Buchumschlag

Генерация и умножение частоты диодами с туннельными границами на основе GaAs

Исследованы вольтамперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами (ТГ) в структурах типа "сэндвич" на основе GaAs. Показано, как влияют сопротивления между контактами диодной структуры и сопротивления, включенные последовательно с ТГ, на эффективность генера...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Радіофізика та електроніка
Datum:	2011
ISSN:	1028-821X
Hauptverfasser:	Прохоров, Э.Д., Боцула, О.В., Клименко, О.А.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2011
Schlagworte:	Вакуумна та твердотільна електроніка
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78089
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Генерация и умножение частоты диодами с туннельными границами на основе GaAs / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Клименко // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 3. — С. 91-96. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами
von: Прохоров, Э.Д., et al.
Veröffentlicht: (2011)

О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Исследование и проектирование отборника мощности для электровакуумного умножителя частоты субмиллиметрового диапазона волн
von: Мильчо, М.В.
Veröffentlicht: (2019)

Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Разработка компактных генераторных комплексов на основе клинотронов терагерцевого диапазона в ИРЭ им. А.Я. Усикова НАН Украины
von: Лихачев, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Декомпозиция лазерно-индуцированных эмиссионных спектров
von: Дзюбенко, М.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Исследование особенностей генерации твердотельных лазеров на красителях при поперечном способе возбуждения
von: Николаев, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Графическое моделирование формы импульса излучения терагерцевого газоразрядного лазера
von: Киселев, В.К., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Параметры вторично-электронных процессов в однородных ВЧ-СВЧ электрических полях резонаторных структур
von: Лобзов, Л.Д.
Veröffentlicht: (2011)

Применение HCN-лазера для измерения фазовых характеристик одномерных проволочных решеток
von: Андренко, С.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Возбуждение переходного излучения в миллиметровом диапазоне электронными сгустками, падающими на проволочный экран
von: Ефимов, Б.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Влияние продольного электростатического поля на ширину спектра мультигармонической волны пространственного заряда в двухпотоковом супергетеродинном ЛСЭ с винтовым электронным пучком
von: Лысенко, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2020)

Медленные волны в периодической структуре с магнитоактивными полупроводниковыми слоями
von: Булгаков, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Електричні і фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних структур МoN/n-Si
von: Солован, М.М., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Генерация гармоник и умножение частоты при ударной ионизации в GaN-диодах
von: Боцула, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs
von: Прохоров, Э.Д., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами
von: Прохоров, Э.Д., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Эффективность генерации диодов с резонансно-туннельными границами в "сэндвич"-варианте
von: Прохоров, Э.Д., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Эффективность генерации планарных диодов n⁺−n−n⁺ c туннельными границами
von: Прохоров, Э.Д., et al.
Veröffentlicht: (2014)

GaAs диоды Ганна с AlAs-GaAs-AlAs резонансно туннельным катодом
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs
von: Прохоров, Э.Д., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна
von: Аркуша, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN
von: Боцула, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: V. V. Vainberg, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: Vainberg, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Снижение уровня техногенного магнитного поля промышленной частоты внутри заданной области пространства методами активного экранирования на основе алгоритмов стохастической мультиагентной оптимизации
von: Кузнецов, Б.И., et al.
Veröffentlicht: (2015)

A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
von: Sghaier, H., et al.
Veröffentlicht: (2012)

GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
von: Storozhenko, I. P., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
von: Karimov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Моделирование мощного частотно-регулируемого электропривода, выполненного на основе многопульсного инвертора тока
von: Жемеров, Г.Г., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Экспериментальные исследования системы активного экранирования техногенного магнитного поля промышленной частоты с различными алгоритмами управления с помощью одной обмотки
von: Кузнецов, Б.И., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
von: Arkusha, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Instability of homogeneous composition of highly strained quantum wells in heterostructures GaAs/InxGa₁₋xAs/GaAs
von: Klimovskaya, A.I., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy
von: Kladko, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Алгоритм прогнозуючого управління трифазного силового активного фільтру
von: Власенко, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Уменьшение потерь энергии в коммунальных Smart Grid сетях за счет перехода от однофазных к трехфазным системам электроснабжения
von: Жемеров, Г.Г., et al.
Veröffentlicht: (2014)

КПД двухпульсного мостового неуправляемого выпрямителя с емкостным фильтром
von: Жемеров, Г.Г., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs–InGaAs–AlGaAs
von: Krukovsky, S. I., et al.
Veröffentlicht: (2003)