Образование и отжиг метастабильного водородосодержащего центра в облученных кристаллах Cz-Si: влияние различных факторов
Методами эффекта Холла и DLTS изучено формирование метастабильных водородосодержащих радиационных дефектов в кристаллах Cz - Si, гидрогенизированных при высоких температурах. Установлено, что эффективность образования этих комплексов зависит от концентрации вводимых радиационных дефектов, содержан...
Saved in:
| Published in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Date: | 2001 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2001
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78338 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Образование и отжиг метастабильного водородосодержащего центра в облученных кристаллах Cz-Si: влияние различных факторов / И.Ф. Медведева, Л.И. Мурин, В.П. Маркевич, Б.А. Комаров // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 2. — С. 48-53. — Бібліогр.: 23 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-78338 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Медведева, И.Ф. Мурин, Л.И. Маркевич, В.П. Комаров, Б.А. 2015-03-13T20:12:37Z 2015-03-13T20:12:37Z 2001 Образование и отжиг метастабильного водородосодержащего центра в облученных кристаллах Cz-Si: влияние различных факторов / И.Ф. Медведева, Л.И. Мурин, В.П. Маркевич, Б.А. Комаров // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 2. — С. 48-53. — Бібліогр.: 23 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78338 620.192:621.315.592 Методами эффекта Холла и DLTS изучено формирование метастабильных водородосодержащих радиационных дефектов в кристаллах Cz - Si, гидрогенизированных при высоких температурах. Установлено, что эффективность образования этих комплексов зависит от концентрации вводимых радиационных дефектов, содержания водорода и температуры предварительных (перед облучением) отжигов. Изучена кинетика накопления и отжига исследуемого центра, обсуждается его природа и высказано предположение о вхождении в его состав водорода и комплекса междоузельный кислород (Ci-Oi). Методами ефекту Холла і DLTS вивчено формування метастабільних радіаційних дефектів, що містять водень в кристалах Cz-Si, гідрогенізованих при високих температурах. Встановлено, що ефективність утворення цих комплексів залежить від концентрації радіаційних дефектів, що вводяться, вмісту водняі температури попередніх (перед опроміненням) відпалів. Вивчена кінетика накопичення та відпалу досліджуваного центру, обговорюється його природа та висловлюється припущення про вхід в його склад водню та комплексу міжвузольний кисень (Ci – Oi). The metastable hydrogenous radiation defects formation in crystals Cz-Si hydrogenized at high temperature is studied by methods of Hall effect and DLTS . It is determined that these complexes formation efficiency depends on the introduced radiation defects concentration , on the hydrogen content and on the temperature of preannealing The kinetics of accumulation and of the annealing of investigated centers were studied; the nature of the center is discussed ; the assumption about hydrogen ana complex of interstitial oxygen presence was advanced (Ci – Oi). Работа выполнена при частичной финансовой поддержке фонда ИНТАC-Беларусь (97-0824) Белоруссского республиканского ФФИ (Ф99-286). ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Образование и отжиг метастабильного водородосодержащего центра в облученных кристаллах Cz-Si: влияние различных факторов Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Образование и отжиг метастабильного водородосодержащего центра в облученных кристаллах Cz-Si: влияние различных факторов |
| spellingShingle |
Образование и отжиг метастабильного водородосодержащего центра в облученных кристаллах Cz-Si: влияние различных факторов Медведева, И.Ф. Мурин, Л.И. Маркевич, В.П. Комаров, Б.А. Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| title_short |
Образование и отжиг метастабильного водородосодержащего центра в облученных кристаллах Cz-Si: влияние различных факторов |
| title_full |
Образование и отжиг метастабильного водородосодержащего центра в облученных кристаллах Cz-Si: влияние различных факторов |
| title_fullStr |
Образование и отжиг метастабильного водородосодержащего центра в облученных кристаллах Cz-Si: влияние различных факторов |
| title_full_unstemmed |
Образование и отжиг метастабильного водородосодержащего центра в облученных кристаллах Cz-Si: влияние различных факторов |
| title_sort |
образование и отжиг метастабильного водородосодержащего центра в облученных кристаллах cz-si: влияние различных факторов |
| author |
Медведева, И.Ф. Мурин, Л.И. Маркевич, В.П. Комаров, Б.А. |
| author_facet |
Медведева, И.Ф. Мурин, Л.И. Маркевич, В.П. Комаров, Б.А. |
| topic |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| topic_facet |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| publishDate |
2001 |
| language |
Russian |
| container_title |
Вопросы атомной науки и техники |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| format |
Article |
| description |
Методами эффекта Холла и DLTS изучено формирование метастабильных водородосодержащих радиационных дефектов в кристаллах Cz - Si, гидрогенизированных при высоких температурах. Установлено, что
эффективность образования этих комплексов зависит от концентрации вводимых радиационных дефектов,
содержания водорода и температуры предварительных (перед облучением) отжигов. Изучена кинетика накопления и отжига исследуемого центра, обсуждается его природа и высказано предположение о вхождении в его состав водорода и комплекса междоузельный кислород (Ci-Oi).
Методами ефекту Холла і DLTS вивчено формування метастабільних радіаційних дефектів, що містять водень в кристалах Cz-Si, гідрогенізованих при високих температурах. Встановлено, що ефективність утворення цих комплексів залежить від концентрації радіаційних дефектів, що вводяться, вмісту водняі температури попередніх (перед опроміненням) відпалів. Вивчена кінетика накопичення та відпалу досліджуваного центру, обговорюється його природа та висловлюється припущення про вхід в його склад водню та комплексу міжвузольний кисень (Ci – Oi).
The metastable hydrogenous radiation defects formation in crystals Cz-Si hydrogenized at high temperature is studied by methods of Hall effect and DLTS . It is determined that these complexes formation efficiency depends on the introduced radiation defects concentration , on the hydrogen content and on the temperature of preannealing The kinetics of accumulation and of the annealing of investigated centers were studied; the nature of the center is discussed ; the assumption about hydrogen ana complex of interstitial oxygen presence was advanced (Ci – Oi).
|
| issn |
1562-6016 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78338 |
| citation_txt |
Образование и отжиг метастабильного водородосодержащего центра в облученных кристаллах Cz-Si: влияние различных факторов / И.Ф. Медведева, Л.И. Мурин, В.П. Маркевич, Б.А. Комаров // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 2. — С. 48-53. — Бібліогр.: 23 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT medvedevaif obrazovanieiotžigmetastabilʹnogovodorodosoderžaŝegocentravoblučennyhkristallahczsivliânierazličnyhfaktorov AT murinli obrazovanieiotžigmetastabilʹnogovodorodosoderžaŝegocentravoblučennyhkristallahczsivliânierazličnyhfaktorov AT markevičvp obrazovanieiotžigmetastabilʹnogovodorodosoderžaŝegocentravoblučennyhkristallahczsivliânierazličnyhfaktorov AT komarovba obrazovanieiotžigmetastabilʹnogovodorodosoderžaŝegocentravoblučennyhkristallahczsivliânierazličnyhfaktorov |
| first_indexed |
2025-12-07T19:29:15Z |
| last_indexed |
2025-12-07T19:29:15Z |
| _version_ |
1850878990441512960 |