Образование и отжиг метастабильного водородосодержащего центра в облученных кристаллах Cz-Si: влияние различных факторов
Методами эффекта Холла и DLTS изучено формирование метастабильных водородосодержащих радиационных дефектов в кристаллах Cz - Si, гидрогенизированных при высоких температурах. Установлено, что эффективность образования этих комплексов зависит от концентрации вводимых радиационных дефектов, содержан...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Дата: | 2001 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2001
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78338 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Образование и отжиг метастабильного водородосодержащего центра в облученных кристаллах Cz-Si: влияние различных факторов / И.Ф. Медведева, Л.И. Мурин, В.П. Маркевич, Б.А. Комаров // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 2. — С. 48-53. — Бібліогр.: 23 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineБудьте першим, хто залишить коментар!