Образование и отжиг метастабильного водородосодержащего центра в облученных кристаллах Cz-Si: влияние различных факторов

• Veröffentlicht in: Вопросы атомной науки и техники
• Datum: 2001
• Hauptverfasser: Медведева, И.Ф., Мурин, Л.И., Маркевич, В.П., Комаров, Б.А.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2001
• Schlagworte: Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78338
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Образование и отжиг метастабильного водородосодержащего центра в облученных кристаллах Cz-Si: влияние различных факторов / И.Ф. Медведева, Л.И. Мурин, В.П. Маркевич, Б.А. Комаров // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 2. — С. 48-53. — Бібліогр.: 23 назв. — рос.

Методами эффекта Холла и DLTS изучено формирование метастабильных водородосодержащих радиационных дефектов в кристаллах Cz - Si, гидрогенизированных при высоких температурах. Установлено, что
 эффективность образования этих комплексов зависит от концентрации вводимых радиационных дефектов,
 содержания водорода и температуры предварительных (перед облучением) отжигов. Изучена кинетика накопления и отжига исследуемого центра, обсуждается его природа и высказано предположение о вхождении в его состав водорода и комплекса междоузельный кислород (Ci-Oi). Методами ефекту Холла і DLTS вивчено формування метастабільних радіаційних дефектів, що містять водень в кристалах Cz-Si, гідрогенізованих при високих температурах. Встановлено, що ефективність утворення цих комплексів залежить від концентрації радіаційних дефектів, що вводяться, вмісту водняі температури попередніх (перед опроміненням) відпалів. Вивчена кінетика накопичення та відпалу досліджуваного центру, обговорюється його природа та висловлюється припущення про вхід в його склад водню та комплексу міжвузольний кисень (Ci – Oi). The metastable hydrogenous radiation defects formation in crystals Cz-Si hydrogenized at high temperature is studied by methods of Hall effect and DLTS . It is determined that these complexes formation efficiency depends on the introduced radiation defects concentration , on the hydrogen content and on the temperature of preannealing The kinetics of accumulation and of the annealing of investigated centers were studied; the nature of the center is discussed ; the assumption about hydrogen ana complex of interstitial oxygen presence was advanced (Ci – Oi).