Особенности процессов фотостимулированного взаимодействия в светочувствительной системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag
Исследованы особенности процессов фотостимулированного взаимодействия в системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag. На основном этапе фотостимулированного взаимодействия в системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag наблюдается параболическая зависимость толщины слоя продуктов от экспозиции Н и контролирующими можно полагать диффузионные п...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Дата: | 2000 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2000
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78238 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Особенности процессов фотостимулированного взаимодействия в светочувствительной системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag / А.В. Стронский, М. Влчек, А. Скленарж // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 5. — С. 87-90. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862656841954099200 |
|---|---|
| author | Стронский, А.В. Влчек, М. Скленарж, А. |
| author_facet | Стронский, А.В. Влчек, М. Скленарж, А. |
| citation_txt | Особенности процессов фотостимулированного взаимодействия в светочувствительной системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag / А.В. Стронский, М. Влчек, А. Скленарж // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 5. — С. 87-90. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | Исследованы особенности процессов фотостимулированного взаимодействия в системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag. На основном этапе фотостимулированного взаимодействия в системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag наблюдается параболическая зависимость толщины слоя продуктов от экспозиции Н и контролирующими можно полагать диффузионные процессы. Спектры комбинационного рассеяния продуктов фотостимулированного взаимодействия и слоев As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag анализировались в рамках молекулярной модели. Обсуждены также особенности образования металл-халькогенидных связей. Дифракционная эффективность решеток, записанных на системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag, составляла ~ 60 % в поляризованном свете.
|
| first_indexed | 2025-12-02T05:27:03Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-78238 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-02T05:27:03Z |
| publishDate | 2000 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Стронский, А.В. Влчек, М. Скленарж, А. 2015-03-13T06:38:54Z 2015-03-13T06:38:54Z 2000 Особенности процессов фотостимулированного взаимодействия в светочувствительной системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag / А.В. Стронский, М. Влчек, А. Скленарж // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 5. — С. 87-90. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78238 539.216.22: 771.5; 539.219.3; 535.84.853.31 Исследованы особенности процессов фотостимулированного взаимодействия в системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag. На основном этапе фотостимулированного взаимодействия в системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag наблюдается параболическая зависимость толщины слоя продуктов от экспозиции Н и контролирующими можно полагать диффузионные процессы. Спектры комбинационного рассеяния продуктов фотостимулированного взаимодействия и слоев As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag анализировались в рамках молекулярной модели. Обсуждены также особенности образования металл-халькогенидных связей. Дифракционная эффективность решеток, записанных на системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag, составляла ~ 60 % в поляризованном свете. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Пленочные материалы и покрытия Особенности процессов фотостимулированного взаимодействия в светочувствительной системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag Article published earlier |
| spellingShingle | Особенности процессов фотостимулированного взаимодействия в светочувствительной системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag Стронский, А.В. Влчек, М. Скленарж, А. Пленочные материалы и покрытия |
| title | Особенности процессов фотостимулированного взаимодействия в светочувствительной системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag |
| title_full | Особенности процессов фотостимулированного взаимодействия в светочувствительной системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag |
| title_fullStr | Особенности процессов фотостимулированного взаимодействия в светочувствительной системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag |
| title_full_unstemmed | Особенности процессов фотостимулированного взаимодействия в светочувствительной системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag |
| title_short | Особенности процессов фотостимулированного взаимодействия в светочувствительной системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag |
| title_sort | особенности процессов фотостимулированного взаимодействия в светочувствительной системе as₄₀s₂₀se₄₀-ag |
| topic | Пленочные материалы и покрытия |
| topic_facet | Пленочные материалы и покрытия |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78238 |
| work_keys_str_mv | AT stronskiiav osobennostiprocessovfotostimulirovannogovzaimodeistviâvsvetočuvstvitelʹnoisistemeas40s20se40ag AT vlčekm osobennostiprocessovfotostimulirovannogovzaimodeistviâvsvetočuvstvitelʹnoisistemeas40s20se40ag AT sklenarža osobennostiprocessovfotostimulirovannogovzaimodeistviâvsvetočuvstvitelʹnoisistemeas40s20se40ag |