Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия

• Date: 2008
• Main Author: Набиев, Г.А.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2008
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7864
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия / Г.А. Набиев // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 1-2. — С. 89-91. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

В статье показана возможность определения параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние с помощью релаксационных кривых в пленках теллурида кадмия, легированных серебром. У статті показана можливість визначення параметрів рівнів прилипання, відповідальних за фотоелектретн...