Фотоэлектретное состояние без внешнего поляризующего поля в однородных полупроводниках

• Datum: 2008
• Hauptverfasser: Мирзаева, З.И., Набиев, Г.А., Эргашов, К.М.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2008
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7862
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Фотоэлектретное состояние без внешнего поляризующего поля в однородных полупроводниках / З.И. Мирзаева, Г.А. Набиев, К.М. Эргашов // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 1-2. — С. 65-69. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

В работе показана возможность и разработана теория фотоэлектретного состояния в однородных полупроводниках. Фотоэлектретное состояние возникает в отсутствие внешнего поляризующего поля в результате одного лишь освещения. Для многослойной структуры с однородными микрообластями, являющимися фотоактивными, найдено выражение для фотонапряжения с учетом глубоких уровней прилипания для неосновных носителей заряда. Когда время жизни свободных неосновных носителей намного меньше времени жизни носителей на уровне прилипания в структуре, наблюдается фотоэлектретное состояние. В простейшем случае фотонапряжение релаксирует по экспоненциальному закону. Время релаксации исчисляется несколькими часами. Наиболее перспективным материалом для наблюдения фотоэлектретного состояния без внешнего поляризующего поля является кремний. Структуры, в которых наблюдается этот эффект, могут быть применены как элементы памяти и в электрофотографии.