Радиационные эффекты в арсенидгаллиевых поверхностно-барьерных структурах, возникающие под воздействием γ и β излучения - Исмайлов, К.А.; Статов, В.А.; Тагаев, М.Б.; Камалов, А.Б. (Вопросы атомной науки и техники, 2001)
Приведены экспериментальные данные о влиянии γ- и β-излучений на вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики диодных структур с барьером Шоттки Au-Al-GaAs и Au-Ti-GaAs. Обнаружен интервал доз, в котором улучшаются параметры диодных структур. Наведені експериментальні дані про вплив γ- та β-випромінювань на вольт-амперні та вольт-фарадні
характеристики діодних структур з бар’єром Шоттки Au-Al-GaAs та Au-Ti-GaAs. Виявлено інтервал доз, в
якому покращуються параметри діодних структур. The experimental data on γ- and β-irradiation effect on the volt amper and volt-farad characteristics of diod
structures with Schottky barrier Au-Al-GaAs and Au-Ti-GaAs are presented . The dose interval with this improved
diode structures parameters is revealed.