Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия - Набиев, Г.А. (Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України, 2008)
В статье показана возможность определения параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние с помощью релаксационных кривых в пленках теллурида кадмия, легированных серебром. У статті показана можливість визначення параметрів рівнів прилипання, відповідальних за фотоелектретний стан за допомогою релаксаційних кривих у плівках телуріда кадмію, легованих сріблом. In the paper, an ability of determination of capture levels parameters, which are responsible for photoelectret state using relaxation curves in silver-doped cadmium telluride films been studied.