Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия
В статье показана возможность определения параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние с помощью релаксационных кривых в пленках теллурида кадмия, легированных серебром. У статті показана можливість визначення параметрів рівнів прилипання, відповідальних за фотоелектретн...
Gespeichert in:
| Datum: | 2008 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | Набиев, Г.А. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2008
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7864 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия / Г.А. Набиев // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 1-2. — С. 89-91. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Фотоэлектретное состояние без внешнего поляризующего поля в однородных полупроводниках
von: Мирзаева, З.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Мирзаева, З.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Фотоелектрические свойства диодов на основе монокристаллического теллурида кадмия с модифицированной поверхностью
von: Александрюк, Т.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Александрюк, Т.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Влияние обработки водородом монокристаллов теллурида кадмия на их спектры оптического пропускания
von: Пигур, О.Н., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Пигур, О.Н., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Влияние обработки водородом монокристаллов теллурида кадмия на их спектры оптического пропускания
von: Pigur, O. N., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Pigur, O. N., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Теория АФН-эффекта с демберовским механизмом в полупроводниковых пленках
von: Набиев, Г.А.
Veröffentlicht: (2008)
von: Набиев, Г.А.
Veröffentlicht: (2008)
Техническая диагностика ответственных объектов
Veröffentlicht: (2011)
Veröffentlicht: (2011)
Автоматизированная система дефектоскопии ответственных деталей гидронасоса
von: Гамалий, В.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Гамалий, В.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Совершенствование системы контрольных уровней радиационных параметров на атомных электростанциях
von: Турбаевский, В.В.
Veröffentlicht: (2012)
von: Турбаевский, В.В.
Veröffentlicht: (2012)
Выбор стали для ответственных сварных строительных конструкций
von: Ковтуненко, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Ковтуненко, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Деформационный мониторинг территорий расположения ответственных инженерных объектов
von: Гусева, Т.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Гусева, Т.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Определение безопасных уровней статических нагрузок для полимерных композитов, ослабленных трещинами
von: Каминский, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Каминский, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Определение низкоэнергетических электронных уровней иона Tm³⁺ в соединении KTm(MoO₄)₂
von: Кобец, М.И., et al.
Veröffentlicht: (1999)
von: Кобец, М.И., et al.
Veröffentlicht: (1999)
Условия, при которых вся контактная поверхность при прокатке может быть зоной прилипания
von: Огинский, И.К.
Veröffentlicht: (2011)
von: Огинский, И.К.
Veröffentlicht: (2011)
Сверхзвуковое электродуговое напыление ответственных деталей подвижного состава железнодорожного транспорта
von: Коржик, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Коржик, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Электронная структура сплавов на основе теллурида свинца, легированных ванадием
von: Скипетров, Е.П., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Скипетров, Е.П., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Анализ уровней конкурентоспособности турпредприятия
von: Швец, И.Ю.
Veröffentlicht: (2006)
von: Швец, И.Ю.
Veröffentlicht: (2006)
Дополнение классификатора уровней субординации
von: Штапаук, С.С., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Штапаук, С.С., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Экзаменатор уровней с оптиметром
von: Бахонский, А.В., et al.
Veröffentlicht: (1985)
von: Бахонский, А.В., et al.
Veröffentlicht: (1985)
Проектирование кокиля для изготовления ответственных сложнопрофильных литых деталей энергетического машиностроения
von: Таран, Б.П., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Таран, Б.П., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Термоэлектрическая эффективность пленок теллурида свинца при легировании элементами V группы
von: Атакулов, Ш.Б., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Атакулов, Ш.Б., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Феномен социальных и социально ответственных инвестиций в концепции социальной ответственности бизнеса
von: Новикова, Р.А.
Veröffentlicht: (2012)
von: Новикова, Р.А.
Veröffentlicht: (2012)
Обзор методов технического освидетельствования трубопроводов ответственных потребителей группы «А» на АЭС
von: Инюшев, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Инюшев, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Молекулярные состояния адсорбции и вероятность прилипания молекул D₂ на поверхности W(110) при температуре жидкого гелия
von: Осовский, В.Д., et al.
Veröffentlicht: (1997)
von: Осовский, В.Д., et al.
Veröffentlicht: (1997)
Электронная структура разбавленных магнитных полупроводников на основе теллурида свинца с примесью хрома
von: Скипетров, Е.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Скипетров, Е.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Сорбционное концентрирование свинца (II), кадмия (II) и их электротермическое атомно-абсорбционное определение в суспензиях сорбентов
von: Алемасова, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Алемасова, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Определение микропримесей железа, кобальта, никеля и меди в сульфидах цинка и кадмия экстракционно-спектральным методом
von: Мищенко, В.Т., et al.
Veröffentlicht: (1984)
von: Мищенко, В.Т., et al.
Veröffentlicht: (1984)
Исследование алидадных уровней вертикального круга Ваншаффа
von: Бахонский, А.В.
Veröffentlicht: (1985)
von: Бахонский, А.В.
Veröffentlicht: (1985)
Определение эффективной плотности электронных поверхностных состояний в нанокристаллических пленках Bi₂Te₃ – Sb₂Te₃
von: Шамирзаев, С.Х., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Шамирзаев, С.Х., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Определение параметров теплопотерь помещения на основе трехмерных моделей
von: Круковский, П.Г., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Круковский, П.Г., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Определение параметров чандлеровского движения полюса Земли за 1979—1984 гг.
von: Панченко, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (1986)
von: Панченко, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (1986)
Интеллектуальные видеокамеры: состояние, определение и классификация
von: Головин, А.Н.
Veröffentlicht: (2013)
von: Головин, А.Н.
Veröffentlicht: (2013)
Синтез и свойства нанопорошков фосфата кадмия
von: Рожков, Н.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Рожков, Н.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Процесс электроокисления кадмия в галогенидных растворах
von: Козина, С.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Козина, С.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Влияние параметров импульсной работы вакуумно-дугового испарителя на концентрацию капель в формируемых пленках
von: Белоус, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Белоус, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Концепция уровней в разработке модели предметной области
von: Майстренко, С.А.
Veröffentlicht: (2009)
von: Майстренко, С.А.
Veröffentlicht: (2009)
К оценке граничных уровней контролируемого показателя надежности
von: Стрельников, П.В.
Veröffentlicht: (2010)
von: Стрельников, П.В.
Veröffentlicht: (2010)
Анализ уровней интерферона при нарушении инволюции матки
von: Чайка, В.К., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Чайка, В.К., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Определение параметров схем проветривания марганцевых шахт
von: Яворская, Е.А.
Veröffentlicht: (2011)
von: Яворская, Е.А.
Veröffentlicht: (2011)
О нефротоксических эффектах различных доз хлорида кадмия
von: Карчаускас, В.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Карчаускас, В.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Поведение оксида кадмия в щелочно-солевых расплавах
von: Скриптун, И.Н.
Veröffentlicht: (2005)
von: Скриптун, И.Н.
Veröffentlicht: (2005)
Ähnliche Einträge
-
Фотоэлектретное состояние без внешнего поляризующего поля в однородных полупроводниках
von: Мирзаева, З.И., et al.
Veröffentlicht: (2008) -
Фотоелектрические свойства диодов на основе монокристаллического теллурида кадмия с модифицированной поверхностью
von: Александрюк, Т.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2008) -
Влияние обработки водородом монокристаллов теллурида кадмия на их спектры оптического пропускания
von: Пигур, О.Н., et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Влияние обработки водородом монокристаллов теллурида кадмия на их спектры оптического пропускания
von: Pigur, O. N., et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Теория АФН-эффекта с демберовским механизмом в полупроводниковых пленках
von: Набиев, Г.А.
Veröffentlicht: (2008)