Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия
В статье показана возможность определения параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние с помощью релаксационных кривых в пленках теллурида кадмия, легированных серебром. У статті показана можливість визначення параметрів рівнів прилипання, відповідальних за фотоелектретн...
Gespeichert in:
| Datum: | 2008 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2008
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7864 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия / Г.А. Набиев // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 1-2. — С. 89-91. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862726365334208512 |
|---|---|
| author | Набиев, Г.А. |
| author_facet | Набиев, Г.А. |
| citation_txt | Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия / Г.А. Набиев // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 1-2. — С. 89-91. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| description | В статье показана возможность определения параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние с помощью релаксационных кривых в пленках теллурида кадмия, легированных серебром.
У статті показана можливість визначення параметрів рівнів прилипання, відповідальних за фотоелектретний стан за допомогою релаксаційних кривих у плівках телуріда кадмію, легованих сріблом.
In the paper, an ability of determination of capture levels parameters, which are responsible for photoelectret state using relaxation curves in silver-doped cadmium telluride films been studied.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:57:04Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-7864 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:57:04Z |
| publishDate | 2008 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Набиев, Г.А. 2010-04-19T14:45:15Z 2010-04-19T14:45:15Z 2008 Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия / Г.А. Набиев // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 1-2. — С. 89-91. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7864 621.315.592 В статье показана возможность определения параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние с помощью релаксационных кривых в пленках теллурида кадмия, легированных серебром. У статті показана можливість визначення параметрів рівнів прилипання, відповідальних за фотоелектретний стан за допомогою релаксаційних кривих у плівках телуріда кадмію, легованих сріблом. In the paper, an ability of determination of capture levels parameters, which are responsible for photoelectret state using relaxation curves in silver-doped cadmium telluride films been studied. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия Визначення параметрів рівнів прилипання, відповідальних за фотоелектретний стан у плівках телуріда кадмію Determination of capture levels parameters responsible for photoelectret state in cadmium telluride films Article published earlier |
| spellingShingle | Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия Набиев, Г.А. |
| title | Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия |
| title_alt | Визначення параметрів рівнів прилипання, відповідальних за фотоелектретний стан у плівках телуріда кадмію Determination of capture levels parameters responsible for photoelectret state in cadmium telluride films |
| title_full | Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия |
| title_fullStr | Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия |
| title_full_unstemmed | Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия |
| title_short | Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия |
| title_sort | определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7864 |
| work_keys_str_mv | AT nabievga opredelenieparametrovurovneiprilipaniâotvetstvennyhzafotoélektretnoesostoânievplenkahtelluridakadmiâ AT nabievga viznačennâparametrívrívnívprilipannâvídpovídalʹnihzafotoelektretniistanuplívkahtelurídakadmíû AT nabievga determinationofcapturelevelsparametersresponsibleforphotoelectretstateincadmiumtelluridefilms |