Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия
В статье показана возможность определения параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние с помощью релаксационных кривых в пленках теллурида кадмия, легированных серебром. У статті показана можливість визначення параметрів рівнів прилипання, відповідальних за фотоелектретн...
Gespeichert in:
| Datum: | 2008 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2008
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7864 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия / Г.А. Набиев // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 1-2. — С. 89-91. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |