Особенности процессов фотостимулированного взаимодействия в светочувствительной системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag
Исследованы особенности процессов фотостимулированного взаимодействия в системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag. На основном этапе фотостимулированного взаимодействия в системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag наблюдается параболическая зависимость толщины слоя продуктов от экспозиции Н и контролирующими можно полагать диффузионные п...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Дата: | 2000 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2000
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78238 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Особенности процессов фотостимулированного взаимодействия в светочувствительной системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag / А.В. Стронский, М. Влчек, А. Скленарж // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 5. — С. 87-90. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Исследованы особенности процессов фотостимулированного взаимодействия в системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag. На основном этапе фотостимулированного взаимодействия в системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag наблюдается параболическая зависимость толщины слоя продуктов от экспозиции Н и контролирующими можно полагать диффузионные процессы. Спектры комбинационного рассеяния продуктов фотостимулированного взаимодействия и слоев As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag анализировались в рамках молекулярной модели. Обсуждены также особенности образования металл-халькогенидных связей. Дифракционная эффективность решеток, записанных на системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag, составляла ~ 60 % в поляризованном свете.
|
|---|---|
| ISSN: | 1562-6016 |