Образование и отжиг метастабильного водородосодержащего центра в облученных кристаллах Cz-Si: влияние различных факторов

Методами эффекта Холла и DLTS изучено формирование метастабильных водородосодержащих радиационных дефектов в кристаллах Cz - Si, гидрогенизированных при высоких температурах. Установлено, что
 эффективность образования этих комплексов зависит от концентрации вводимых радиационных дефектов,&a...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Вопросы атомной науки и техники
Datum:2001
Hauptverfasser: Медведева, И.Ф., Мурин, Л.И., Маркевич, В.П., Комаров, Б.А.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2001
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78338
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Образование и отжиг метастабильного водородосодержащего центра в облученных кристаллах Cz-Si: влияние различных факторов / И.Ф. Медведева, Л.И. Мурин, В.П. Маркевич, Б.А. Комаров // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 2. — С. 48-53. — Бібліогр.: 23 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862731921076781056
author Медведева, И.Ф.
Мурин, Л.И.
Маркевич, В.П.
Комаров, Б.А.
author_facet Медведева, И.Ф.
Мурин, Л.И.
Маркевич, В.П.
Комаров, Б.А.
citation_txt Образование и отжиг метастабильного водородосодержащего центра в облученных кристаллах Cz-Si: влияние различных факторов / И.Ф. Медведева, Л.И. Мурин, В.П. Маркевич, Б.А. Комаров // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 2. — С. 48-53. — Бібліогр.: 23 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Вопросы атомной науки и техники
description Методами эффекта Холла и DLTS изучено формирование метастабильных водородосодержащих радиационных дефектов в кристаллах Cz - Si, гидрогенизированных при высоких температурах. Установлено, что
 эффективность образования этих комплексов зависит от концентрации вводимых радиационных дефектов,
 содержания водорода и температуры предварительных (перед облучением) отжигов. Изучена кинетика накопления и отжига исследуемого центра, обсуждается его природа и высказано предположение о вхождении в его состав водорода и комплекса междоузельный кислород (Ci-Oi). Методами ефекту Холла і DLTS вивчено формування метастабільних радіаційних дефектів, що містять водень в кристалах Cz-Si, гідрогенізованих при високих температурах. Встановлено, що ефективність утворення цих комплексів залежить від концентрації радіаційних дефектів, що вводяться, вмісту водняі температури попередніх (перед опроміненням) відпалів. Вивчена кінетика накопичення та відпалу досліджуваного центру, обговорюється його природа та висловлюється припущення про вхід в його склад водню та комплексу міжвузольний кисень (Ci – Oi). The metastable hydrogenous radiation defects formation in crystals Cz-Si hydrogenized at high temperature is studied by methods of Hall effect and DLTS . It is determined that these complexes formation efficiency depends on the introduced radiation defects concentration , on the hydrogen content and on the temperature of preannealing The kinetics of accumulation and of the annealing of investigated centers were studied; the nature of the center is discussed ; the assumption about hydrogen ana complex of interstitial oxygen presence was advanced (Ci – Oi).
first_indexed 2025-12-07T19:29:15Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-78338
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1562-6016
language Russian
last_indexed 2025-12-07T19:29:15Z
publishDate 2001
publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
record_format dspace
spelling Медведева, И.Ф.
Мурин, Л.И.
Маркевич, В.П.
Комаров, Б.А.
2015-03-13T20:12:37Z
2015-03-13T20:12:37Z
2001
Образование и отжиг метастабильного водородосодержащего центра в облученных кристаллах Cz-Si: влияние различных факторов / И.Ф. Медведева, Л.И. Мурин, В.П. Маркевич, Б.А. Комаров // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 2. — С. 48-53. — Бібліогр.: 23 назв. — рос.
1562-6016
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78338
620.192:621.315.592
Методами эффекта Холла и DLTS изучено формирование метастабильных водородосодержащих радиационных дефектов в кристаллах Cz - Si, гидрогенизированных при высоких температурах. Установлено, что
 эффективность образования этих комплексов зависит от концентрации вводимых радиационных дефектов,
 содержания водорода и температуры предварительных (перед облучением) отжигов. Изучена кинетика накопления и отжига исследуемого центра, обсуждается его природа и высказано предположение о вхождении в его состав водорода и комплекса междоузельный кислород (Ci-Oi).
Методами ефекту Холла і DLTS вивчено формування метастабільних радіаційних дефектів, що містять водень в кристалах Cz-Si, гідрогенізованих при високих температурах. Встановлено, що ефективність утворення цих комплексів залежить від концентрації радіаційних дефектів, що вводяться, вмісту водняі температури попередніх (перед опроміненням) відпалів. Вивчена кінетика накопичення та відпалу досліджуваного центру, обговорюється його природа та висловлюється припущення про вхід в його склад водню та комплексу міжвузольний кисень (Ci – Oi).
The metastable hydrogenous radiation defects formation in crystals Cz-Si hydrogenized at high temperature is studied by methods of Hall effect and DLTS . It is determined that these complexes formation efficiency depends on the introduced radiation defects concentration , on the hydrogen content and on the temperature of preannealing The kinetics of accumulation and of the annealing of investigated centers were studied; the nature of the center is discussed ; the assumption about hydrogen ana complex of interstitial oxygen presence was advanced (Ci – Oi).
Работа выполнена при частичной финансовой поддержке фонда ИНТАC-Беларусь (97-0824) Белоруссского республиканского ФФИ (Ф99-286).
ru
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
Вопросы атомной науки и техники
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
Образование и отжиг метастабильного водородосодержащего центра в облученных кристаллах Cz-Si: влияние различных факторов
Article
published earlier
spellingShingle Образование и отжиг метастабильного водородосодержащего центра в облученных кристаллах Cz-Si: влияние различных факторов
Медведева, И.Ф.
Мурин, Л.И.
Маркевич, В.П.
Комаров, Б.А.
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
title Образование и отжиг метастабильного водородосодержащего центра в облученных кристаллах Cz-Si: влияние различных факторов
title_full Образование и отжиг метастабильного водородосодержащего центра в облученных кристаллах Cz-Si: влияние различных факторов
title_fullStr Образование и отжиг метастабильного водородосодержащего центра в облученных кристаллах Cz-Si: влияние различных факторов
title_full_unstemmed Образование и отжиг метастабильного водородосодержащего центра в облученных кристаллах Cz-Si: влияние различных факторов
title_short Образование и отжиг метастабильного водородосодержащего центра в облученных кристаллах Cz-Si: влияние различных факторов
title_sort образование и отжиг метастабильного водородосодержащего центра в облученных кристаллах cz-si: влияние различных факторов
topic Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
topic_facet Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78338
work_keys_str_mv AT medvedevaif obrazovanieiotžigmetastabilʹnogovodorodosoderžaŝegocentravoblučennyhkristallahczsivliânierazličnyhfaktorov
AT murinli obrazovanieiotžigmetastabilʹnogovodorodosoderžaŝegocentravoblučennyhkristallahczsivliânierazličnyhfaktorov
AT markevičvp obrazovanieiotžigmetastabilʹnogovodorodosoderžaŝegocentravoblučennyhkristallahczsivliânierazličnyhfaktorov
AT komarovba obrazovanieiotžigmetastabilʹnogovodorodosoderžaŝegocentravoblučennyhkristallahczsivliânierazličnyhfaktorov