Особенности процессов фотостимулированного взаимодействия в светочувствительной системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag

Исследованы особенности процессов фотостимулированного взаимодействия в системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag. На основном этапе фотостимулированного взаимодействия в системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag наблюдается параболическая зависимость толщины слоя продуктов от экспозиции Н и контролирующими можно полагать диффузионные п...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Вопросы атомной науки и техники
Date:2000
Main Authors: Стронский, А.В., Влчек, М., Скленарж, А.
Format: Article
Language:Russian
Published: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2000
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78238
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Особенности процессов фотостимулированного взаимодействия в светочувствительной системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag / А.В. Стронский, М. Влчек, А. Скленарж // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 5. — С. 87-90. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-78238
record_format dspace
spelling Стронский, А.В.
Влчек, М.
Скленарж, А.
2015-03-13T06:38:54Z
2015-03-13T06:38:54Z
2000
Особенности процессов фотостимулированного взаимодействия в светочувствительной системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag / А.В. Стронский, М. Влчек, А. Скленарж // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 5. — С. 87-90. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.
1562-6016
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78238
539.216.22: 771.5; 539.219.3; 535.84.853.31
Исследованы особенности процессов фотостимулированного взаимодействия в системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag. На основном этапе фотостимулированного взаимодействия в системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag наблюдается параболическая зависимость толщины слоя продуктов от экспозиции Н и контролирующими можно полагать диффузионные процессы. Спектры комбинационного рассеяния продуктов фотостимулированного взаимодействия и слоев As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag анализировались в рамках молекулярной модели. Обсуждены также особенности образования металл-халькогенидных связей. Дифракционная эффективность решеток, записанных на системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag, составляла ~ 60 % в поляризованном свете.
ru
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
Вопросы атомной науки и техники
Пленочные материалы и покрытия
Особенности процессов фотостимулированного взаимодействия в светочувствительной системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Особенности процессов фотостимулированного взаимодействия в светочувствительной системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag
spellingShingle Особенности процессов фотостимулированного взаимодействия в светочувствительной системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag
Стронский, А.В.
Влчек, М.
Скленарж, А.
Пленочные материалы и покрытия
title_short Особенности процессов фотостимулированного взаимодействия в светочувствительной системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag
title_full Особенности процессов фотостимулированного взаимодействия в светочувствительной системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag
title_fullStr Особенности процессов фотостимулированного взаимодействия в светочувствительной системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag
title_full_unstemmed Особенности процессов фотостимулированного взаимодействия в светочувствительной системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag
title_sort особенности процессов фотостимулированного взаимодействия в светочувствительной системе as₄₀s₂₀se₄₀-ag
author Стронский, А.В.
Влчек, М.
Скленарж, А.
author_facet Стронский, А.В.
Влчек, М.
Скленарж, А.
topic Пленочные материалы и покрытия
topic_facet Пленочные материалы и покрытия
publishDate 2000
language Russian
container_title Вопросы атомной науки и техники
publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
format Article
description Исследованы особенности процессов фотостимулированного взаимодействия в системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag. На основном этапе фотостимулированного взаимодействия в системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag наблюдается параболическая зависимость толщины слоя продуктов от экспозиции Н и контролирующими можно полагать диффузионные процессы. Спектры комбинационного рассеяния продуктов фотостимулированного взаимодействия и слоев As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag анализировались в рамках молекулярной модели. Обсуждены также особенности образования металл-халькогенидных связей. Дифракционная эффективность решеток, записанных на системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag, составляла ~ 60 % в поляризованном свете.
issn 1562-6016
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78238
citation_txt Особенности процессов фотостимулированного взаимодействия в светочувствительной системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag / А.В. Стронский, М. Влчек, А. Скленарж // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 5. — С. 87-90. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT stronskiiav osobennostiprocessovfotostimulirovannogovzaimodeistviâvsvetočuvstvitelʹnoisistemeas40s20se40ag
AT vlčekm osobennostiprocessovfotostimulirovannogovzaimodeistviâvsvetočuvstvitelʹnoisistemeas40s20se40ag
AT sklenarža osobennostiprocessovfotostimulirovannogovzaimodeistviâvsvetočuvstvitelʹnoisistemeas40s20se40ag
first_indexed 2025-12-02T05:27:03Z
last_indexed 2025-12-02T05:27:03Z
_version_ 1850861648055631872