Влияние зарядности ионов на формирование профиля первичных повреждений в кристаллах, облучаемых ионами
Описана модель образования первичных повреждений при облучении кристаллов ионами. Основой модели является предположение о том, что дефекты образуются в результате кулоновского расталкивания соседних атомов кристаллической решетки, ионизованных движущимися ионами. В модели учитывается изменение средн...
Saved in:
| Published in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Date: | 2003 |
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2003
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78374 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Влияние зарядности ионов на формирование профиля первичных повреждений в кристаллах,облучаемых ионами / В.А. Алтынов, А.Ю. Дидык // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 6. — С. 16-19. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860210567060389888 |
|---|---|
| author | Алтынов, В.А. Дидык, А.Ю. |
| author_facet | Алтынов, В.А. Дидык, А.Ю. |
| citation_txt | Влияние зарядности ионов на формирование профиля первичных повреждений в кристаллах,облучаемых ионами / В.А. Алтынов, А.Ю. Дидык // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 6. — С. 16-19. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | Описана модель образования первичных повреждений при облучении кристаллов ионами. Основой модели является предположение о том, что дефекты образуются в результате кулоновского расталкивания соседних атомов кристаллической решетки, ионизованных движущимися ионами. В модели учитывается изменение среднего заряда ионов по мере проникновения в образец и распределение ионов по зарядам на данной глубине. Представлены результаты расчетов.
Описана модель утворювання первинних пошкоджень при опроміненні кристалів іонами. Основою моделі є допущення, що дефекти виникають у разі кулонівського розштовхування сусідніх атомів кристалічної градки, іонізованих рухомими іонами. В моделі ураховується змінення середнього заряду іонів по мірі проникнення в зразок та розподіл іонів по набоям на даній глибині. Представлені результати розрахунків.
The model of primary defects formation under ion irradiation of crystals is described. The model is based on suggestion that defects are created as a result of Coulomb repulsion of neighbouring atoms at crystalline lattice ionized by bombarding ions. The changes of average charge of ions and the charge distribution of ions versus the depth of ion penetration to crystal are taken into account. The results of calculation are presented.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:14:07Z |
| format | Article |
| fulltext |
РАЗДЕЛ ВТОРОЙ
УДК 538.97
ВЛИЯНИЕ ЗАРЯДНОСТИ ИОНОВ НА ФОРМИРОВАНИЕ
ПРОФИЛЯ ПЕРВИЧНЫХ ПОВРЕЖДЕНИЙ В КРИСТАЛЛАХ,
ОБЛУЧАЕМЫХ ИОНАМИ
В.А. Алтынов, А.Ю. Дидык
Объединенный институт ядерных исследований, Лаборатория ядерных реакций
им. Г.Н. Флерова, г. Дубна Московской обл., Россия
Описана модель образования первичных повреждений при облучении кристаллов ионами. Основой модели является
предположение о том, что дефекты образуются в результате кулоновского расталкивания соседних атомов кристалличе-
ской решетки, ионизованных движущимися ионами. В модели учитывается изменение среднего заряда ионов по мере
проникновения в образец и распределение ионов по зарядам на данной глубине. Представлены результаты расчетов
ВВЕДЕНИЕ
Образование дефектов кристаллической структу-
ры при прохождении через нее тяжелых заряженных
частиц может происходить как вследствие прямого
взаимодействия ядер ионов с ядрами мишени, так и
опосредованным путем – через ионизацию элек-
тронных оболочек атомов мишени с последующим
кулоновским расталкиванием образовавшихся
ионов.
Такой механизм дефектообразования рассмотрен
в работах Варли [1] для ионных кристаллов, Карпо-
ва и Клингера [2] – для кристаллов, содержащих по-
ложительно заряженные примеси; Двуреченского и
др. [3] – для случая ионизации двух собственных
атомов, расположенных в соседних узлах решетки.
Все эти модели объединяет предположение о том,
что дефект образуется после ионизации одного или
двух атомов мишени, которые после оже-каскада
становятся положительно заряженными до величи-
ны в несколько единиц элементарного заряда. Об-
разовавшаяся группа ионов (состоящая из ионизо-
ванного атома и катиона кристаллической решетки в
модели Варли или же ионизованного атома и поло-
жительно заряженной примеси в модели Карпова и
Клингера) будет неустойчивой вследствие куло-
новского расталкивания, что и приводит к образова-
нию дефекта. В модели Двуреченского происходит
расталкивание двух собственных атомов решетки,
ионизованных пролетающей частицей.
В наших предыдущих работах [4,5] было показа-
но, что в такого рода моделях помимо прямой куло-
новской ионизации следует учитывать и ионизацию
вследствие захвата электронов атомов мишени на
уровни пролетающего иона. В соответствии с этим
длина свободного пробега L заряженной частицы
между последовательными актами ионизации элек-
тронных оболочек мишени должна зависеть не толь-
ко от сечения кулоновской ионизации σI, но и от се-
чения захвата σС., то есть
1])[( −+= aCI NL σσ , (1)
где Na – число атомов в единице объема.
В формуле (1) предполагалось, что сечение σС
не зависит от структуры иона, в частности, от его за-
ряда q. Дальнейшее развитие положений, высказан-
ных в наших предыдущих статьях [4,5], является це-
лью настоящей работы.
ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ
При рассмотрении процесса последовательной
ионизации соседних атомов кристаллической решет-
ки мишени следует принимать во внимание тот
факт, что повторный захват электрона на уровни
иона возможен только в случае, когда эти уровни
еще не полностью заполнены. Так, например, ион
He+ только в одном из двух столкновений сможет
захватить электрон, а в общем случае два захвата
подряд возможны только тогда, когда заряд иона
больше, чем +2. Процессы, приводящие к ионизации
можно схематически представить следующим об-
разом:
0,)(3
1,)(2
1,)(2
2,)(1
1
2
1
12
1
11
)1(1
2
1
12
1
11
)1(1
2
1
12
)1(1
11
)2(1
2
1
12
)1(1
11
≥++ →++ →+
≥++ →++ →+
≥++ →++ →+
≥++ →++ →+
++++++
−++++++
−+++−+++
−+++−+++
kIAAAIAAI
kIAAAIAAIb
kIAAAIAAIa
kIAAAIAAI
kikik
kckik
kikck
kckck
(2)
В приведенных выше формулах I+k – ион заряд-
ности k, A – атом мишени, i и c – процессы иониза-
ции и захвата соответственно.
Поскольку сечения захвата электронов зависят
от электронной конфигурации иона, то выражение
2)(/ LcdxdN σσ +∝ (формула в работе [5]) следует
заменить на:
∑ ∑∑ ++−+−∝
Z Z
IqIICqC
Z
Cq qnqqqnqqndxdN
1 0
2
2
).()]()1()[()1()(/ σσσσσσ (3)
______________________________________________________________________________
16 ВОПРОСЫ АТОМНОЙ НАУКИ И ТЕХНИКИ. 2003. № 6.
Серия: Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение (84), c.16-19.
Следовательно, расчет профиля повреждений по
рассматриваемому в настоящей работе механизму
должен учитывать зависимость σС от q и распреде-
ление ионов по зарядностям.
Рассмотрим сначала вопрос о распределении
ионов по зарядностям. Обычно предполагают, что
оно имеет гауссову форму. Как известно, это рас-
пределение симметрично относительно максимума,
однако при малом числе зарядовых состояний такая
симметрия может и не иметь места. Поэтому мы ис-
пользовали биноминальную формулу, то есть:
( ) qZqq
Zq ppCn −−= 1 , (4)
при этом параметр p определяется из условия:
Zqp /= . (5)
В приведенных формулах nq – доля ионов с заря-
дом q, Cq
Z – биномиальный коэффициент, Z – атом-
ный номер иона (заряд ядра иона), q – средний за-
ряд иона на данной глубине (при данной скорости),
который может быть вычислен.
Очевидно, что 1=∑
q
qn , как это и должно быть
из физических соображений.
Дисперсия распределения ионов по зарядам в
случае биномиального распределения будет опреде-
ляться выражением:
)/1( Zqqd −= (6)
Формула (6) по своему виду близка к формуле
для дисперсии, предложенной Бором [6]
( )[ ] ./15.0
2/13/5
Zqqd −⋅⋅= (7)
Зависимость же σС: от q проявляется через зави-
симость сечения от энергии уровня, на который
происходит захват (см. [7]):
5222 ])/()2/[( −+−−∝ Biiaic anhvZmvEEσ (8)
При этом, если энергии уровней атомов хорошо
известны и табулированны (см., например [8]), то
для энергий ионов, особенно сильно ионизирован-
ных, приходится использовать различные прибли-
жения. В частности, одно из приближений предло-
жено нами в работе [5].
Зависимость сечения захвата от атомного номера
определяется, во-первых, видом волновых функций
начального i и конечного f состояний, между кото-
рыми происходит переход, и, во-вторых, потенциа-
лом взаимодействия V для рассматриваемого элек-
тронного перехода, т.е.:
∑ ∫ ><= ⊥
i
C iVfdpv
22 )2( πσ , (9)
где суммирование проводится по всем состояниям,
из которых происходит захват.
Для легких ионов в работе [7] дается выражение:
3
2
5
2
3
1
3
1
n
Z
n
Z
c ⋅∝σ , (10)
где Z1, Z2 – атомные номера иона и мишени соответ-
ственно, n1 и n2 – главные квантовые числа уровней.
Мы предлагаем использовать формулу (10) с за-
меной Z на Zef, определяемое как Zef=(Z-Snl). Посто-
янные Snl определяются в виде суммы вкладов от
всех n’l’-электронов, вычисленных Бернсом [9] (см.
табл.). Не приведенные в таблице вклады от элек-
тронов, для которых n’<n, равны единице, а для ко-
торых n’>n, – нулю. Сечения ионизации тяжелыми
заряженными частицами хорошо передаются моде-
лью парных столкновений (binary encounter
approximation), изложенной в работах [11, 12]. В них
табулирована так называемая универсальная кривая
зависимости приведенного сечения от относитель-
ной скорости иона. С целью автоматизации расчетов
нами была произведена аппроксимация табулиро-
ванных значений гладкой непрерывной функцией
вида:
∑
=
⋅=
6
0
8 )exp()(
i
i
iVBVVσ , (11)
где V – отношение скорости иона к скорости орби-
тального электрона.
Поскольку зависимость сечения ионизации лег-
кими ионами от их зарядового состояния невелика
(ион должен проникнуть глубоко в оболочку иони-
зируемого атома, где существенно только взаимо-
действие ядро иона – электрон мишени [11,12]), и
поскольку Σnq=1, то для них выражение (3) можно
заменить на:
∑∑ ++−∝
Z
ICqIC
Z
Cq qnqqndxdN
1
2
2
.)()1()(/ σσσσσ
(12)
Вклады в Snl в волновые функции от каждого из n’l’-электронов атома
Sns 1,0(n-2)s
0,85(n-1)s
0,35 ns
1,0(n-2)p
0,65(n-1)p
0,2 np
1,0(n-3)d
0,75(n-2)d
0,25(n-1)d
0,1 nd
0,75(n-3)f
0,25(n-2)f
0,05(n-1)f
-
Snp
-
-
1,0(n-1)s
0,5ns
0,15(n+1)s
-
1,0(n-2)p
0,7(n-1)p
0,35 np
0,05(n+1)p
1,0(n-3)d
0,85(n-2)d
0,5(n-1)d
0,15nd
-
0,85(n-3)f
0,50(n-2)f
0,15(n-1)f
-
-
17
Snd
-
1,0(n-1)s
0,75 ns
0,15(n+1)s
-
1,0(n-1)p
0,5 np
0,05(n+1)p
1,0(n-2)d
0,55(n-1)d
0,35nd
0,05(n+1)d
0,75(n-2)f
0,4(n-1)f
0.05 nf
-
Snf
-
1,0ns
0,5(n+1)s
1,0(n-1)p
0,75 np
0,15(n+1)p
0,85(n-1)d
0,5nd
0,05(n+1)d
0,85(n-1)f
0,35 nf
0,05(n+1)f
ОСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ
С учетом указанных предположений нами были
произведены расчеты профиля первичных повре-
ждений, образующихся в кремнии при облучении
ионами He с энергией в интервале 0.4…4 МэВ. Ре-
зультаты расчетов представлены в виде графиков на
рис.1,2. Индексы 0.4, 1.0, 2.0 и 4.0 около кривых
означают энергию ионов в МэВ соответственно.
Глубина мишени измеряется в долях проективного
пробега. При проведении расчетов принято во вни-
мание то соображение, что в кремнии при удалении
электронов из L-оболочки оже-переходы возможны
только при ионизации (любым способом) LI - под-
оболочки, то есть переходы LI → LIII,MI,II. В соответ-
ствии с этим вычислялись сечения захвата и куло-
новской ионизации именно для этой подоболочки.
Энергия связи для LI -уровня кремния составляет со-
гласно [8] 152 эВ. Энергия связи электронов гелия
полагалась равной 24.59 эВ для нейтрального гелия
[8] и 54.4 эВ для ионов He+.
пл
от
но
ст
ь
де
фе
кт
ов
, в
ак
./и
он
/а
нг
ст
ре
м
глубина мишени
Рис.1. Вклад различных процессов
в полный профиль дефектообразования
Каждая группа кривых на рис.1 демонстрирует
вклад отдельных слагаемых уравнения 12 в ре-
зультирующий профиль – последовательная иониза-
ция (а), ионизация и захват (б), последовательный
захват с учетом изменения состояния иона (в).
Из представленных результатов следует, что при
определенных энергиях ионов в профиле первичных
повреждений могут появляться дополнительные, по-
мимо брегговского, пики, положение которых для
данной пары ион-мишень зависит от энергии иона.
Этот факт объясняется тем, что сечение захвата
электронов имеет максимум при определенной ско-
рости иона. Так как глубина, на которой такая ско-
рость достигается, зависит от начальной энергии, то
и максимум дефектообразования смещается в глуби-
ну мишени при увеличении начальной энергии.
Вместе со смещением пика происходит и изменение
его ширины, что может быть вызвано различием за-
висимости скорости иона от глубины мишени. Сле-
дует обратить внимание и на то, что при фиксиро-
ванной начальной энергии иона положение макси-
мума для каждого из дефектообразующих процессов
различно.
При энергии 2 МэВ вероятность образования де-
фекта максимальна на глубине 0,635R для последо-
вательного захвата , на глубине 0,415R – для захва-
та-ионизации и на глубине 0,245R – для последова-
тельной ионизации.
Из приведенных результатов также следует, что
появление дополнительных пиков при образовании
дефектов по модели Двуреченского [3] возможно
только начиная с определенной пороговой энергии
ионов, определяемой условием равенства скоростей
налетающей частицы и орбитального электрона. Для
рассматриваемой пары эта энергия должна превы-
шать 1 МэВ.
Необходимо обратить внимание также и на тот
факт, что для рассматриваемой комбинации ион –
мишень вклад каждого следующего слагаемого в ре-
зультирующий профиль приблизительно на полтора
порядка меньше. Поскольку каждое слагаемое до-
стигает максимума на различной глубине, то иссле-
дование экспериментальных профилей распределе-
ния первичных дефектов позволит определить, ка-
кой именно из процессов имеет наибольшую вероят-
ность при прохождение ионов через мишень.
пл
от
но
ст
ь
де
фе
кт
ов
,
ва
к.
/и
он
/а
нг
ст
ре
м
глубина мишени
Рис.2. Сопоставление профилей,
рассчитанных с учетом и без учета зарядовых
состояний ионов
18
На рис.2 представлены расчетные профили де-
фектов, образующихся при облучении кремния
ионами Не с энергией 1 МэВ, как с учетом (кривая
2), так и без учета (кривая 1) распределения ионов
по зарядовым состояниям. Правая кривая на этом
рисунке – результат расчета по программе SRIM-
2000 [13] суммарной плотности дефектов, образо-
ванных ионами и атомами отдачи. Видно, что учет
распределения ионов по зарядностям дает меньшее
значение в максимуме дефектообразования, а сам
максимум располагается ближе к поверхности. Сле-
дует подчеркнуть, что вычисление плотности дефек-
тов производилось с точностью до множителя, опре-
деляемого квадратом вероятности оже-перехода в
ионизованных атомах, и вероятностью образования
дефекта, зависящей от времени существования заря-
да на этих атомах после ионизации и оже-каскада.
Таким образом, приведенные численные значе-
ния плотности дефектов можно рассматривать как
максимально возможные для обсуждаемого меха-
низма.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
В настоящей работе рассмотрено влияние заряд-
ности ионов на процессы, приводящие к образова-
нию первичных повреждений вследствие удаления
электронов с внутренних оболочек атомов, располо-
женных в соседних узлах кристаллической решетки,
и последующего смещения одного из ионизованных
атомов из узла. Показано, что дискретность зарядо-
вых состояний ионов существенно влияет на форму
профиля образующихся дефектов – в первую оче-
редь, – на положение максимума дефектообразова-
ния и на его ширину. Приведенные численные зна-
чения следует рассматривать как максимально воз-
можное число дефектов, образующихся вследствие
обсуждаемых в статье процессов. Вместе с тем, ход
кривых хорошо коррелирует с экспериментальными
результатами, в которых условия облучения, а имен-
но, отношение разности энергий уровней, между ко-
торыми происходит «обмен» электронами, к началь-
ной скорости иона и сама эта скорость, близки к ис-
пользованным в наших расчетах.
ЛИТЕРАТУРА
1.J. Varley //Nucl. Energy 1954, v.1, p.130.
2.В.Г. Карпов и М.И. Клингер //Физ. техн. полупро-
водников. 1978, т. 12, с. 1887.
3.А.В. Двуреченский, А.А. Каранович и А.В. Рыбин
//ЖЭТФ. 1995, т. 107, с. 493.
4.V.A. Altynov and A.Yu. Didyk //Heavy Ion Physics.
JINR FLNR Sci. Rep. 1997-1998, Dubna, 2000, p. 285.
5.V.A. Altynov and A.Yu. Didyk //ibid, p. 287.
6.Н. Бор. Прохождение атомных частиц в веще-
стве. М.: ИЛ, 1950.
7.Y.-H. Ohttsuki. Charged beam interaction with solids.
London and N.Y.: Taylor&Francis Ltd, 1983
8.М.А. Блохин, И.Г. Швейцер. Рентгеноспектраль-
ный справочник. М.: «Наука», 1982.
9.G.Burns //J. Chem. Phys. 1964, v.41, p.1521.
10.B.J. Bloch, L.B. Mendelsohn //Phys. Rev. 1975,
v. A12, p. 1197.
11.J.D. Garcia, R.J. Fortner and K. Kavanagh //Rev.
Mod. Phys. 1973, v. 45, p.111
12.J.H. McGuire and P.Richard //Phys. Rev. 1973,
v. A8, p. 1374.
13.J.F. Ziegler, J.P. Biersack and U. Littmark. The Stop-
ping and Range of Ions in Solids. N.-Y.: Pergamon
Press, 1985.
ВПЛИВ ЗАРЯДНОСТІ ІОНІВ НА ФОРМИРУВАННЯ ПРОФІЛЯ ПЕРВИННИХ ПОШКОДЖЕНЬ
В КРИСТАЛЛАХ, ОПРОМІНЕНИХ ІОНАМИ
В.А. Алтинов, А.Ю. Дідик
Описана модель утворювання первинних пошкоджень при опроміненні кристалів іонами. Основою моделі є
допущення, що дефекти виникають у разі кулонівського розштовхування сусідніх атомів кристалічної градки,
іонізованих движучимися іонами. В моделі ураховується змінення середнього заряду іонів по мірі проникнення в зразок
та розподіл іонів по набоям на даній глибині. Представлені результати розрахунків.
EFFECT OF IONS CHARGING ON THE PROFILE OF PRIMARY DAMAGE
IN ION IRRADIATED CRYSTALS
V.A. Altinov, A.Y. Didik
The model of primary defects formation under ion irradiation of crystals is described. The model is based on suggestion that
defects are created as a result of Coulomb repulsion of neighbouring atoms at crystalline lattice ionized by bombarding ions. The
changes of average charge of ions and the charge distribution of ions versus the depth of ion penetration to crystal are taken into
account. The results of calculation are presented.
19
РАЗДЕЛ ВТОРОЙ
УДК 538.97
ВЛИЯНИЕ ЗАРЯДНОСТИ ИОНОВ НА ФОРМИРОВАНИЕ
ПРОФИЛЯ ПЕРВИЧНЫХ ПОВРЕЖДЕНИЙ В КРИСТАЛЛАХ,
ОБЛУЧАЕМЫХ ИОНАМИ
В.А. Алтынов, А.Ю. Дидык
Объединенный институт ядерных исследований, Лаборатория ядерных реакций им. Г.Н. Флерова, г. Дубна Московской обл., Россия
ВВЕДЕНИЕ
ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ
ОСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
ВПЛИВ ЗАРЯДНОСТІ ІОНІВ НА ФОРМИРУВАННЯ ПРОФІЛЯ ПЕРВИННИХ ПОШКОДЖЕНЬ
В КРИСТАЛЛАХ, ОПРОМІНЕНИХ ІОНАМИ
В.А. Алтинов, А.Ю. Дідик
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-78374 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:14:07Z |
| publishDate | 2003 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Алтынов, В.А. Дидык, А.Ю. 2015-03-16T13:04:35Z 2015-03-16T13:04:35Z 2003 Влияние зарядности ионов на формирование профиля первичных повреждений в кристаллах,облучаемых ионами / В.А. Алтынов, А.Ю. Дидык // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 6. — С. 16-19. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78374 538.97 Описана модель образования первичных повреждений при облучении кристаллов ионами. Основой модели является предположение о том, что дефекты образуются в результате кулоновского расталкивания соседних атомов кристаллической решетки, ионизованных движущимися ионами. В модели учитывается изменение среднего заряда ионов по мере проникновения в образец и распределение ионов по зарядам на данной глубине. Представлены результаты расчетов. Описана модель утворювання первинних пошкоджень при опроміненні кристалів іонами. Основою моделі є допущення, що дефекти виникають у разі кулонівського розштовхування сусідніх атомів кристалічної градки, іонізованих рухомими іонами. В моделі ураховується змінення середнього заряду іонів по мірі проникнення в зразок та розподіл іонів по набоям на даній глибині. Представлені результати розрахунків. The model of primary defects formation under ion irradiation of crystals is described. The model is based on suggestion that defects are created as a result of Coulomb repulsion of neighbouring atoms at crystalline lattice ionized by bombarding ions. The changes of average charge of ions and the charge distribution of ions versus the depth of ion penetration to crystal are taken into account. The results of calculation are presented. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Влияние зарядности ионов на формирование профиля первичных повреждений в кристаллах, облучаемых ионами Вплив зарядності іонів на формування профіля первинних пошкоджень в кристалах, опромінених іонами Effect of ions charging on the profile of primary damage in ion irradiated crystals Article published earlier |
| spellingShingle | Влияние зарядности ионов на формирование профиля первичных повреждений в кристаллах, облучаемых ионами Алтынов, В.А. Дидык, А.Ю. Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| title | Влияние зарядности ионов на формирование профиля первичных повреждений в кристаллах, облучаемых ионами |
| title_alt | Вплив зарядності іонів на формування профіля первинних пошкоджень в кристалах, опромінених іонами Effect of ions charging on the profile of primary damage in ion irradiated crystals |
| title_full | Влияние зарядности ионов на формирование профиля первичных повреждений в кристаллах, облучаемых ионами |
| title_fullStr | Влияние зарядности ионов на формирование профиля первичных повреждений в кристаллах, облучаемых ионами |
| title_full_unstemmed | Влияние зарядности ионов на формирование профиля первичных повреждений в кристаллах, облучаемых ионами |
| title_short | Влияние зарядности ионов на формирование профиля первичных повреждений в кристаллах, облучаемых ионами |
| title_sort | влияние зарядности ионов на формирование профиля первичных повреждений в кристаллах, облучаемых ионами |
| topic | Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| topic_facet | Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78374 |
| work_keys_str_mv | AT altynovva vliâniezarâdnostiionovnaformirovanieprofilâpervičnyhpovreždeniivkristallahoblučaemyhionami AT didykaû vliâniezarâdnostiionovnaformirovanieprofilâpervičnyhpovreždeniivkristallahoblučaemyhionami AT altynovva vplivzarâdnostííonívnaformuvannâprofílâpervinnihpoškodženʹvkristalahopromínenihíonami AT didykaû vplivzarâdnostííonívnaformuvannâprofílâpervinnihpoškodženʹvkristalahopromínenihíonami AT altynovva effectofionschargingontheprofileofprimarydamageinionirradiatedcrystals AT didykaû effectofionschargingontheprofileofprimarydamageinionirradiatedcrystals |