Формирование TiNx покрытий конденсацией плазмы падением потенциала
Приведены результаты исследований свойств покрытий, полученных осаждением Ti плазмы дугового разряда низкого давления в режиме положительного анодного падения потенциала в зависимости от давления активного газа (N₂ и N₂+C₂H₂) и ускоряющего отрицательного потенциала подложки. Часть экспериментов посв...
Saved in:
| Published in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Date: | 2000 |
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2000
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78214 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Формирование TiNx покрытий конденсацией плазмы падением потенциала / В.В. Кунченко, И.И. Аксенов // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 4. — С. 165-172. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. |