Набиев, Г. (2008). Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия. Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Набиев, Г.А. Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия. Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України, 2008.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Набиев, Г.А. Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия. Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України, 2008.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.