Формирование приповерхностных слоев при низкоэнергетичном высокодозном ионно-плазменном облучении поверхности меди

• Published in: Вопросы атомной науки и техники
• Date: 2000
• Main Authors: Сафонов, В.И., Марченко, И.Г., Картмазов, Г.Н., Дикий, Н.И.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2000
• Subjects: Облучательная техника, ядерно-физические методы исследования структуры и свойств твердых тел
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78218
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Формирование приповерхностных слоев при низкоэнергетичном высокодозном ионно-плазменном облучении поверхности меди / В.И. Сафонов, И.Г. Марченко, Г.Н. Картмазов, Н.И. Дикий // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 4. — С. 182-184. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Исследовался процесс низкоэнергетичного (Е<З кэВ ) облучения поверхности меди ионами Ti и Al из сепарированного потока плазмы вакуумной дуги. Представлены результаты измерения концентрационных профилей титана и алюминия в зависимости от дозы облучения и температуры подложки. Установлено, что глубина залегания бомбардируемых ионов существенно превышает проекционный пробег ионов и зависит от температуры подложки и вида ионов. Процесс накопления внедренных примесей Ti и Al является термоактивируемым, с характерной энергией 7…15 кДж/г.моль. Одним из объяснений полученных результатов является радиационно-стимулированная диффузия внедренной примеси по междоузельному механизму. Данные, полученные методом ядерных реакций, коррелируют с измерениями внедренной дозы, полученными рентгенофлюоресцентным методом.