Формирование TiNx покрытий конденсацией плазмы падением потенциала

• Published in: Вопросы атомной науки и техники
• Date: 2000
• ISSN: 1562-6016
• Main Authors: Кунченко, В.В., Аксенов, И.И.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2000
• Subjects: Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78214
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Формирование TiNx покрытий конденсацией плазмы падением потенциала / В.В. Кунченко, И.И. Аксенов // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 4. — С. 165-172. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.

Приведены результаты исследований свойств покрытий, полученных осаждением Ti плазмы дугового разряда низкого давления в режиме положительного анодного падения потенциала в зависимости от давления активного газа (N₂ и N₂+C₂H₂) и ускоряющего отрицательного потенциала подложки. Часть экспериментов посв...