Влияние зарядности ионов на формирование профиля первичных повреждений в кристаллах, облучаемых ионами
Описана модель образования первичных повреждений при облучении кристаллов ионами. Основой модели является предположение о том, что дефекты образуются в результате кулоновского расталкивания соседних атомов кристаллической решетки, ионизованных движущимися ионами. В модели учитывается изменение средн...
Saved in:
| Published in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Date: | 2003 |
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2003
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78374 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Влияние зарядности ионов на формирование профиля первичных повреждений в кристаллах,облучаемых ионами / В.А. Алтынов, А.Ю. Дидык // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 6. — С. 16-19. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862718200323506176 |
|---|---|
| author | Алтынов, В.А. Дидык, А.Ю. |
| author_facet | Алтынов, В.А. Дидык, А.Ю. |
| citation_txt | Влияние зарядности ионов на формирование профиля первичных повреждений в кристаллах,облучаемых ионами / В.А. Алтынов, А.Ю. Дидык // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 6. — С. 16-19. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | Описана модель образования первичных повреждений при облучении кристаллов ионами. Основой модели является предположение о том, что дефекты образуются в результате кулоновского расталкивания соседних атомов кристаллической решетки, ионизованных движущимися ионами. В модели учитывается изменение среднего заряда ионов по мере проникновения в образец и распределение ионов по зарядам на данной глубине. Представлены результаты расчетов.
Описана модель утворювання первинних пошкоджень при опроміненні кристалів іонами. Основою моделі є допущення, що дефекти виникають у разі кулонівського розштовхування сусідніх атомів кристалічної градки, іонізованих рухомими іонами. В моделі ураховується змінення середнього заряду іонів по мірі проникнення в зразок та розподіл іонів по набоям на даній глибині. Представлені результати розрахунків.
The model of primary defects formation under ion irradiation of crystals is described. The model is based on suggestion that defects are created as a result of Coulomb repulsion of neighbouring atoms at crystalline lattice ionized by bombarding ions. The changes of average charge of ions and the charge distribution of ions versus the depth of ion penetration to crystal are taken into account. The results of calculation are presented.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:14:07Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-78374 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:14:07Z |
| publishDate | 2003 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Алтынов, В.А. Дидык, А.Ю. 2015-03-16T13:04:35Z 2015-03-16T13:04:35Z 2003 Влияние зарядности ионов на формирование профиля первичных повреждений в кристаллах,облучаемых ионами / В.А. Алтынов, А.Ю. Дидык // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 6. — С. 16-19. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78374 538.97 Описана модель образования первичных повреждений при облучении кристаллов ионами. Основой модели является предположение о том, что дефекты образуются в результате кулоновского расталкивания соседних атомов кристаллической решетки, ионизованных движущимися ионами. В модели учитывается изменение среднего заряда ионов по мере проникновения в образец и распределение ионов по зарядам на данной глубине. Представлены результаты расчетов. Описана модель утворювання первинних пошкоджень при опроміненні кристалів іонами. Основою моделі є допущення, що дефекти виникають у разі кулонівського розштовхування сусідніх атомів кристалічної градки, іонізованих рухомими іонами. В моделі ураховується змінення середнього заряду іонів по мірі проникнення в зразок та розподіл іонів по набоям на даній глибині. Представлені результати розрахунків. The model of primary defects formation under ion irradiation of crystals is described. The model is based on suggestion that defects are created as a result of Coulomb repulsion of neighbouring atoms at crystalline lattice ionized by bombarding ions. The changes of average charge of ions and the charge distribution of ions versus the depth of ion penetration to crystal are taken into account. The results of calculation are presented. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Влияние зарядности ионов на формирование профиля первичных повреждений в кристаллах, облучаемых ионами Вплив зарядності іонів на формування профіля первинних пошкоджень в кристалах, опромінених іонами Effect of ions charging on the profile of primary damage in ion irradiated crystals Article published earlier |
| spellingShingle | Влияние зарядности ионов на формирование профиля первичных повреждений в кристаллах, облучаемых ионами Алтынов, В.А. Дидык, А.Ю. Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| title | Влияние зарядности ионов на формирование профиля первичных повреждений в кристаллах, облучаемых ионами |
| title_alt | Вплив зарядності іонів на формування профіля первинних пошкоджень в кристалах, опромінених іонами Effect of ions charging on the profile of primary damage in ion irradiated crystals |
| title_full | Влияние зарядности ионов на формирование профиля первичных повреждений в кристаллах, облучаемых ионами |
| title_fullStr | Влияние зарядности ионов на формирование профиля первичных повреждений в кристаллах, облучаемых ионами |
| title_full_unstemmed | Влияние зарядности ионов на формирование профиля первичных повреждений в кристаллах, облучаемых ионами |
| title_short | Влияние зарядности ионов на формирование профиля первичных повреждений в кристаллах, облучаемых ионами |
| title_sort | влияние зарядности ионов на формирование профиля первичных повреждений в кристаллах, облучаемых ионами |
| topic | Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| topic_facet | Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78374 |
| work_keys_str_mv | AT altynovva vliâniezarâdnostiionovnaformirovanieprofilâpervičnyhpovreždeniivkristallahoblučaemyhionami AT didykaû vliâniezarâdnostiionovnaformirovanieprofilâpervičnyhpovreždeniivkristallahoblučaemyhionami AT altynovva vplivzarâdnostííonívnaformuvannâprofílâpervinnihpoškodženʹvkristalahopromínenihíonami AT didykaû vplivzarâdnostííonívnaformuvannâprofílâpervinnihpoškodženʹvkristalahopromínenihíonami AT altynovva effectofionschargingontheprofileofprimarydamageinionirradiatedcrystals AT didykaû effectofionschargingontheprofileofprimarydamageinionirradiatedcrystals |