Власенко, Р.В., та інші
Опубліковано: (2014)
Выбор индуктивности реакторов активного выпрямителя – источника напряжения при постоянной частоте ШИМ
за авторством: Жемеров, Г.Г., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Жемеров, Г.Г., та інші
Опубліковано: (2011)
Системы электроснабжения метрополитена с современными полупроводниковыми пеобразователями и накопителями энергии
за авторством: Жемеров, Г.Г., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Жемеров, Г.Г., та інші
Опубліковано: (2013)
Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs
за авторством: Kovachov, S. S., та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Kovachov, S. S., та інші
Опубліковано: (2024)
Сопоставление преобразовательных систем высоковольтного частотно-регулируемого электропривода переменного тока
за авторством: Жемеров, Г.Г., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Жемеров, Г.Г., та інші
Опубліковано: (2013)
Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2004)
Optical properties of GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs quantum dot with off-central impurity driven by electric field
за авторством: Holovatsky, V.A., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Holovatsky, V.A., та інші
Опубліковано: (2018)
Схожі ресурси
-
Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами
за авторством: Прохоров, Э.Д., та інші
Опубліковано: (2011) -
О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2011) -
Исследование и проектирование отборника мощности для электровакуумного умножителя частоты субмиллиметрового диапазона волн
за авторством: Мильчо, М.В.
Опубліковано: (2019) -
Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2011) -
Разработка компактных генераторных комплексов на основе клинотронов терагерцевого диапазона в ИРЭ им. А.Я. Усикова НАН Украины
за авторством: Лихачев, А.А., та інші
Опубліковано: (2019)