Механизм начального этапа роста пленок Cr, полученных при помощи магнетронного распыления на постоянном токе

• Опубліковано в: : Вопросы атомной науки и техники
• Дата: 2000
• Автори: Перекрестов, В.И., Кравченко, С.Н.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2000
• Теми: Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78215
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Механизм начального этапа роста пленок Cr, полученных при помощи магнетронного распыления на постоянном токе / В.И. Перекрестов, С.Н. Кравченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 4. — С. 173-175. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Методом микродифракции электронов и просвечивающей электронной микроскопии был исследован механизм образования пленок Cr, осажденных на сколы NaCl при помощи магнетронного распыления на постоянном токе. При повышении энергии конденсируемых атомов, а также при снижении скорости наращивания пленки и п...