Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия
В статье показана возможность определения параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние с помощью релаксационных кривых в пленках теллурида кадмия, легированных серебром. У статті показана можливість визначення параметрів рівнів прилипання, відповідальних за фотоелектретн...
Saved in:
| Date: | 2008 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2008
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7864 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия / Г.А. Набиев // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 1-2. — С. 89-91. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-7864 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Набиев, Г.А. 2010-04-19T14:45:15Z 2010-04-19T14:45:15Z 2008 Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия / Г.А. Набиев // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 1-2. — С. 89-91. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7864 621.315.592 В статье показана возможность определения параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние с помощью релаксационных кривых в пленках теллурида кадмия, легированных серебром. У статті показана можливість визначення параметрів рівнів прилипання, відповідальних за фотоелектретний стан за допомогою релаксаційних кривих у плівках телуріда кадмію, легованих сріблом. In the paper, an ability of determination of capture levels parameters, which are responsible for photoelectret state using relaxation curves in silver-doped cadmium telluride films been studied. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия Визначення параметрів рівнів прилипання, відповідальних за фотоелектретний стан у плівках телуріда кадмію Determination of capture levels parameters responsible for photoelectret state in cadmium telluride films Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия |
| spellingShingle |
Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия Набиев, Г.А. |
| title_short |
Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия |
| title_full |
Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия |
| title_fullStr |
Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия |
| title_full_unstemmed |
Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия |
| title_sort |
определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия |
| author |
Набиев, Г.А. |
| author_facet |
Набиев, Г.А. |
| publishDate |
2008 |
| language |
Russian |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Визначення параметрів рівнів прилипання, відповідальних за фотоелектретний стан у плівках телуріда кадмію Determination of capture levels parameters responsible for photoelectret state in cadmium telluride films |
| description |
В статье показана возможность определения параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние с помощью релаксационных кривых в пленках теллурида кадмия, легированных серебром.
У статті показана можливість визначення параметрів рівнів прилипання, відповідальних за фотоелектретний стан за допомогою релаксаційних кривих у плівках телуріда кадмію, легованих сріблом.
In the paper, an ability of determination of capture levels parameters, which are responsible for photoelectret state using relaxation curves in silver-doped cadmium telluride films been studied.
|
| issn |
1999-8074 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7864 |
| citation_txt |
Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия / Г.А. Набиев // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 1-2. — С. 89-91. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT nabievga opredelenieparametrovurovneiprilipaniâotvetstvennyhzafotoélektretnoesostoânievplenkahtelluridakadmiâ AT nabievga viznačennâparametrívrívnívprilipannâvídpovídalʹnihzafotoelektretniistanuplívkahtelurídakadmíû AT nabievga determinationofcapturelevelsparametersresponsibleforphotoelectretstateincadmiumtelluridefilms |
| first_indexed |
2025-12-07T18:57:04Z |
| last_indexed |
2025-12-07T18:57:04Z |
| _version_ |
1850876965331927040 |