Computer simulation of transient layer chemical composition in Cr-N films obtained by ion beam assisted deposition
The computer simulation of Cr-N film deposition by IBAD method was carried out. The implanted nitrogen content in the growing film is calculated, values of the radiation defect formation in the film are obtained. The variation of the implanted nitrogen relationship to the defect distribution in the...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Datum: | 2001 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2001
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78305 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Computer simulation of transient layer chemical composition in Cr-N films obtained by ion beam assisted deposition / I.G. Marchenko, A.G. Guglya // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 4. — С. 137-139. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862736929802420224 |
|---|---|
| author | Marchenko, I.G. Guglya, A.G. |
| author_facet | Marchenko, I.G. Guglya, A.G. |
| citation_txt | Computer simulation of transient layer chemical composition in Cr-N films obtained by ion beam assisted deposition / I.G. Marchenko, A.G. Guglya // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 4. — С. 137-139. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | The computer simulation of Cr-N film deposition by IBAD method was carried out. The implanted nitrogen content in the growing film is calculated, values of the radiation defect formation in the film are obtained. The variation of the implanted nitrogen relationship to the defect distribution in the growing film depth is analyzed.
Проведено комп’ютерне моделювання формування Cr-N плівок, створених за допомогою імплантаційно-стимулюючого осадження (IBAD-метод). Розраховано кількість азоту у зростаючій плівці хрому, а також рівень створюємих іонами азоту дефектів. Проаналізовано співвідношення між розподіленням дефектів та кількістю хрому в залежності від товщини плівки.
Проведено компъютерное моделирование формирования Cr-N пленок, полученных с помощью имплантационно-стимулированного осаждения (IBAD-метод). Рассчитано содержание азота в растущей пленке хрома, а также уровень создаваемых ионами азота дефектов. Проанализировано соотношение между распределением дефектов и содержанием хрома в зависимости от толщины пленок.
|
| first_indexed | 2025-12-07T19:56:24Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-78305 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-07T19:56:24Z |
| publishDate | 2001 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Marchenko, I.G. Guglya, A.G. 2015-03-13T18:53:30Z 2015-03-13T18:53:30Z 2001 Computer simulation of transient layer chemical composition in Cr-N films obtained by ion beam assisted deposition / I.G. Marchenko, A.G. Guglya // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 4. — С. 137-139. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78305 621.384.6 The computer simulation of Cr-N film deposition by IBAD method was carried out. The implanted nitrogen content in the growing film is calculated, values of the radiation defect formation in the film are obtained. The variation of the implanted nitrogen relationship to the defect distribution in the growing film depth is analyzed. Проведено комп’ютерне моделювання формування Cr-N плівок, створених за допомогою імплантаційно-стимулюючого осадження (IBAD-метод). Розраховано кількість азоту у зростаючій плівці хрому, а також рівень створюємих іонами азоту дефектів. Проаналізовано співвідношення між розподіленням дефектів та кількістю хрому в залежності від товщини плівки. Проведено компъютерное моделирование формирования Cr-N пленок, полученных с помощью имплантационно-стимулированного осаждения (IBAD-метод). Рассчитано содержание азота в растущей пленке хрома, а также уровень создаваемых ионами азота дефектов. Проанализировано соотношение между распределением дефектов и содержанием хрома в зависимости от толщины пленок. en Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика радиационных и ионно-плазменных технологий Computer simulation of transient layer chemical composition in Cr-N films obtained by ion beam assisted deposition Article published earlier |
| spellingShingle | Computer simulation of transient layer chemical composition in Cr-N films obtained by ion beam assisted deposition Marchenko, I.G. Guglya, A.G. Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| title | Computer simulation of transient layer chemical composition in Cr-N films obtained by ion beam assisted deposition |
| title_full | Computer simulation of transient layer chemical composition in Cr-N films obtained by ion beam assisted deposition |
| title_fullStr | Computer simulation of transient layer chemical composition in Cr-N films obtained by ion beam assisted deposition |
| title_full_unstemmed | Computer simulation of transient layer chemical composition in Cr-N films obtained by ion beam assisted deposition |
| title_short | Computer simulation of transient layer chemical composition in Cr-N films obtained by ion beam assisted deposition |
| title_sort | computer simulation of transient layer chemical composition in cr-n films obtained by ion beam assisted deposition |
| topic | Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| topic_facet | Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78305 |
| work_keys_str_mv | AT marchenkoig computersimulationoftransientlayerchemicalcompositionincrnfilmsobtainedbyionbeamassisteddeposition AT guglyaag computersimulationoftransientlayerchemicalcompositionincrnfilmsobtainedbyionbeamassisteddeposition |