Влияние водорода на процессы рассеяния носителей заряда в облученном γ-квантами ⁶⁰Со нелегированном GaAs n-типа

• Veröffentlicht in: Вопросы атомной науки и техники
• Datum: 2001
• Hauptverfasser: Коршунов, Ф.П., Курилович, Н.Ф., Прохоренко, Т.А., Шешолко, В.К., Бумай, Ю.А.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2001
• Schlagworte: Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78333
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Влияние водорода на процессы рассеяния носителей заряда в облученном γ-квантами ⁶⁰Со нелегированном GaAs n-типа / Ф.П. Коршунов, Н.Ф. Курилович, Т.А. Прохоренко, В.К. Шешолко, Ю.А. Бумай // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 2. — С. 38-42. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Исследовано влияние предварительной обработки в водородной плазме (гидрогенизации) на процессы рассеяния носителей заряда в нелегированном арсениде галлия n-типа с n₀≅(5...7).10¹⁵см⁻³ и µ₀≅(5...6).10³см²/(В.с), облученном γ-квантами ⁶⁰Со. Проведено сравнение экспериментально полученных зависимостей...