Зображення обкладинки

Влияние водорода на процессы рассеяния носителей заряда в облученном γ-квантами ⁶⁰Со нелегированном GaAs n-типа

Исследовано влияние предварительной обработки в водородной плазме (гидрогенизации) на процессы рассеяния носителей заряда в нелегированном арсениде галлия n-типа с n₀≅(5...7).10¹⁵см⁻³ и µ₀≅(5...6).10³см²/(В.с), облученном γ-квантами ⁶⁰Со. Проведено сравнение экспериментально полученных зависимостей...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Вопросы атомной науки и техники
Дата:	2001
Автори:	Коршунов, Ф.П., Курилович, Н.Ф., Прохоренко, Т.А., Шешолко, В.К., Бумай, Ю.А.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2001
Теми:	Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78333
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Влияние водорода на процессы рассеяния носителей заряда в облученном γ-квантами ⁶⁰Со нелегированном GaAs n-типа / Ф.П. Коршунов, Н.Ф. Курилович, Т.А. Прохоренко, В.К. Шешолко, Ю.А. Бумай // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 2. — С. 38-42. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Влияние облучения γ-квантами на сорбцию водорода нанопористыми углеродными материалами
за авторством: Долбин, А.В., та інші
Опубліковано: (2015)

Сорбция водорода и радиальное тепловое расширение жгутов одностенных углеродных нанотрубок, облученных γ-квантами в среде водорода
за авторством: Долбин, А.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах
за авторством: Беркутов, И.Б., та інші
Опубліковано: (2000)

Исследование свойств арсенидгаллиевых ПТШ подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰Со
за авторством: Ильин, И.Ю., та інші
Опубліковано: (2001)

Мощностная закономерность образования локализованных и делокализованных зарядов в γ-облученном оксиде бериллия
за авторством: Алиев, М.М., та інші
Опубліковано: (2007)

DLTS - спектроскопия водородосодержащих дефектовв облученном n-кремнии
за авторством: Комаров, Б.А.
Опубліковано: (2001)

Акустоэлектрическая трансформация на границе металла. Учет поверхностного рассеяния носителей
за авторством: Гохфельд, В.М.
Опубліковано: (2003)

Распределение кислорода в монокристаллах кремния и его влияние на время жизни неравновесных носителей заряда
за авторством: Червоный, И.Ф., та інші
Опубліковано: (2007)

К теории взаимодействия делокализованных носителей заряда с магнитными возбуждениями в высокотемпературных сверхпроводниках
за авторством: Локтев, В.М., та інші
Опубліковано: (1995)

Сверхпроводимость в квазидвумерных неадиабатических системах с произвольной плотностью носителей заряда при T = 0
за авторством: Палистрант, М.Е.
Опубліковано: (2003)

О квантовой природе носителей заряда в псевдощелевом состоянии недостаточно допированных купратных ВТСП
за авторством: Сергеева, Г.Г., та інші
Опубліковано: (2007)

О возможности оценки положения порога подвижности для носителей заряда с использованием одночастичных средних
за авторством: Скрипник, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2018)

Влияние релаксации носителей заряда на спектры донорно-акцепторной рекомбинации с учетом кулоновских корреляций
за авторством: Богословский, Н.А., та інші
Опубліковано: (2019)

Сверхпроводимость в примесных системах с пониженной плотностью носителей заряда и сильными электронными корреляциями
за авторством: Палистрант, М.Е.
Опубліковано: (2002)

Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa₂Cu₃O₇₋δ
за авторством: Aзaренков, Н.A., та інші
Опубліковано: (2018)

Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении y-квантами
за авторством: Храмов, Е.Ф., та інші
Опубліковано: (2003)

Использование всестороннего давления для оценки степени влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда в кристаллических полупроводниках
за авторством: Даунов, М.И., та інші
Опубліковано: (2009)

Критическая температура и предельная концентрация носителей заряда в плоскостях CuO₂ в медьсодержащих ВТСП
за авторством: Сухаревский, Б.Я., та інші
Опубліковано: (1995)

Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде
за авторством: Kushnirenko, V. V., та інші
Опубліковано: (2007)

Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах
за авторством: Кириченко, М.В., та інші
Опубліковано: (2007)

Effect of γ-irradiation on the structure of high density polyethylene composites with GaAs and GaAs<Te> fillers
за авторством: Gadzhieva, N.N., та інші
Опубліковано: (2020)

Квантовые и поверхностные состояния носителей заряда в оптических спектрах нанокластеров в матрице с низкой диэлектрической постоянной
за авторством: Бондарь, Н.В., та інші
Опубліковано: (2008)

Особенности рассеяния носителей тока межкристаллитными потенциальными барьерами, образованными электроными поверхностными состояниями в поликристаллических полупроводниках
за авторством: Атакулов, Ш.Б., та інші
Опубліковано: (2010)

Кинетика изменения концентрации носителей заряда при легировании в сплавах на основе теллурида свинца с примесями переходных металлов
за авторством: Скипетров, Е.П., та інші
Опубліковано: (2015)

Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления
за авторством: Маматкаримов, О.О., та інші
Опубліковано: (2012)

Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах (PbS)1–x(Sm2S3)x
за авторством: Hasanov, G. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах (PbS)1–x(Sm2S3)x
за авторством: Гасанов, Г.А., та інші
Опубліковано: (2008)

Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe
за авторством: Беркутов, И.Б., та інші
Опубліковано: (2006)

Термоэлектрические свойства, эффект Шубникова–де Гааза и подвижности носителей заряда в теллуридах и селенидах висмута–сурьмы и нанокомпозитах на их основе
за авторством: Кульбачинский, В.А., та інші
Опубліковано: (2017)

Влияние облучения электронами и гамма-квантами на структуру и фазовый состав природного пирофиллита
за авторством: Березняк, Е.П., та інші
Опубліковано: (2014)

Туннелирование неравновесных квазичастиц, возбуждаемых рентгеновскими квантами в несимметричном свеpхпpоводящем туннельном детекторе
за авторством: Андpианов, В.А., та інші
Опубліковано: (1997)

Сейсмическое действие взрыва цилиндрического заряда
за авторством: Вовк, А.А., та інші
Опубліковано: (2001)

Сейсмическое действие взрыва рассредоточенного заряда
за авторством: Вовк, А.А., та інші
Опубліковано: (2001)

Моделирование процесса заряда аккумуляторной батареи
за авторством: Павлов, В.Б., та інші
Опубліковано: (2009)

Накопление электрического заряда наночастицами меди
за авторством: Шевченко, А.Б., та інші
Опубліковано: (2013)

Спектрофотометрическое определение плотности заряда и концентрации катионного полиэлектролита
за авторством: Чмиленко, Т.С., та інші
Опубліковано: (2015)

ИК-метод диагностики электрического заряда в облучаемом диэлектрике
за авторством: Базалеев, Н.И., та інші
Опубліковано: (2005)

Взаимодействие водорода с неметаллическими включениями
за авторством: Приходько, Э.В., та інші
Опубліковано: (2008)

Оценка носителей решений некоторых классов эволюционных систем и уравнений
за авторством: Саникидзе, Т.А., та інші
Опубліковано: (2010)

Пространственные характеристики волны плотности заряда в неоднородных магнитоизолированных передающих линиях
за авторством: Горбань, А.М., та інші
Опубліковано: (2008)