Computer simulation of transient layer chemical composition in Cr-N films obtained by ion beam assisted deposition

• Опубліковано в: : Вопросы атомной науки и техники
• Дата: 2001
• Автори: Marchenko, I.G., Guglya, A.G.
• Формат: Стаття
• Мова: Англійська
• Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2001
• Теми: Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78305
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Computer simulation of transient layer chemical composition in Cr-N films obtained by ion beam assisted deposition / I.G. Marchenko, A.G. Guglya // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 4. — С. 137-139. — Бібліогр.: 4 назв. — англ.

The computer simulation of Cr-N film deposition by IBAD method was carried out. The implanted nitrogen content in the growing film is calculated, values of the radiation defect formation in the film are obtained. The variation of the implanted nitrogen relationship to the defect distribution in the growing film depth is analyzed. Проведено комп’ютерне моделювання формування Cr-N плівок, створених за допомогою імплантаційно-стимулюючого осадження (IBAD-метод). Розраховано кількість азоту у зростаючій плівці хрому, а також рівень створюємих іонами азоту дефектів. Проаналізовано співвідношення між розподіленням дефектів та кількістю хрому в залежності від товщини плівки. Проведено компъютерное моделирование формирования Cr-N пленок, полученных с помощью имплантационно-стимулированного осаждения (IBAD-метод). Рассчитано содержание азота в растущей пленке хрома, а также уровень создаваемых ионами азота дефектов. Проанализировано соотношение между распределением дефектов и содержанием хрома в зависимости от толщины пленок.