Механизм начального этапа роста пленок Cr, полученных при помощи магнетронного распыления на постоянном токе
Методом микродифракции электронов и просвечивающей электронной микроскопии был исследован механизм образования пленок Cr, осажденных на сколы NaCl при помощи магнетронного распыления на постоянном токе. При повышении энергии конденсируемых атомов, а также при снижении скорости наращивания пленки и п...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Datum: | 2000 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2000
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78215 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Механизм начального этапа роста пленок Cr, полученных при помощи магнетронного распыления на постоянном токе / В.И. Перекрестов, С.Н. Кравченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 4. — С. 173-175. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862730360721244160 |
|---|---|
| author | Перекрестов, В.И. Кравченко, С.Н. |
| author_facet | Перекрестов, В.И. Кравченко, С.Н. |
| citation_txt | Механизм начального этапа роста пленок Cr, полученных при помощи магнетронного распыления на постоянном токе / В.И. Перекрестов, С.Н. Кравченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 4. — С. 173-175. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | Методом микродифракции электронов и просвечивающей электронной микроскопии был исследован механизм образования пленок Cr, осажденных на сколы NaCl при помощи магнетронного распыления на постоянном токе. При повышении энергии конденсируемых атомов, а также при снижении скорости наращивания пленки и повышении температуры осаждения усиливается тенденция к зарождению сверхтонких пленок в виде метастабильной аморфной фазы (АФ). Переход из аморфного в кристаллическое состояние происходит в процессе наращивания пленки и при весомом вкладе диффузионных потоков в направлении АФ→кристалл.
|
| first_indexed | 2025-12-07T19:19:50Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-78215 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T19:19:50Z |
| publishDate | 2000 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Перекрестов, В.И. Кравченко, С.Н. 2015-03-12T20:12:11Z 2015-03-12T20:12:11Z 2000 Механизм начального этапа роста пленок Cr, полученных при помощи магнетронного распыления на постоянном токе / В.И. Перекрестов, С.Н. Кравченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 4. — С. 173-175. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78215 533.9 Методом микродифракции электронов и просвечивающей электронной микроскопии был исследован механизм образования пленок Cr, осажденных на сколы NaCl при помощи магнетронного распыления на постоянном токе. При повышении энергии конденсируемых атомов, а также при снижении скорости наращивания пленки и повышении температуры осаждения усиливается тенденция к зарождению сверхтонких пленок в виде метастабильной аморфной фазы (АФ). Переход из аморфного в кристаллическое состояние происходит в процессе наращивания пленки и при весомом вкладе диффузионных потоков в направлении АФ→кристалл. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика радиационных и ионно-плазменных технологий Механизм начального этапа роста пленок Cr, полученных при помощи магнетронного распыления на постоянном токе Article published earlier |
| spellingShingle | Механизм начального этапа роста пленок Cr, полученных при помощи магнетронного распыления на постоянном токе Перекрестов, В.И. Кравченко, С.Н. Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| title | Механизм начального этапа роста пленок Cr, полученных при помощи магнетронного распыления на постоянном токе |
| title_full | Механизм начального этапа роста пленок Cr, полученных при помощи магнетронного распыления на постоянном токе |
| title_fullStr | Механизм начального этапа роста пленок Cr, полученных при помощи магнетронного распыления на постоянном токе |
| title_full_unstemmed | Механизм начального этапа роста пленок Cr, полученных при помощи магнетронного распыления на постоянном токе |
| title_short | Механизм начального этапа роста пленок Cr, полученных при помощи магнетронного распыления на постоянном токе |
| title_sort | механизм начального этапа роста пленок cr, полученных при помощи магнетронного распыления на постоянном токе |
| topic | Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| topic_facet | Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78215 |
| work_keys_str_mv | AT perekrestovvi mehanizmnačalʹnogoétaparostaplenokcrpolučennyhpripomoŝimagnetronnogoraspyleniânapostoânnomtoke AT kravčenkosn mehanizmnačalʹnogoétaparostaplenokcrpolučennyhpripomoŝimagnetronnogoraspyleniânapostoânnomtoke |