Формирование TiNx покрытий конденсацией плазмы падением потенциала
Приведены результаты исследований свойств покрытий, полученных осаждением Ti плазмы дугового разряда низкого давления в режиме положительного анодного падения потенциала в зависимости от давления активного газа (N₂ и N₂+C₂H₂) и ускоряющего отрицательного потенциала подложки. Часть экспериментов посв...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Дата: | 2000 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2000
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78214 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Формирование TiNx покрытий конденсацией плазмы падением потенциала / В.В. Кунченко, И.И. Аксенов // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 4. — С. 165-172. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-78214 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Кунченко, В.В. Аксенов, И.И. 2015-03-12T20:11:21Z 2015-03-12T20:11:21Z 2000 Формирование TiNx покрытий конденсацией плазмы падением потенциала / В.В. Кунченко, И.И. Аксенов // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 4. — С. 165-172. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78214 533.9 Приведены результаты исследований свойств покрытий, полученных осаждением Ti плазмы дугового разряда низкого давления в режиме положительного анодного падения потенциала в зависимости от давления активного газа (N₂ и N₂+C₂H₂) и ускоряющего отрицательного потенциала подложки. Часть экспериментов посвящена изучению роли добавки ацетилена в формировании свойств получаемых покрытий. Показана перспективность практического применения получаемых таким способом покрытий. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика радиационных и ионно-плазменных технологий Формирование TiNx покрытий конденсацией плазмы падением потенциала Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Формирование TiNx покрытий конденсацией плазмы падением потенциала |
| spellingShingle |
Формирование TiNx покрытий конденсацией плазмы падением потенциала Кунченко, В.В. Аксенов, И.И. Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| title_short |
Формирование TiNx покрытий конденсацией плазмы падением потенциала |
| title_full |
Формирование TiNx покрытий конденсацией плазмы падением потенциала |
| title_fullStr |
Формирование TiNx покрытий конденсацией плазмы падением потенциала |
| title_full_unstemmed |
Формирование TiNx покрытий конденсацией плазмы падением потенциала |
| title_sort |
формирование tinx покрытий конденсацией плазмы падением потенциала |
| author |
Кунченко, В.В. Аксенов, И.И. |
| author_facet |
Кунченко, В.В. Аксенов, И.И. |
| topic |
Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| topic_facet |
Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| publishDate |
2000 |
| language |
Russian |
| container_title |
Вопросы атомной науки и техники |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| format |
Article |
| description |
Приведены результаты исследований свойств покрытий, полученных осаждением Ti плазмы дугового разряда низкого давления в режиме положительного анодного падения потенциала в зависимости от давления активного газа (N₂ и N₂+C₂H₂) и ускоряющего отрицательного потенциала подложки. Часть экспериментов посвящена изучению роли добавки ацетилена в формировании свойств получаемых покрытий. Показана перспективность практического применения получаемых таким способом покрытий.
|
| issn |
1562-6016 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78214 |
| citation_txt |
Формирование TiNx покрытий конденсацией плазмы падением потенциала / В.В. Кунченко, И.И. Аксенов // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 4. — С. 165-172. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT kunčenkovv formirovanietinxpokrytiikondensacieiplazmypadeniempotenciala AT aksenovii formirovanietinxpokrytiikondensacieiplazmypadeniempotenciala |
| first_indexed |
2025-12-07T19:14:52Z |
| last_indexed |
2025-12-07T19:14:52Z |
| _version_ |
1850878085551882241 |