Фотоэлектретное состояние без внешнего поляризующего поля в однородных полупроводниках
В работе показана возможность и разработана теория фотоэлектретного состояния в однородных полупроводниках. Фотоэлектретное состояние возникает в отсутствие внешнего поляризующего поля в результате одного лишь освещения. Для многослойной структуры с однородными микрообластями, являющимися фотоактивн...
Saved in:
| Date: | 2008 |
|---|---|
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2008
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7862 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Фотоэлектретное состояние без внешнего поляризующего поля в однородных полупроводниках / З.И. Мирзаева, Г.А. Набиев, К.М. Эргашов // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 1-2. — С. 65-69. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |