СТМ-анализы поверхностной структуры графита, подвергнутого импульсному облучению осколками деления
Разработана методика облучения конструкционных материалов осколками деления в растворных импульсных ядерных реакторах. С помощью метода сканирующей туннельной микроскопии проведены исследования структуры поверхности высокоориентированного пиролитического графита (ВОПГ), подвергнутого импульсному обл...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Datum: | 2000 |
| Hauptverfasser: | , , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2000
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78141 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | СТМ-анализы поверхностной структуры графита, подвергнутого импульсному облучению осколками деления / М.А. Козодаев, О.Н. Макеев, В.П. Бабаев, А.Л. Суворов, В.Ф. Хохряков, Л.А. Осадчук, Б.Г. Леваков, А.Г. Залужный // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 4. — С. 31-33. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |