Формирование TiNx покрытий конденсацией плазмы падением потенциала

Приведены результаты исследований свойств покрытий, полученных осаждением Ti плазмы дугового разряда низкого давления в режиме положительного анодного падения потенциала в зависимости от давления активного газа (N₂ и N₂+C₂H₂) и ускоряющего отрицательного потенциала подложки. Часть экспериментов посв...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Вопросы атомной науки и техники
Date:2000
Main Authors: Кунченко, В.В., Аксенов, И.И.
Format: Article
Language:Russian
Published: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2000
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78214
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Формирование TiNx покрытий конденсацией плазмы падением потенциала / В.В. Кунченко, И.И. Аксенов // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 4. — С. 165-172. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862729447101169664
author Кунченко, В.В.
Аксенов, И.И.
author_facet Кунченко, В.В.
Аксенов, И.И.
citation_txt Формирование TiNx покрытий конденсацией плазмы падением потенциала / В.В. Кунченко, И.И. Аксенов // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 4. — С. 165-172. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Вопросы атомной науки и техники
description Приведены результаты исследований свойств покрытий, полученных осаждением Ti плазмы дугового разряда низкого давления в режиме положительного анодного падения потенциала в зависимости от давления активного газа (N₂ и N₂+C₂H₂) и ускоряющего отрицательного потенциала подложки. Часть экспериментов посвящена изучению роли добавки ацетилена в формировании свойств получаемых покрытий. Показана перспективность практического применения получаемых таким способом покрытий.
first_indexed 2025-12-07T19:14:52Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-78214
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1562-6016
language Russian
last_indexed 2025-12-07T19:14:52Z
publishDate 2000
publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
record_format dspace
spelling Кунченко, В.В.
Аксенов, И.И.
2015-03-12T20:11:21Z
2015-03-12T20:11:21Z
2000
Формирование TiNx покрытий конденсацией плазмы падением потенциала / В.В. Кунченко, И.И. Аксенов // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 4. — С. 165-172. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.
1562-6016
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78214
533.9
Приведены результаты исследований свойств покрытий, полученных осаждением Ti плазмы дугового разряда низкого давления в режиме положительного анодного падения потенциала в зависимости от давления активного газа (N₂ и N₂+C₂H₂) и ускоряющего отрицательного потенциала подложки. Часть экспериментов посвящена изучению роли добавки ацетилена в формировании свойств получаемых покрытий. Показана перспективность практического применения получаемых таким способом покрытий.
ru
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
Вопросы атомной науки и техники
Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
Формирование TiNx покрытий конденсацией плазмы падением потенциала
Article
published earlier
spellingShingle Формирование TiNx покрытий конденсацией плазмы падением потенциала
Кунченко, В.В.
Аксенов, И.И.
Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
title Формирование TiNx покрытий конденсацией плазмы падением потенциала
title_full Формирование TiNx покрытий конденсацией плазмы падением потенциала
title_fullStr Формирование TiNx покрытий конденсацией плазмы падением потенциала
title_full_unstemmed Формирование TiNx покрытий конденсацией плазмы падением потенциала
title_short Формирование TiNx покрытий конденсацией плазмы падением потенциала
title_sort формирование tinx покрытий конденсацией плазмы падением потенциала
topic Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
topic_facet Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78214
work_keys_str_mv AT kunčenkovv formirovanietinxpokrytiikondensacieiplazmypadeniempotenciala
AT aksenovii formirovanietinxpokrytiikondensacieiplazmypadeniempotenciala