Cover Image

Фотоэлектретное состояние без внешнего поляризующего поля в однородных полупроводниках

В работе показана возможность и разработана теория фотоэлектретного состояния в однородных полупроводниках. Фотоэлектретное состояние возникает в отсутствие внешнего поляризующего поля в результате одного лишь освещения. Для многослойной структуры с однородными микрообластями, являющимися фотоактивн...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Date:2008
Main Authors: Мирзаева, З.И., Набиев, Г.А., Эргашов, К.М.
Format: Article
Language:Russian
Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2008
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7862
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Фотоэлектретное состояние без внешнего поляризующего поля в однородных полупроводниках / З.И. Мирзаева, Г.А. Набиев, К.М. Эргашов // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 1-2. — С. 65-69. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Similar Items

Similar Items